如圖所示.x軸上方有一勻強(qiáng)磁場.磁感應(yīng)強(qiáng)度的方向垂直于紙面向里.大小為B.x軸下方有一勻強(qiáng)電場.電場強(qiáng)度的大小為E.方向與y軸的夾角θ為45°且斜向上方.現(xiàn)有一質(zhì)量為m.電荷量為q的正離子.以速度v由y軸上的A點(diǎn)沿y軸正方向射入磁場.A點(diǎn)坐標(biāo)(0.).該離子在磁場中運(yùn)動一段時間后從x軸上的C點(diǎn)進(jìn)入電場區(qū)域.不計離子的重力.設(shè)磁場區(qū)域和電場區(qū)域足夠大.求:(1)C點(diǎn)的坐標(biāo),(2)離子從A點(diǎn)出發(fā)到第三次穿越x軸時的運(yùn)動時間. 查看更多

 

題目列表(包括答案和解析)

如圖所示,x軸上方有一勻強(qiáng)磁場,磁感應(yīng)強(qiáng)度的方向垂直于紙面向里、大小為B,x軸下方有一勻強(qiáng)電場,電場強(qiáng)度的大小為E,方向與y軸的夾角θ=45°且斜向上方.現(xiàn)有一質(zhì)量為m、電荷量為q的正離子,以速度v0由y軸上的A點(diǎn)沿y軸正方向射入磁場,該離子在磁場中運(yùn)動一段時間后從x軸上的C點(diǎn)進(jìn)入電場區(qū)域,該離子經(jīng)過C點(diǎn)時的速度方向與x軸夾角為
45°.不計離子的重力,設(shè)磁場區(qū)域和電場區(qū)域足夠大.
求:
(1)C點(diǎn)的坐標(biāo).
(2)離子從A點(diǎn)出發(fā)到第三次穿越x軸時的運(yùn)動時間.

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如圖所示,x軸上方有一勻強(qiáng)磁場,磁感應(yīng)強(qiáng)度為B,磁場方向垂直于紙面向里.x軸下方有一勻強(qiáng)電場,電場強(qiáng)度為E、方向與y軸的夾角θ=45°斜向上方.現(xiàn)有一質(zhì)量為m、帶電量為q的正離子,以速度v0由y軸上的A點(diǎn)沿y軸正方向射入磁場,該離子在磁場中運(yùn)動一段時間后從x軸上的C點(diǎn)(圖中未畫出)進(jìn)入電場區(qū)域,離子經(jīng)C點(diǎn)時的速度方向與電場方向相反.設(shè)磁場和電場區(qū)域均足夠大,不計離子的重力,求:
(1)離子從A點(diǎn)出發(fā)到第三次穿過x軸上的D(圖中未畫出)與坐標(biāo)原點(diǎn)O的距離;
(2)離子從A點(diǎn)出發(fā)到第三次穿越x軸時的運(yùn)動時間;
(3)離子第四次穿越x軸時速度的大小及速度方向與電場方向的夾角.并大致畫出離子前四次穿越x軸在磁場和電場區(qū)域中的運(yùn)動軌跡.

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如圖所示,x軸上方有一勻強(qiáng)磁場,磁感應(yīng)強(qiáng)度的方向垂直于紙面向里,大小為B,x軸下方有一勻強(qiáng)電場,電場強(qiáng)度的大小為E,方向與y軸的夾角θ為450且斜向上方,F(xiàn)有一質(zhì)量為m電量為q的正離子,以速度v0y軸上的A點(diǎn)沿y軸正方向射入磁場,該離子在磁場中運(yùn)動一段時間后從x軸上的C點(diǎn)(圖中未畫出)進(jìn)入電場區(qū)域,該離子經(jīng)C點(diǎn)時的速度方向與x軸夾角為450。不計離子的重力,設(shè)磁場區(qū)域和電場區(qū)域足夠大。求:

(1)C點(diǎn)的坐標(biāo);

(2)離子從A點(diǎn)出發(fā)到第三次穿越x軸時的運(yùn)動時間;

(3)離子第四次穿越x軸時速度的大小及速度方向與電場方向的夾角。

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如圖所示,x軸上方有一勻強(qiáng)磁場,方向垂直于紙面向里,磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B,x軸下方有一勻強(qiáng)電場,電場強(qiáng)度大小為E,方向斜向上方,且與y軸夾角θ為45°,F(xiàn)有一質(zhì)量為m、電量為q的正離子,以速度v0由y軸上的A點(diǎn)沿y軸正方向射入磁場,該離子在磁場中運(yùn)動一段時間后從x軸上的C點(diǎn)進(jìn)入電場區(qū)域,經(jīng)過C點(diǎn)時的速度方向與x軸夾角為45°。不計離子的重力,設(shè)磁場區(qū)域和電場區(qū)域足夠大。 求:

    (1)C點(diǎn)的坐標(biāo);

    (2)離子從A點(diǎn)出發(fā)到第三次穿越x軸的運(yùn)動時間。

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如圖所示,x軸上方有一勻強(qiáng)磁場,磁感應(yīng)強(qiáng)度的方向垂直于紙面向里,大小為B,x軸下方有一勻強(qiáng)電場,電場強(qiáng)度的大小為E,方向與y軸的夾角θ為450且斜向上方. 現(xiàn)有一質(zhì)量為m電量為q的正離子,以速度v0y軸上的A點(diǎn)沿y軸正方向射入磁場,該離子在磁場中運(yùn)動一段時間后從x軸上的C點(diǎn)(圖中未畫出)進(jìn)入電場區(qū)域,該離子經(jīng)C點(diǎn)時的速度方向與x軸夾角為450. 不計離子的重力,設(shè)磁場區(qū)域和電場區(qū)域足夠大.求:

(1)C點(diǎn)的坐標(biāo);

(2)離子從A點(diǎn)出發(fā)到第三次穿越x軸時的運(yùn)動時間;

(3)離子第四次穿越x軸時速度的大小及速度方向與電場方向的夾角.

 

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1.C 2.D 3.B 4.A 5.D 6.B 7.A 8.A 9.B 10.A 11.A 12.D 13.D

14.C 15.AC 16.C 17.AC 18.B 19.BD 20.D 21.C

22.(1)①19.40 (3分)

②擺長測量值比真實(shí)值大(或擺線長加小球直徑) (3分)

③9.86 (3分)

(2)①如圖甲(或圖乙所示) (5分)

②對甲圖,Rx=U1r1r2/(U2r1-U1r2)(或?qū)σ覉D,Rx=(U2-U1)r1/U1) (4分)

以上任一種都可以得分

23.(15分)解:設(shè)摩托車加速時間為t1,摩托車的最大速度vm

vmt1+vm(t-t1)=1000+vt、佟(6分)

t1=40/3 s (3分)

vm=at1、凇(3分)

解得:a=2.25 m/s2. (3分)

24.(19分)解:(1)因?yàn)閙<M<2m,所以開始時彈簧處于伸長狀態(tài),其伸長量x1,則

(2m-M)g=kx1 (2分)

得x1=g (1分)

若將B與C間的輕線剪斷,A將下降B將上升,當(dāng)它們的加速度為零時A的速度最大,此時彈簧處于壓縮狀態(tài),其壓縮量x2

(M-m)g=kx2 (2分)

得x2=g (1分)

所以,A下降的距離x1+x2=時速度最大. (1分)

(2)A、B、C三物塊組成的系統(tǒng)機(jī)械能守恒,設(shè)B與C、C與地面的距離均為L,A上升L時,A的速度達(dá)到最大,設(shè)為v,則有:2mgL-MgL=(M+2m)v2 (4分)

當(dāng)C著地后,A、B兩物塊系統(tǒng)機(jī)械能守恒.

若B恰能與C相碰,即B物塊再下降L時速度為零,此時A物塊速度也為零.

有:MgL-mgL=(M+m)v2 (4分)

整理后得:M=m (3分)

由題意可知,當(dāng)M>m時,B物塊將不會與C相碰. (1分)

25.(20分)解:(1)磁場中帶電粒子在洛倫茲力作用下做圓周運(yùn)動,故有

qvB=m、佟(2分)

粒子運(yùn)動軌跡如圖所示,由幾何知識知,

設(shè)粒子進(jìn)入電場與x軸的夾角為?則由幾何關(guān)系可得rcos ?=OA

?=45° (2分)

xC=-(r+rcos 45°)=-、凇(2分)

故,C點(diǎn)坐標(biāo)為(-,0) ③ (1分)

(2)設(shè)粒子從A到C的時間為t1,由題意知

T== ④ (2分)

t1=T=、荨(2分)

設(shè)粒子從進(jìn)入電場到返回C的時間為t2,其在電場中做勻變速運(yùn)動,由牛頓第二定律和運(yùn)動學(xué)知識,有

qE=ma、蕖(1分)

及2v0=at2、摺(1分)

聯(lián)立⑥⑦解得 t2=、(2分)

設(shè)粒子再次進(jìn)入磁場后在磁場中運(yùn)動的時間為t3,由題意知

t3=T= ⑨ (3分)

故而,設(shè)粒子從A點(diǎn)到第三次穿越x軸的時間為

t=t1+t2+t3=+.、狻(2分)

26.(16分)(1)④和⑦(2分);①③⑦(2分)

(2)⑥(2分)

(3)8-n(2分);23種(2分);1種(2分);七和ⅤⅢA族(答對其中1個得2分共4分)

27.(14分)(1)Al2O3(2分)

(2)AlO+CO2+2H2O===Al(OH)3↓+HCO(2分);

4Fe(OH)2+2H2O+O2===4Fe(OH)3(2分)

(3)Fe3+3H2O??Fe(OH)3+3H(或?qū)懟瘜W(xué)方程式)(2分)

(4)NH4NO3、NaNO3(2分);0.012 mol、0.028 mol(各2分共4分,注意與前空的對應(yīng))

28.(16分,每空2分)

(1)C2H6O

(2)CH2OH

(3)①abcd

②2CH3CH2OH+O2Cu△2CH3CHO+2H2O

③CHCH2CHOOH

④ CHCH―COOH+CH3CH2OH濃硫酸△CHCH―COOCH2CH3

+H2O

(4)CH2CH2OCOH;CHCH3OCHO

29.(14分)

(1)飽和食鹽水(2分)

(2)除去乙炔氣體中混有的H2S、PH3、AsH3等雜質(zhì)(2分)

(3)1;2;3;1;2;2;4(2分)

(4) (2分)

(5)B(2分)

(6)主要有如下兩個要點(diǎn):

a)在E裝置后面再接一個盛有堿石灰的干燥管(2分)

b)操作上的改進(jìn):向D中通入過量的乙炔,直至酸性KMnO4溶液完全褪色,再測量D及E裝置總質(zhì)量的增加(2分)

30.(22分)

Ⅰ.(10分)

(1)鈣在體內(nèi)形成穩(wěn)定化合物,不能被再利用,而土壤又缺鈣,致使新葉受害。(2分)(評分說明:少回答一個原因,只給1分)

(2)吸水減少(2分) 礦質(zhì)元素的吸收和利用(2分)

(3)溫度(1分) 呼吸作用(1分) 主動運(yùn)輸(1分) 蒸騰作用(1分)

Ⅱ.(12分,每空2分)

(1)③取癌細(xì)胞質(zhì)和肝細(xì)胞核、莸攘俊、薹謩e觀察A、B瓶中的細(xì)胞形態(tài)變化情況

(2)①若A瓶中的細(xì)胞形態(tài)發(fā)生明顯變化,B瓶中的細(xì)胞形態(tài)沒有變化,則調(diào)控基因存在于細(xì)胞核中

②若B瓶中的細(xì)胞形態(tài)發(fā)生明顯變化,A瓶中的細(xì)胞形態(tài)沒有變化,則調(diào)控基因存在于細(xì)胞質(zhì)中

③若A、B兩瓶中的細(xì)胞形態(tài)均發(fā)生明顯變化,則調(diào)控基因可能同時存在于細(xì)胞核和細(xì)胞質(zhì)中

31.(20分)

Ⅰ.(8分)

(1)分裂生殖(或無性生殖)(1分) 寄生(1分)

(2)異養(yǎng)(1分) 無成形的細(xì)胞核(1分)

(3)氨基酸(2分) 游離的四種脫氧核苷酸(2分)

Ⅱ.(12分,每空2分)

①高莖、抗病

②丙

③DdTt、ddTt ddTT和ddTt 1∶2 多代自交(或單株種植或連續(xù)自交)

 

 


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