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【題目】如圖所示,一定質量的理想氣體從狀態(tài)A依次經過狀態(tài)B、CD后再回到狀態(tài)A。 其中,為等溫過程,為絕熱過程(氣體與外界無熱量交換)。 這就是著名的卡諾循環(huán)。該循環(huán)過程中,下列說法正確的是_______。

A. 過程中,外界對氣體做功

B. 過程中,氣體分子的平均動能增大

C. 過程中,單位時間內碰撞單位面積器壁的分子數增多

D. 過程中,氣體分子的速率分布曲線不發(fā)生變化

【答案】C

【解析】A→B過程中,體積增大,氣體對外界做功,故A錯誤;B→C過程中,絕熱膨脹,氣體對外做功,溫度降低,氣體分子的平均動能減小,故B錯誤;C→D過程中,等溫壓縮,體積變小,分子數密度變大,單位時間內碰撞單位面積器壁的分子數增多,C正確;D→A過程中,絕熱壓縮,外界對氣體做功,溫度升高,分子平均動能增大,氣體分子的速率分布曲線發(fā)生變化,故D錯誤;故選C。

練習冊系列答案
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科目:高中物理 來源: 題型:

【題目】一單擺懸于O點,擺長(擺線長+球半徑)為L,若在O點的豎直線上的O1點釘一個釘子,使OO1=,將單擺置于豎直位置,小球的質量為m,擺線的質量不計,一質量為m0的子彈以v0的速度射入小球并停在其中,作用時間為極短且不等于零。而后在豎直方向擺動,擺角小于5°.

求:(1)此擺的周期.

(2)子彈射入小球的過程所受到平均阻力的大小.

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科目:高中物理 來源: 題型:

【題目】將三個不同的斜面如圖所示放置,其中斜面12底邊相同,斜面23高度相同,同一物體與三個斜面間的動摩擦因數均相同,在物體分別沿三個斜面從頂端由靜止下滑到底端的過程中,下列說法正確的是:( )

A. 三種情況下物體損失的機械能ΔE3E2E1 B. 三種情況下摩擦產生的熱量Q1=Q2<Q3

C. 到達底端的速度v1>v2=v3 D. 到達底端的速度v1>v2>v3

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【題目】如圖所示,N=50匝的矩形線圈abcd,ab邊長l1=20 cm,ad邊長l2=25 cm,放在磁感應強度B=0.4 T的勻強磁場中,外力使線圈繞垂直于磁感線且通過線圈中線的OO軸以ω=2πn=100π rad/s角速度勻速轉動,線圈電阻r=1 Ω,外電路電阻R=9 Ω,t=0時線圈平面與磁感線平行,ab邊正轉出紙外、cd邊轉入紙里.求:

1t=0時感應電流的方向;

2感應電動勢的瞬時值表達式;

3從圖示位置轉過90°的過程中流過電阻R的電荷量.

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科目:高中物理 來源: 題型:

【題目】交流發(fā)電機和理想變壓器如圖連接,燈泡額定電壓為U0,燈泡與電阻R的阻值均為R。當該發(fā)動機以轉速n勻速轉動時,電壓表示數為U,燈泡恰能正常發(fā)光,設電表均為理想電表,圖示位置時磁場恰與線圈平面垂直,則

A. 變壓器原副線圈匝數比為2U0:U

B. 電流表的示數為

C. 在圖示位置時,發(fā)電機輸出電壓的瞬時值恰為零

D. 從圖示位置開始計時,變壓器輸入電壓的瞬時值表達式e=Usin2nt

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科目:高中物理 來源: 題型:

【題目】有一邊長為L,電阻為R,質量為m的正方形金屬線圈abcd平方在粗糙水平傳送帶上,被電動機帶動一起以速度v勻速穿過一寬度為2L,磁感應強度為B的磁場,下列說法正確的是

A. 線圈進入磁場時有沿abcda方向的感應電流

B. 線圈經過磁場區(qū)域的過程中始終受到水平向左的靜摩擦力作用

C. 線圈進入磁場的過程中流過某一線圈導線截面的電荷量為

D. 線圈穿過磁場區(qū)域的整個過程中,電動機多消耗的電能為

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科目:高中物理 來源: 題型:

【題目】如圖所示是某質點做直線運動的v-t圖象,請回答:

(1)質點在AB、BC、CD段各做什么運動?

(2)AB、CD段的加速度各是多少?

(3)質點在5 s末的速度多大?

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科目:高中物理 來源: 題型:

【題目】伽利略在研究自由落體運動時,設計了如圖所示的斜面實驗。下列哪些方法是他在這個實驗中采用過的

①測出相同長度的斜面在不同傾角時,物體落到斜面底端的速度v和所用時間t,比較v/t的比值的大小

②用打點計時器打出紙帶進行數據分析

③改變斜面傾角,比較各種傾角得到的x/t2的比值的大小

④將斜面實驗的結果合理外推,說明自由落體運動是特殊的勻變速直線運動

A. ①②③④

B. ①③④

C. ①④

D. ③④

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科目:高中物理 來源: 題型:

【題目】如圖所示,O1O2是半圓柱形玻璃體的對稱面和紙面的交線,A、B是關于O1O2軸等距且平行的兩束不同單色細光束,從玻璃體右方射出后的光路如圖所示,MN是垂直于O1O2放置的光屏,沿O1O2方向不斷左右移動光屏,可在屏上得到一個光斑P,根據該光路圖,下列說法正確的是(

A. A光的頻率比B光的頻率高

B. 在該玻璃體中,A光的速度比B光的速度小

C. 在該玻璃體中,A光的臨界角大于B光的臨界角

D. 用同一雙縫干涉實驗裝置分別以A、B光做實驗,A光的干涉條紋間距大于B光的干涉條紋間距

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