A. | 氣體分子的平均動(dòng)能必定減小 | |
B. | 單位時(shí)間內(nèi)氣體分子對(duì)器壁單位面積的碰撞次數(shù)減少 | |
C. | 氣體的體積可能不變 | |
D. | 氣體必定吸收熱量 |
分析 由題意可知?dú)怏w的變化,則由溫度與分子平均動(dòng)能的關(guān)系可得出平均動(dòng)能的變化;由熱力學(xué)第一定律要得出氣體內(nèi)能的變化和吸放熱.
解答 解:溫度升高同時(shí)壓強(qiáng)減小,由理想氣體的狀態(tài)方程:$\frac{PV}{T}=C$可知,氣體的體積一定增大.
A、氣體的溫度升高,分子的平均動(dòng)能一定增大,故A錯(cuò)誤;
B、氣體 的壓強(qiáng)與彈丸體積內(nèi)的分子密度、分子的平均撞擊力有關(guān).氣體的溫度升高,分子的平均動(dòng)能增大,則分子對(duì)器壁的平均撞擊力增大而氣體的壓強(qiáng)減小,所以單位時(shí)間內(nèi)氣體分子對(duì)器壁單位面積的碰撞次數(shù)減少.故B正確;
C、溫度升高同時(shí)壓強(qiáng)減小,由理想氣體的狀態(tài)方程:$\frac{PV}{T}=C$可知,氣體的體積一定增大,故C錯(cuò)誤;
D、從狀態(tài)Ⅰ到狀態(tài)Ⅱ的過(guò)程中,溫度升高則內(nèi)能增大,壓強(qiáng)減小,體積增大,氣體對(duì)外界做功,所以氣體吸收熱量,故D正確;
故選:BD.
點(diǎn)評(píng) 本題考查氣體的理想氣體狀態(tài)方程及熱力學(xué)定律的內(nèi)容,注意溫度是分子平均動(dòng)能的標(biāo)準(zhǔn),溫度越高,分子的平均動(dòng)能越高,但是單個(gè)分子的動(dòng)能不一定變大.
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 電流表測(cè)的是電流的最大值 | |
B. | 電壓表測(cè)的是感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)的有效值 | |
C. | 感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)的瞬時(shí)值表達(dá)式為e=NBSωsinωt | |
D. | P向上移動(dòng)時(shí)電流表示數(shù)變大 |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 線圈中磁通量變化越大,線圈中產(chǎn)生的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)一定越大 | |
B. | 線圈中磁通量越大,線圈中產(chǎn)的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)一定越大 | |
C. | 線圈放在磁場(chǎng)越強(qiáng)的位置,線圈中產(chǎn)生的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)一定越大 | |
D. | 線圈中磁通量變化越快,線圈中產(chǎn)生的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)越大 |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 兩物體均沿切線方向滑動(dòng) | |
B. | 兩物體均沿半徑方向滑動(dòng),離圓盤圓心越來(lái)越遠(yuǎn) | |
C. | 兩物體仍隨圓盤一起做圓周運(yùn)動(dòng),不發(fā)生滑動(dòng) | |
D. | 物體B仍隨圓盤一起做圓周運(yùn)動(dòng),物體A發(fā)生滑動(dòng) |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:多選題
A. | 上滑的初速度v0=4m/s | B. | 上滑的加速度a=2m/s2 | ||
C. | 上升過(guò)程克服摩擦力做功W=2.5J | D. | 上升過(guò)程重力的平均功率P=12W |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:多選題
A. | 第N個(gè)小球在斜面CD上向上運(yùn)動(dòng)時(shí)機(jī)械能減小 | |
B. | 第N個(gè)小球在斜面CD上向上運(yùn)動(dòng)時(shí)機(jī)械能增大 | |
C. | N個(gè)小球構(gòu)成的系統(tǒng)在運(yùn)動(dòng)過(guò)程中機(jī)械能守恒,且總機(jī)械能E=$\frac{1}{2}$NmgR | |
D. | 第1個(gè)小球到達(dá)最低點(diǎn)的速度的大小v<$\sqrt{gR}$ |
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