分析 (1)Ga處于第四周期第ⅢA族,結(jié)合能量最低原理書寫核外電子排布式;
(2)雙分子Al2Cl6中Al原子形成4個(gè)σ鍵,沒有孤對(duì)電子,雜化軌道數(shù)目為4;
(3)B原子核外電子排布式為1s22s22p1;晶體硼熔點(diǎn)為2300℃,熔點(diǎn)很高,屬于原子晶體;
(4)①BBr3中硼原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)為3+$\frac{3-1×3}{2}$=3,沒有孤電子對(duì),所以分子空間構(gòu)型為平面三角形;PBr3中磷原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)為3+$\frac{5-1×3}{2}$=4,P原子有一對(duì)孤電子對(duì),所以分子空間構(gòu)型為三角錐形;
②由晶胞結(jié)構(gòu)可知,在BP晶胞中B的堆積方式為面心立方最密堆積;
③P原子與周圍的4個(gè)B原子最近且形成正四面體結(jié)構(gòu),二者連線處于體對(duì)角線上,磷化硼中硼原子和磷原子之間的最近距離為體對(duì)角線的$\frac{1}{4}$.
解答 解:(1)Ga處于第四周期第ⅢA族,根據(jù)能量最低原理,其核外電子排布式為:1s22s22p63s23p63d104s24p1,
故答案為:1s22s22p63s23p63d104s24p1;
(2)由雙分子Al2Cl6的結(jié)構(gòu)可知,分子中Al原子形成4個(gè)σ鍵,沒有孤對(duì)電子,雜化軌道數(shù)目為4,Al原子采取sp3雜化,
故答案為:sp3;
(3)B原子核外電子排布式為1s22s22p1,有3個(gè)不同的能級(jí),晶體硼熔點(diǎn)為2300℃,熔點(diǎn)很高,屬于原子晶體,
故答案為:3;原子;
(4)①BBr3中硼原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)為3+$\frac{3-1×3}{2}$=3,沒有孤電子對(duì),所以分子空間構(gòu)型為平面三角形,結(jié)構(gòu)式為;PBr3中磷原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)為3+$\frac{5-1×3}{2}$=4,P原子有一對(duì)孤電子對(duì),所以分子空間構(gòu)型為三角錐形,結(jié)構(gòu)式為:,
故答案為:;;
②由晶胞結(jié)構(gòu)可知,B原子處于晶胞頂點(diǎn)與面心,在BP晶胞中B的堆積方式為面心立方最密堆積,
故答案為:面心立方最密堆積;
③P原子與周圍的4個(gè)B原子最近且形成正四面體結(jié)構(gòu),二者連線處于體對(duì)角線上,為體對(duì)角線的$\frac{1}{4}$,立方體的每條邊長為a pm,則晶胞體對(duì)角線長為$\sqrt{3}$a pm,則P原子與B原子最近距離為$\sqrt{3}$a pm×$\frac{1}{4}$=$\frac{\sqrt{3}a}{4}$pm,
故答案為:$\frac{\sqrt{3}a}{4}$pm.
點(diǎn)評(píng) 本題是對(duì)物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的考查,涉及核外電子排布、雜化方式判斷、分子結(jié)構(gòu)、晶胞結(jié)構(gòu)與計(jì)算等,(4)中晶胞中原子距離計(jì)算為易錯(cuò)點(diǎn)、難點(diǎn),需要學(xué)生具備一定的空間想象與數(shù)學(xué)計(jì)算能力,難度中等.
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | ①②④⑥ | B. | ①②③⑤ | C. | ①③⑤⑥ | D. | ③④⑤⑥ |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | 化合反應(yīng)一定是氧化還原反應(yīng) | B. | 非金屬氧化物一定是酸性氧化物 | ||
C. | 金屬氧化物一定是堿性氧化物 | D. | 堿性氧化物一定是金屬氧化物 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | Ⅰ是原電池,Ⅱ是電鍍裝置 | |
B. | Ⅰ、Ⅱ裝置中鋅極上均發(fā)生氧化反應(yīng) | |
C. | Ⅱ、Ⅲ裝置中,銅極均發(fā)生氧化反應(yīng)而溶解 | |
D. | Ⅱ、Ⅲ裝置中Cu2+濃度基本不變 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:填空題
陽離子 | Ag+ Na+ |
陰離子 | NO3- SO42- Cl- |
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