A、在導(dǎo)體的前表面聚集自由電子,電子定向移動(dòng)的速率v=
| ||
B、在導(dǎo)體的上表面聚集自由電子,電子定向移動(dòng)的速率v=
| ||
C、在其它條件不變的情況下,增大ad的長(zhǎng)度,可增大霍爾電壓 | ||
D、每立方米的自由電子數(shù)為n=2.8×1029個(gè) |
U |
ab |
U | ||
B
|
1.0×10-5 |
1.5×0.01 |
2 |
3 |
U |
ab |
I |
eSv |
3 | ||||||
1.6×10-19×
|
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科目:高中物理 來源: 題型:閱讀理解
IB | d |
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科目:高中物理 來源:2012-2013學(xué)年福建省三明一中、二中高二上學(xué)期期末聯(lián)考物理試卷(帶解析) 題型:單選題
霍爾效應(yīng)廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體材料的測(cè)試和研究中,例如應(yīng)用霍爾效應(yīng)測(cè)試半導(dǎo)體是電子型還是空穴型,研究半導(dǎo)體內(nèi)載流子濃度的變化等。在霍爾效應(yīng)實(shí)驗(yàn)中,如圖所示,寬為cm,長(zhǎng)為4cm,厚為cm的導(dǎo)體,沿方向通有3A的電流,當(dāng)磁感應(yīng)強(qiáng)度的勻強(qiáng)磁場(chǎng)垂直向里穿過平面時(shí),產(chǎn)生了V的霍爾電壓,(已知導(dǎo)體內(nèi)定向移動(dòng)的自由電荷是電子),則下列說法正確的是
A.在導(dǎo)體的前表面聚集自由電子,電子定向移動(dòng)的速率 |
B.在導(dǎo)體的上表面聚集自由電子,電子定向移動(dòng)的速率 |
C.在其它條件不變的情況下,增大的長(zhǎng)度,可增大霍爾電壓 |
D.每立方米的自由電子數(shù)為個(gè) |
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科目:高中物理 來源:2014屆福建省、二中高二上學(xué)期期末考物理試卷(解析版) 題型:選擇題
霍爾效應(yīng)廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體材料的測(cè)試和研究中,例如應(yīng)用霍爾效應(yīng)測(cè)試半導(dǎo)體是電子型還是空穴型,研究半導(dǎo)體內(nèi)載流子濃度的變化等。在霍爾效應(yīng)實(shí)驗(yàn)中,如圖所示,寬為cm,長(zhǎng)為4cm,厚為cm的導(dǎo)體,沿方向通有3A的電流,當(dāng)磁感應(yīng)強(qiáng)度的勻強(qiáng)磁場(chǎng)垂直向里穿過平面時(shí),產(chǎn)生了V的霍爾電壓,(已知導(dǎo)體內(nèi)定向移動(dòng)的自由電荷是電子),則下列說法正確的是
A.在導(dǎo)體的前表面聚集自由電子,電子定向移動(dòng)的速率
B.在導(dǎo)體的上表面聚集自由電子,電子定向移動(dòng)的速率
C.在其它條件不變的情況下,增大的長(zhǎng)度,可增大霍爾電壓
D.每立方米的自由電子數(shù)為個(gè)
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科目:高中物理 來源: 題型:
霍爾效應(yīng)廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體材料的測(cè)試和研究中,例如應(yīng)用霍爾效應(yīng)測(cè)試半導(dǎo)體是電子型還是空穴型,研究半導(dǎo)體內(nèi)載流子濃度的變化等。在霍爾效應(yīng)實(shí)驗(yàn)中,如圖所示,寬為cm,長(zhǎng)為4cm,厚為cm的導(dǎo)體,沿方向通有3A的電流,當(dāng)磁感應(yīng)強(qiáng)度的勻強(qiáng)磁場(chǎng)垂直向里穿過平面時(shí),產(chǎn)生了V的霍爾電壓,(已知導(dǎo)體內(nèi)定向移動(dòng)的自由電荷是電子),則下列說法正確的是
A.在導(dǎo)體的前表面聚集自由電子,電子定向移動(dòng)的速率
B.在導(dǎo)體的上表面聚集自由電子,電子定向移動(dòng)的速率
C.在其它條件不變的情況下,增大的長(zhǎng)度,可增大霍爾電壓
D.每立方米的自由電子數(shù)為個(gè)
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