A. | 可表示單核10電子粒子基態(tài)時電子排布 | |
B. | 此圖錯誤,違背了泡利原理 | |
C. | 表示基態(tài)N原子的價電子排布 | |
D. | 表示處于激發(fā)態(tài)的B的電子排布圖 |
分析 A.符合泡利原理和洪特規(guī)則;
B.違背了洪特規(guī)則;
C.N原子的價電子數(shù)為5;
D.激發(fā)態(tài)的B原子的2p電子躍遷到3s軌道.
解答 解:A.符合泡利原理和洪特規(guī)則,表示單核10電子粒子基態(tài)時電子排布,故A正確;
B.根據(jù)洪特規(guī)則:在相同能量的軌道上,電子在排布的時候優(yōu)先進(jìn)入空軌道,每個軌道中的單電子取得相同自旋,則 違背了洪特規(guī)則,故B錯誤;
C.N原子的價電子數(shù)為5,其價電子排布圖為:,故C錯誤;
D.激發(fā)態(tài)的B原子的2p電子躍遷到3s軌道,2p的三個軌道能量相同,不是激發(fā)態(tài),故D錯誤.
故選A.
點(diǎn)評 本題考查了電子排布圖,注意把握泡利原理和洪特規(guī)則的內(nèi)容,題目難度中等.
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | 酸性強(qiáng)弱:H3PO4>H2SO4>HClO4 | B. | 原子半徑大。篠>Na>O | ||
C. | 堿性強(qiáng)弱:LiOH>NaOH>KOH | D. | 還原性強(qiáng)弱:I->Br->Cl- |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | 該反應(yīng)為放熱反應(yīng) | |
B. | 該反應(yīng)過程既有物質(zhì)變化,又有能量變化 | |
C. | 該反應(yīng)生成物的總能量高于反應(yīng)物的總能量 | |
D. | 該反應(yīng)每生成2molAB2吸收的熱量為(a-b)kJ |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:解答題
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:解答題
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:解答題
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | A2BC3 | B. | A4BC4 | C. | ABC4 | D. | A4B2C2 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:多選題
A. | 硅是構(gòu)成一些巖石和礦物的基本元素,單質(zhì)硅是良好的半導(dǎo)體材料 | |
B. | 水泥、玻璃、水晶飾物都硅酸鹽制品 | |
C. | 玻璃是氧化物,成分可表示為Na2O•CaO•6SiO2 | |
D. | 硅酸鈉的水溶液俗稱水玻璃,是制備硅膠和木材防火劑等的原料 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | H2O2既是氧化劑又是還原劑 | B. | H2O2是氧化劑 | ||
C. | O2既是氧化產(chǎn)物又是還原產(chǎn)物 | D. | 該反應(yīng)轉(zhuǎn)移4mole- |
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