0  446011  446019  446025  446029  446035  446037  446041  446047  446049  446055  446061  446065  446067  446071  446077  446079  446085  446089  446091  446095  446097  446101  446103  446105  446106  446107  446109  446110  446111  446113  446115  446119  446121  446125  446127  446131  446137  446139  446145  446149  446151  446155  446161  446167  446169  446175  446179  446181  446187  446191  446197  446205  447090 

39.(上海市徐匯區(qū))如圖所示,一根粗細(xì)均勻、內(nèi)壁光滑的玻璃管豎直放置,玻璃管上端有一抽氣孔,管內(nèi)下部被活塞封住一定質(zhì)量的理想氣體,氣體溫度為T1,F(xiàn)將活塞上方的氣體緩慢抽出,當(dāng)活塞上方的壓強(qiáng)達(dá)到p0時(shí),活塞下方氣體的體積為V1,此時(shí)活塞上方玻璃管的容積為2.6 V1,活塞因重力而產(chǎn)生的壓強(qiáng)為0.5p0。繼續(xù)將活塞上方抽成真空后密封,整個(gè)抽氣過(guò)程中管內(nèi)氣體溫度始終保持不變,然后將密封的氣體緩慢加熱。求:

(1)活塞剛碰到玻璃管頂部時(shí)氣體的溫度T2;

(2)當(dāng)氣體溫度達(dá)到1.8T1時(shí)的壓強(qiáng)p

解析:(1)從活塞上方的壓強(qiáng)達(dá)到p0到活塞上方抽成真空的過(guò)程為等溫過(guò)程:

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38.(廣東省三校聯(lián)考)分子太小,不能直接觀察,我們可以通過(guò)墨水的擴(kuò)散現(xiàn)象來(lái)認(rèn)識(shí)分子的運(yùn)動(dòng),在下面所給出的四個(gè)研究實(shí)例中,采用的研究方法與上述研究分子運(yùn)動(dòng)的方法最相似的是            (  )

A. 利用磁感線去研究磁場(chǎng)      

B. 把電流類比為水流進(jìn)行研究

C. 通過(guò)電路中燈泡是否發(fā)光判斷電路中是否有電流

D. 研究加速度與合外力、質(zhì)量間的關(guān)系時(shí),先在質(zhì)量不變的條件下研究加速度與合外力的關(guān)系,然后再在合外力不變的條件下研究加速度與質(zhì)量的關(guān)系

答案:C

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37.(上海市盧灣區(qū))如圖所示,豎直放置的彎曲管ABCD,A管接一密閉球形容器,內(nèi)有一定質(zhì)量的氣體,B管開(kāi)口,水銀柱將兩部分氣體封閉,各管形成的液面高度差分別為h1、h2和h3.外界大氣壓強(qiáng)為H0(cmHg).后來(lái)在B管開(kāi)口端注入一些水銀,則                     (  )

A、注入水銀前A內(nèi)氣體的壓強(qiáng)為H0+ h1+ h3

B、注入水銀后h1增大h3減小,A管內(nèi)氣體的壓強(qiáng)可能不變

C、注入水銀后C、D管內(nèi)氣體的體積一定減小

D、注入水銀后液面高度差的變化量△h2>△h3

答案:ACD

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36.(北京市海淀區(qū))如圖所示,一光滑平行金屬軌道平面與水平面成θ角,兩導(dǎo)軌上端用一電阻R相連,該裝置處于勻強(qiáng)磁場(chǎng)中,磁場(chǎng)方向垂直軌道平面向上。質(zhì)量為m的金屬桿ab,以初速度v0從軌道底端向上滑行,滑行到某一高度h后又返回到底端。若運(yùn)動(dòng)過(guò)程中,金屬桿保持與導(dǎo)軌垂直且接觸良好,并不計(jì)金屬桿ab的電阻及空氣阻力,則(  )

A.上滑過(guò)程中安培力的沖量比下滑過(guò)程大

B.上滑過(guò)程通過(guò)電阻R的電量比下滑過(guò)程多

C.上滑過(guò)程通過(guò)電阻R產(chǎn)生的熱量比下滑過(guò)程多

D.上滑過(guò)程的時(shí)間比下滑過(guò)程長(zhǎng)

答案:C

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35.(廣東省陳經(jīng)綸中學(xué))如圖所示,質(zhì)量為 m 的活塞將一定質(zhì)量的氣體封閉在氣缸內(nèi),活塞與氣缸壁之間無(wú)摩擦,a 態(tài)是氣缸放在冰水混合物中 氣體達(dá)到的平衡狀態(tài),b 態(tài)是氣缸從容器中移出后,在室溫(27℃)中達(dá)到的平衡狀態(tài)。氣體從 a 態(tài)變化到 b 態(tài)的過(guò)程中大氣壓強(qiáng)保持不變。若忽略氣體分子之間的勢(shì)能,下列說(shuō)法中正確的 是                        (  )

A.與 b 態(tài)相比,a 態(tài)的氣體分子在單位時(shí)間內(nèi)撞擊活塞的個(gè)數(shù)較少

B.與 a 態(tài)相比,b 態(tài)的氣體分子在單位時(shí)間內(nèi)對(duì)活塞的沖量較大

C.在相同時(shí)間內(nèi),a、b 兩態(tài)的氣體分子對(duì)活塞的沖量相等

D.從 a 態(tài)到 b 態(tài),氣體的內(nèi)能增加,外界對(duì)氣體做功,氣體向外界釋放了熱量

答案:C

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34.(北京市豐臺(tái)區(qū))邊長(zhǎng)為L的正方形金屬框在水平恒力F作用下運(yùn)動(dòng),穿過(guò)方向如圖的有界勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域.磁場(chǎng)區(qū)域的寬度為d(d>L)。已知ab邊進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí),線框的加速度恰好為零.則線框進(jìn)入磁場(chǎng)的過(guò)程和從磁場(chǎng)另一側(cè)穿出的過(guò)程相比較,有        (  )

A.產(chǎn)生的感應(yīng)電流方向相反

B.所受的安培力方向相反

C.進(jìn)入磁場(chǎng)過(guò)程的時(shí)間等于穿出磁場(chǎng)過(guò)程的時(shí)間

D.進(jìn)入磁場(chǎng)過(guò)程的發(fā)熱量少于穿出磁場(chǎng)過(guò)程的發(fā)熱量

答案:C

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33.(2009屆廣東省新洲中學(xué)高三摸底考試試卷)下列衰變中,屬于α衰變的是    (  )

A.     B.

C.     D.

答案:C

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32.(北京市東城區(qū))如圖所示,一個(gè)下面裝有輪子的

貯氣瓶停放在光滑的水平地面上,左端與豎直墻壁接觸.

現(xiàn)打開(kāi)右端閥門K,氣體往外噴出,設(shè)噴口面積為S,

氣體密度為r ,氣體往外噴出的速度為v,則氣體剛噴出時(shí)鋼瓶左端對(duì)豎直墻的作用力大小是                                    (  )

A.rnS        B.   

C.      D.rn2S

答案:D

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31.(上海市寶山區(qū))下列說(shuō)法中正確的是                    (  )

A.溫度是分子平均動(dòng)能的標(biāo)志

B.物體的體積增大時(shí),分子勢(shì)能一定增大

C.分子間的引力和斥力都隨分子間距離的增大而減小

D.利用阿伏伽德羅常數(shù)和某種氣體的密度,就一定可以求出該種氣體的分子質(zhì)量

答案:AC

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30.(廣東省2008學(xué)年越秀區(qū)高三摸底調(diào)研測(cè)試)氫原子的核外電子,在由離核較遠(yuǎn)的可能軌道躍遷到離核較近的可能軌道的過(guò)程中,下列說(shuō)法中正確的是           (  )

A.電子運(yùn)動(dòng)的軌道半徑可以是任意數(shù)值

B.電子躍遷過(guò)程中要吸收光子

C.電子躍遷過(guò)程中電子的動(dòng)能增加了  

D.電子在軌道上繞核運(yùn)動(dòng)的向心力是萬(wàn)有引力提供的

答案:C

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