Question

7．C、N、O、Cu等是中學(xué)化學(xué)常見的元素，請(qǐng)回答下列問題：
（1）C、N、O三種元素的第一電離能由小到大的順序?yàn)镹＞O＞C．
（2）光氣分子（圖）中含有3個(gè)σ鍵，1個(gè)π鍵，該分子的空間結(jié)構(gòu)為平面三角形．
（3）下列微�；鶓B(tài)的電子排布中未成對(duì)電子數(shù)最多的是d（填序號(hào)）
a．N      b．Fe³⁺    c．Cu d．Cr
（4）某含氮配合物W的結(jié)構(gòu)如圖1所示（配位鍵未標(biāo)出方向），請(qǐng)?jiān)诮Y(jié)構(gòu)圖中用“→”標(biāo)出W中所有配位鍵的方向．

（5）N和Cu元素形成的化合物的晶胞結(jié)構(gòu)如圖2所示，則該化合物的化學(xué)式為Cu₃N．

Answer 1

分析 （1）同一周期元素中，元素的第一電離能隨著原子序數(shù)的增大而呈增大趨勢(shì)，但第VA族元素的第一電離能大于相鄰元素；
（2）根據(jù)共價(jià)單鍵為σ，共價(jià)雙鍵中一個(gè)是σ一個(gè)是π鍵，共價(jià)三鍵中一個(gè)是σ兩個(gè)是π鍵計(jì)算，根據(jù)價(jià)層電子對(duì)互斥理論確定中心原子的空間構(gòu)型；
（3）a．N原子中未成對(duì)電子是3個(gè)；
b．Fe³⁺中未成對(duì)電子是3個(gè)；
c．Cu原子中未成對(duì)電子是1個(gè)；
d．Cr原子中中未成對(duì)電子是5個(gè)；
（4）含有孤電子和含有空軌道的原子之間存在配位鍵，配位鍵由含有孤電子對(duì)的原子指向含有空軌道的原子；
（5）該晶胞中N原子個(gè)數(shù)=8×$\frac{1}{8}$=1，Cu原子個(gè)數(shù)=12×$\frac{1}{4}$=3，所以其化學(xué)式為Cu₃N．

解答 解：（1）同一周期元素中，元素的第一電離能隨著原子序數(shù)的增大而呈增大趨勢(shì)，但第VA族元素的第一電離能大于相鄰元素，所以C、N、O這幾種元素的第一電離能大小順序是：N＞O＞C，
故答案為：N＞O＞C；
（2）共價(jià)單鍵為σ，共價(jià)雙鍵中一個(gè)是σ一個(gè)是π鍵，共價(jià)三鍵中一個(gè)是σ兩個(gè)是π鍵，所以光氣分子中中含有3個(gè)σ鍵，1個(gè)π鍵；
分子，中心原子含有3個(gè)σ鍵且不含孤電子對(duì)，所以其空間構(gòu)型是平面三角形，
故答案為：3；1；平面三角形；
（3）a．N原子中未成對(duì)電子是3個(gè)；
b．Fe³⁺中未成對(duì)電子是3個(gè)；
c．Cu原子中未成對(duì)電子是1個(gè)；
d．Cr原子中中未成對(duì)電子是5個(gè)；
所以未成對(duì)電子個(gè)數(shù)最多的是Cr，故選d；
（4）含有孤電子和含有空軌道的原子之間存在配位鍵，配位鍵由含有孤電子對(duì)的原子指向含有空軌道的原子，該配合物中配位鍵為，
故答案為：；
（5）該晶胞中N原子個(gè)數(shù)=8×$\frac{1}{8}$=1，Cu原子個(gè)數(shù)=12×$\frac{1}{4}$=3，所以其化學(xué)式為Cu₃N．故答案為：Cu₃N．

點(diǎn)評(píng) 本題考查物質(zhì)結(jié)構(gòu)和性質(zhì)，側(cè)重考查學(xué)生計(jì)算、空間想象能力，涉及原子雜化方式判斷、配位鍵、原子核外電子排布等知識(shí)點(diǎn)，這些都是高頻考點(diǎn)，題目難度中等．