霍爾效應(yīng)廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體材料的測(cè)試和研究中,例如應(yīng)用霍爾效應(yīng)測(cè)試半導(dǎo)體是電子型還是空穴型,研究半導(dǎo)體內(nèi)載流子濃度的變化等。在霍爾效應(yīng)實(shí)驗(yàn)中,如圖所示,寬為cm,長(zhǎng)為4cm,厚為cm的導(dǎo)體,沿方向通有3A的電流,當(dāng)磁感應(yīng)強(qiáng)度的勻強(qiáng)磁場(chǎng)垂直向里穿過(guò)平面時(shí),產(chǎn)生了V的霍爾電壓,(已知導(dǎo)體內(nèi)定向移動(dòng)的自由電荷是電子),則下列說(shuō)法正確的是
A.在導(dǎo)體的前表面聚集自由電子,電子定向移動(dòng)的速率
B.在導(dǎo)體的上表面聚集自由電子,電子定向移動(dòng)的速率
C.在其它條件不變的情況下,增大的長(zhǎng)度,可增大霍爾電壓
D.每立方米的自由電子數(shù)為個(gè)
D
【解析】
試題分析:已知導(dǎo)體內(nèi)定向移動(dòng)的自由電荷是電子,電流方向向右,所以電子定向移動(dòng)方向向左,由左手定則可知電子所受洛倫茲力方向向上,上表面聚集自由電子,由E=U/d可知場(chǎng)強(qiáng)大小為,由qE=qvB可知電子定向移動(dòng)的速率,AB均錯(cuò);只有增大ab的長(zhǎng)度時(shí)才能增大霍爾電壓,由電流的微觀表達(dá)可知,所以每立方米的自由電子數(shù)為個(gè)
考點(diǎn):考查霍爾效應(yīng)
點(diǎn)評(píng):難度中等,明確霍爾效應(yīng)還是考查帶電粒子在復(fù)合場(chǎng)中的運(yùn)動(dòng),當(dāng)電場(chǎng)力等于洛倫茲力時(shí)粒子勻速穿過(guò),此種類型題還綜合考查了歐姆定律、受力分析、U=Ed的問(wèn)題
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:閱讀理解
IB | d |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:
A、在導(dǎo)體的前表面聚集自由電子,電子定向移動(dòng)的速率v=
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B、在導(dǎo)體的上表面聚集自由電子,電子定向移動(dòng)的速率v=
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C、在其它條件不變的情況下,增大ad的長(zhǎng)度,可增大霍爾電壓 | ||
D、每立方米的自由電子數(shù)為n=2.8×1029個(gè) |
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科目:高中物理 來(lái)源:2012-2013學(xué)年福建省三明一中、二中高二上學(xué)期期末聯(lián)考物理試卷(帶解析) 題型:單選題
霍爾效應(yīng)廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體材料的測(cè)試和研究中,例如應(yīng)用霍爾效應(yīng)測(cè)試半導(dǎo)體是電子型還是空穴型,研究半導(dǎo)體內(nèi)載流子濃度的變化等。在霍爾效應(yīng)實(shí)驗(yàn)中,如圖所示,寬為cm,長(zhǎng)為4cm,厚為cm的導(dǎo)體,沿方向通有3A的電流,當(dāng)磁感應(yīng)強(qiáng)度的勻強(qiáng)磁場(chǎng)垂直向里穿過(guò)平面時(shí),產(chǎn)生了V的霍爾電壓,(已知導(dǎo)體內(nèi)定向移動(dòng)的自由電荷是電子),則下列說(shuō)法正確的是
A.在導(dǎo)體的前表面聚集自由電子,電子定向移動(dòng)的速率 |
B.在導(dǎo)體的上表面聚集自由電子,電子定向移動(dòng)的速率 |
C.在其它條件不變的情況下,增大的長(zhǎng)度,可增大霍爾電壓 |
D.每立方米的自由電子數(shù)為個(gè) |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:
霍爾效應(yīng)廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體材料的測(cè)試和研究中,例如應(yīng)用霍爾效應(yīng)測(cè)試半導(dǎo)體是電子型還是空穴型,研究半導(dǎo)體內(nèi)載流子濃度的變化等。在霍爾效應(yīng)實(shí)驗(yàn)中,如圖所示,寬為cm,長(zhǎng)為4cm,厚為cm的導(dǎo)體,沿方向通有3A的電流,當(dāng)磁感應(yīng)強(qiáng)度的勻強(qiáng)磁場(chǎng)垂直向里穿過(guò)平面時(shí),產(chǎn)生了V的霍爾電壓,(已知導(dǎo)體內(nèi)定向移動(dòng)的自由電荷是電子),則下列說(shuō)法正確的是
A.在導(dǎo)體的前表面聚集自由電子,電子定向移動(dòng)的速率
B.在導(dǎo)體的上表面聚集自由電子,電子定向移動(dòng)的速率
C.在其它條件不變的情況下,增大的長(zhǎng)度,可增大霍爾電壓
D.每立方米的自由電子數(shù)為個(gè)
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