(3)若小環(huán)與PQ間動摩擦因數(shù)為.且>0．5(設(shè)最大靜摩擦力與滑動摩擦力大小相等).現(xiàn)將小環(huán)移至M點右側(cè)6R處由靜止開始釋放.求小環(huán)在整個運動過程中克服摩擦力所做的功． 【查看更多】

 

題目列表(包括答案和解析)

如圖所示的豎直平面內(nèi)有范圍足夠大、水平向左的勻強電場，在虛線的左側(cè)有垂直紙面向里的勻強磁場，磁感應(yīng)強度大小為B，一絕緣軌道由兩段直桿和一半徑為R的半圓環(huán)組成，固定在紙面所在的豎直平面內(nèi)，PQ、MN水平且足夠長，半圓環(huán)MAP在磁場邊界左側(cè)，P、M點在磁場邊界線上，NMAP段光滑，PQ段粗糙．現(xiàn)有一質(zhì)量為m、帶電荷量為＋q的小環(huán)套在MN桿上，它所受到的電場力為重力的1/2.現(xiàn)將小環(huán)從M點右側(cè)的D點由靜止釋放，小環(huán)剛好能到達P點．

(1)求D、M間距離x0；

(2)求上述過程中小環(huán)第一次通過與O等高的A點時半圓環(huán)對小環(huán)作用力的大��；

(3)若小環(huán)與PQ間動摩擦因數(shù)為μ(設(shè)最大靜摩擦力與滑動摩擦力大小相等)，現(xiàn)將小環(huán)移至M點右側(cè)5R處由靜止釋放，求小環(huán)在整個運動過程中克服摩擦力所做的功．

 

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如圖所示的豎直平面內(nèi)有范圍足夠大、水平向左的勻強電場，在虛線的左側(cè)有垂直紙面向里的勻強磁場，磁感應(yīng)強度大小為B.一絕緣形彎桿由兩段直桿和一半徑為R的半圓環(huán)組成，固定在紙面所在的豎直平面內(nèi)．PQ、MN水平且足夠長，半圓環(huán)MAP在磁場邊界左側(cè)，P、M點在磁場邊界線上，NMAP段是光滑的.現(xiàn)有一質(zhì)量為m、帶電+q的小環(huán)套在MN桿上，它所受電場力為重力的倍.現(xiàn)在M右側(cè)D點由靜止釋放小環(huán)，小環(huán)剛好能到達P點.

(1)求DM間距離x0；

(2)求上述過程中小環(huán)第一次通過與O等高的A點時彎桿對小環(huán)作用力的大��；

(3)若小環(huán)與PQ間動摩擦因數(shù)為μ(設(shè)最大靜摩擦力與滑動摩擦力大小相等),現(xiàn)將小環(huán)移至M點右側(cè)4R處由靜止開始釋放，求小環(huán)在整個運動過程中克服摩擦力所做的功．

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精英家教網(wǎng)如圖所示，豎直平面內(nèi)有范圍足夠大、水平向左的勻強電場，在虛線左側(cè)有垂直紙面向里水平的勻強磁場，磁場的磁感強度大小為B．一粗細均勻的絕緣軌道由兩段水平且足夠長的直桿PQ、MN和一半徑為R的半圓環(huán)MAP組成，固定在豎直平面內(nèi)，半圓環(huán)與兩直桿的切點P、M恰好在磁場邊界線上，軌道的NMAP段光滑，PQ段粗糙，現(xiàn)有一質(zhì)量為m、帶電荷量為+q的絕緣塑料小環(huán)套在桿MN上（環(huán)的內(nèi)直徑比桿的直徑稍大），將小環(huán)從M點右側(cè)距離x0=4R的D點由靜止釋放，小環(huán)剛好能到達P點．試求：
（1）小環(huán)所受電場力的大�。�
（2）上述過程中小環(huán)第一次通過與O點等高的A點時半圓環(huán)對小環(huán)作用力的大�。�
（3）若小環(huán)與PQ間動摩擦因數(shù)為μ （設(shè)最大靜摩擦力與滑動摩擦力大小相等），現(xiàn)將小環(huán)移至M點右側(cè)6R處由靜止釋放，求小環(huán)在整個運動過程中產(chǎn)生的熱量．

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如圖所示，在豎直平面內(nèi)有范圍足夠大、水平向左的勻強電場．一絕緣U形彎桿由兩段直桿和一半徑為R的半圓環(huán)MAP組成，固定在紙面所在的豎直平面內(nèi)．PQ、MN水平且足夠精英家教網(wǎng)長，NMAP段是光滑的．現(xiàn)有一質(zhì)量為m、帶電量為+q的小環(huán)套在MN桿上，它所受電場力為重力的
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（重力加速度為g）．現(xiàn)在M右側(cè)D點由靜止釋放小環(huán)，小環(huán)剛好能到達P點．
（1）求D、M間的距離X0；
（2）求上述過程中小環(huán)第一次通過與O等高的A點時彎桿對小環(huán)作用力的大��；
（3）若小環(huán)與PQ間動摩擦因數(shù)為μ（設(shè)最大靜摩擦力與動摩擦力大小相等且大于電場力），現(xiàn)將小環(huán)移至M點右側(cè)4R處由靜止開始釋放，求小環(huán)在運動過程中克服摩擦力多做的功．

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（2008?濱州二模）如圖所示的豎直平面內(nèi)有范圍足夠大、水平向左的勻強電場，在虛線的左側(cè)有垂直紙面向里的勻強磁場，磁感強度大小為B，一絕緣軌道由兩段直桿和一半徑為R的半圓環(huán)組成，固定在紙面所在的豎直平面內(nèi)，PQ、MN水平且足夠長，半圓環(huán)MAP在磁場邊界左側(cè)，P、M點在磁場邊界線上，NMAP段光滑，PQ段粗糙．現(xiàn)在有一質(zhì)量為m、帶電荷量為+q的小環(huán)套在MN桿上，它所受電場力為重力的
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倍．現(xiàn)將小環(huán)從M點右側(cè)的D點由靜止釋放，小環(huán)剛好能到達P點．
（1）求DM間距離x0；
（2）求上述過程中小環(huán)第一次通過與O等高的A點時半圓環(huán)對小環(huán)作用力的大��；
（3）若小環(huán)與PQ間動摩擦因數(shù)為μ（設(shè)最大靜摩擦力與滑動摩擦力大小相等），現(xiàn)將小環(huán)移至M點右側(cè)4R處由靜止開始釋放，求小環(huán)在整個運動過程中克服摩擦力所做的功．

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