A. | 晶格能大。篘aI>NaBr>NaCl>NaF | B. | 單質(zhì)的熔點(diǎn):Li<Na<K<Rb | ||
C. | 共價(jià)鍵的鍵能:C-C>C-Si>Si-Si | D. | 沸點(diǎn)高低:HF<HCl<HBr<HI |
分析 A.離子晶體中晶格能與離子半徑成反比、與電荷成正比;
B.金屬晶體熔沸點(diǎn)與半徑成反比;
C.鍵長(zhǎng)越短鍵能越大;
D.氫化物中熔沸點(diǎn)與其相對(duì)分子質(zhì)量成正比,但含有氫鍵的熔沸點(diǎn)較高.
解答 解:A.離子晶體中晶格能與離子半徑成反比、與電荷成正比,這幾種物質(zhì)都是離子晶體,離子半徑I->Br->Cl->F-,所以晶格能NaI<NaBr<NaCl<NaF,故A錯(cuò)誤;
B.金屬晶體熔沸點(diǎn)與半徑成反比,堿金屬元素原子半徑隨著原子序數(shù)增大而增大,所以其單質(zhì)熔沸點(diǎn)隨著原子序數(shù)增大而減小,故B錯(cuò)誤;
C.鍵長(zhǎng)越短鍵能越大,鍵長(zhǎng)C-C<C-Si<Si-Si,則鍵能C-C>C-Si>Si-Si,故C正確;
D.氫化物中熔沸點(diǎn)與其相對(duì)分子質(zhì)量成正比,但含有氫鍵的熔沸點(diǎn)較高,HF中含有氫鍵,熔沸點(diǎn)最高,所以熔沸點(diǎn)HCl<HBr<HI<HF,故D錯(cuò)誤;
故選C.
點(diǎn)評(píng) 本題考查熔沸點(diǎn)高低判斷,為高頻考點(diǎn),明確晶體類(lèi)型及晶體熔沸點(diǎn)影響因素是解本題關(guān)鍵,注意氫鍵影響氫化物熔沸點(diǎn),易錯(cuò)選項(xiàng)是D.
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:解答題
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
實(shí)驗(yàn)編號(hào) | 1 | 2 | 3 | 4 |
c(CH3COCH3)/mol•L-1 | 2.500 | 2.500 | 1.250 | 2.500 |
c(HCl)/mol•L-1 | 0.500 | 1.000 | 1.000 | 1.000 |
c(I2)/mol•L-1 | 0.010 | 0.010 | 0.010 | 0.020 |
v(I2)/10-6 mol•L-1•s-1 | 1.500 | 3.000 | 1.498 | 3.000 |
A. | I2的起始濃度越大,反應(yīng)速率越大 | |
B. | 該反應(yīng)中HCl是催化劑,c(HCl)的改變不會(huì)影響反應(yīng)速率 | |
C. | 實(shí)驗(yàn)2與實(shí)驗(yàn)4兩組實(shí)驗(yàn)的實(shí)驗(yàn)時(shí)間相等 | |
D. | v(I2)/[c(CH3COCH3)•c(HCl)]為常數(shù) |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:解答題
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 鉻、錳 | B. | 鉻、硅 | C. | 鉻、鎳 | D. | 鉻、碳 |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | BeF2分子中,中心原子Be的價(jià)層電子對(duì)數(shù)等于2,其空間排布為直線(xiàn),成鍵電子對(duì)數(shù)也等于2 | |
B. | BeF2分子的立體結(jié)構(gòu)為直線(xiàn)形 | |
C. | SF2分子中,中心原子S的價(jià)層電子對(duì)數(shù)等于4,其空間排布為四面體,成鍵電子對(duì)數(shù)等于2,沒(méi)有孤對(duì)電子 | |
D. | 在氣相中,BeF2是直線(xiàn)形而SF2是V形 |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:解答題
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 采用原煤脫硫技術(shù),可減少燃煤產(chǎn)生的SO2,從而有效降低酸雨的產(chǎn)生和危害 | |
B. | FeCl2、CuS、SO3、NO2都不能由單質(zhì)間直接化合得到 | |
C. | SO2既可以由硫的化合物氧化得到,又可以由硫的化合物還原得到 | |
D. | 硫?yàn)椴蝗苡谒,易溶于酒精和CS2的黃色粉末 |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:解答題
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