Question

【題目】已知A、B、C、D、E都是周期表中前四周期的元素，它們的原子序數(shù)依次增大。其中A元素原子的核外p電子數(shù)比s電子數(shù)少1。C是電負(fù)性最大的元素。D原子次外層電子數(shù)是最外層電子數(shù)2倍，E是第Ⅷ族中原子序數(shù)最小的元素。

（1）寫(xiě)出基態(tài)C原子的電子排布式_________________。

（2）A、B兩種元素的第一電離能由大到小的順序?yàn)?/span>______________(用元素符號(hào)表示)，原因是___________________。

（3）已知DC4常溫下為氣體，則該物質(zhì)的晶體類型是_________，組成微粒的中心原子的軌道雜化類型為____________，空間構(gòu)型是___________。

（4）Cu2＋容易與AH3形成配離子[Cu(AH3)4]2＋，但AC3不易與Cu2＋形成配離子，其原因是______________________。

（5）A、B兩元素分別與D形成的共價(jià)鍵中，極性較強(qiáng)的是__________。A、B兩元素間能形成多種二元化合物，其中與A3—互為等電子體的物質(zhì)的化學(xué)式為__________。

（6）已知E單質(zhì)的晶胞如圖所示，則晶體中E原子的配位數(shù)為__________，一個(gè)E的晶胞質(zhì)量為___________。

Answer 1

【答案】 1s22s22p5 N＞O N 原子的2p 能級(jí)處于較穩(wěn)定的半充滿狀態(tài) 分子晶體 sp3 正四面體形 由于電負(fù)性F＞N＞H，在NF3 分子中，共用電子對(duì)偏向F 原子，使得N 原子上的孤電子對(duì)難與Cu2＋形成配位鍵 Si-O 鍵 N2O 8 112/NA g

【解析】A元素原子的核外p電子數(shù)比s電子數(shù)少1,所以A的核外電子排布為：1s22s22p3,所以是氮元素,C是電負(fù)性最大的元素是氟元素,D原子次外層電子數(shù)是最外層電子數(shù)2倍,所以是硅元素,E是第Ⅷ族中原子序數(shù)最小的元素是鐵元素,而A、B、C、D、E都是周期表中前四周期的元素,它們的原子序數(shù)依次增大,所以元素B是氧元素，由此分析解答。

（1）氟的核電荷數(shù)為9，基態(tài)氟原子的電子排布式：1s22s22p5；正確答案：1s22s22p5。

（2）元素A為氮元素，元素B為氧元素，由于N原子的2p 能級(jí)處于較穩(wěn)定的半充滿狀態(tài)，第一電離能較大，所以氮元素、氧元素的第一電離能由大到小的順序?yàn)?/span>N＞O；正確答案：N＞O ；N 原子的2p 能級(jí)處于較穩(wěn)定的半充滿狀態(tài)。

(3)已知四氟化硅常溫下為氣體,所以四氟化硅是分子晶體, 中心原子硅含有價(jià)層電子對(duì)數(shù)=4+1/2×（4-4）=4，沒(méi)有孤電子對(duì)，屬于sp3 雜化,空間構(gòu)型是正四面體結(jié)構(gòu)；正確答案：分子晶體，sp3，正四面體形。

(4) 由于電負(fù)性F＞N＞H，在NF3分子中,共用電子對(duì)偏向F原子,使得N原子上孤電子對(duì)難與銅離子形成配位鍵,所以NF3不易與Cu2＋形成配離子；正確答案：由于電負(fù)性F＞N＞H，在NF3 分子中，共用電子對(duì)偏向F 原子，使得N 原子上的孤電子對(duì)難與Cu2＋形成配位鍵。

(5)因?yàn)镺元素的非金屬性大于N，則極性O-Si鍵大于N-Si鍵；等電子體中原子個(gè)數(shù)相等及電子總數(shù)相等, N3—中含有3個(gè)原子、電子總數(shù)是22,與該離子互為等電子體的氮氧化物為N2O；正確答案：Si-O 鍵；N2O。

(6)該晶胞是體心立方晶胞,所以鐵原子的配位數(shù)為8,該晶胞中Fe原子個(gè)數(shù)1+8×1/8=2,體心上的Fe原子被頂點(diǎn)上的8個(gè)原子包圍,所以其配合物是8,每個(gè)Fe原子的質(zhì)量=M/NAg,則該晶胞質(zhì)量就是兩個(gè)Fe原子質(zhì)量=2×56/NA=112/NA g；正確答案：8 ；112/NA g。