如圖所示,間距為d的平行板電容器與電源相連,電鍵K閉合.電容器兩極板間有一質(zhì)量為m、帶電荷量為q的微粒靜止不動(dòng).下列各敘述中正確的是(  )
分析:由題,帶電荷量為q的微粒靜止不動(dòng),受力平衡,根據(jù)電場(chǎng)力方向與場(chǎng)強(qiáng)方向的關(guān)系,確定微粒的電性.由平衡條件求解板間電壓,板間電壓等于電源的電動(dòng)勢(shì).?dāng)嚅_電鍵K,或保持電鍵K閉合,把電容器兩極板距離增大,根據(jù)微粒所受電場(chǎng)力有無變化,分析微粒是否運(yùn)動(dòng).
解答:解:
A、如圖板間場(chǎng)強(qiáng)方向向下.微粒處于靜止?fàn)顟B(tài),受到向上的電場(chǎng)力,則微粒帶的是負(fù)電.故A正確.
B、板間電壓等于電源的電動(dòng)勢(shì).由平衡條件得,mg=q
U
d
,得到E=U=
mgd
q
.故B正確.
C、斷開電鍵K,板間電壓與場(chǎng)強(qiáng)均不變,微粒所受的電場(chǎng)力不變,所以微粒仍將保持靜止?fàn)顟B(tài).故C錯(cuò)誤.
D、保持電鍵K閉合,板間電壓U不變,把電容器兩極板距離增大,板間電場(chǎng)強(qiáng)度E=
U
d
,則知E減小,微粒所受的電場(chǎng)力減小,微粒將向下加速運(yùn)動(dòng).故D正確.
故選ABD
點(diǎn)評(píng):微粒能否運(yùn)動(dòng),關(guān)鍵是分析電場(chǎng)力是否變化.當(dāng)電容器的電量和正對(duì)面積不變,板間距離變化時(shí),板間場(chǎng)強(qiáng)不變.
練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中物理 來源: 題型:

如圖所示,間距為d的光滑平行金屬導(dǎo)軌,水平放置在豎直向下的、磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng)中,一端接有阻值為R的電阻,一質(zhì)量為m、電阻為r的導(dǎo)體棒ab放置在導(dǎo)軌上,在外力F作用下從t=0開始運(yùn)動(dòng),其速度規(guī)律為v=vmsinωt,不計(jì)導(dǎo)軌電阻及感應(yīng)電流產(chǎn)生的磁場(chǎng)對(duì)原磁場(chǎng)的影響,求:
(1)電阻R上的發(fā)熱功率;
(2)從t=0到t=π/2ω時(shí)間內(nèi)外力F所做的功.

查看答案和解析>>

科目:高中物理 來源: 題型:

如圖所示,間距為d的帶電平行金屬板P和Q之間構(gòu)成加速電子的電場(chǎng),Q板右側(cè)區(qū)域I和區(qū)域II內(nèi)存在勻強(qiáng)磁場(chǎng).區(qū)域I左邊界與金屬板平行,區(qū)域Ⅱ的左邊界與區(qū)域I的右邊界重合.已知區(qū)域I內(nèi)的磁場(chǎng)垂直于Oxy平面向外,區(qū)域II內(nèi)的磁場(chǎng)垂直于Oxy平面向里,且磁感應(yīng)強(qiáng)度大小均為B,區(qū)域I和區(qū)域II沿x軸方向的寬度均為
3
mv0
2Be
.以區(qū)域I的左邊界為y軸,以電子進(jìn)入?yún)^(qū)域I時(shí)的入射點(diǎn)為坐標(biāo)原點(diǎn)建立xOy平面直角坐標(biāo)系.一電子從P板逸出,經(jīng)過P、Q間電場(chǎng)加速后沿著x軸正向以速度v0先后通過區(qū)域I和區(qū)域II,設(shè)電子電荷量為e,質(zhì)量為m,不計(jì)電子重力.
(1)求P、Q間電場(chǎng)強(qiáng)度的大小E;
(2)求電子從區(qū)域Ⅱ右邊界射出時(shí),射出點(diǎn)的縱坐標(biāo)y;
(3)撤除區(qū)域I中的磁場(chǎng)而在其中加上沿x軸正向的勻強(qiáng)電場(chǎng),使得該電子剛好不能從區(qū)域Ⅱ的右邊界飛出.求電子的區(qū)域II中運(yùn)動(dòng)的速度v和在區(qū)域I中運(yùn)動(dòng)的平均速度
.
v

查看答案和解析>>

科目:高中物理 來源: 題型:

(2006?鹽城一模)如圖所示,間距為d的兩平行板之間有方向向右的勻強(qiáng)電場(chǎng),正方形容器abcd內(nèi)有方向垂直紙面向里的勻強(qiáng)磁場(chǎng),O為ab邊的中點(diǎn),ab邊緊靠平行板.有兩個(gè)質(zhì)量均為m,電量均為q的帶電粒子P1和P2在小孔處以初速度為零先后釋放.P1經(jīng)勻強(qiáng)電場(chǎng)加速后,從O處垂直正方形的ab邊進(jìn)入勻強(qiáng)磁場(chǎng)中,每一次和邊碰撞時(shí)速度方向都垂直于被碰的邊,當(dāng)P1剛好回到O處時(shí)與后釋放的P2相碰,以后P1、P2都在O處相碰.假設(shè)所有碰撞過程均無機(jī)械能損失.
(1)若在一個(gè)循環(huán)中P1和bc邊只碰撞3次,求正方形的邊長(zhǎng).
(2)若P1和P2在小孔O處剛碰撞后,立即改變平行板內(nèi)電場(chǎng)強(qiáng)度和正方形容器內(nèi)磁感應(yīng)強(qiáng)度的大小,使P1不再與ab邊碰撞,但仍和P2在O處碰撞.則電場(chǎng)強(qiáng)度和磁感應(yīng)強(qiáng)度分別變?yōu)樵瓉淼膸妆叮?/div>

查看答案和解析>>

科目:高中物理 來源:2012-2013學(xué)年山東省棗莊三中高三(上)期末物理模擬試卷(西校)(解析版) 題型:解答題

如圖所示,間距為d的帶電平行金屬板P和Q之間構(gòu)成加速電子的電場(chǎng),Q板右側(cè)區(qū)域I和區(qū)域II內(nèi)存在勻強(qiáng)磁場(chǎng).區(qū)域I左邊界與金屬板平行,區(qū)域Ⅱ的左邊界與區(qū)域I的右邊界重合.已知區(qū)域I內(nèi)的磁場(chǎng)垂直于Oxy平面向外,區(qū)域II內(nèi)的磁場(chǎng)垂直于Oxy平面向里,且磁感應(yīng)強(qiáng)度大小均為B,區(qū)域I和區(qū)域II沿x軸方向的寬度均為.以區(qū)域I的左邊界為y軸,以電子進(jìn)入?yún)^(qū)域I時(shí)的入射點(diǎn)為坐標(biāo)原點(diǎn)建立xOy平面直角坐標(biāo)系.一電子從P板逸出,經(jīng)過P、Q間電場(chǎng)加速后沿著x軸正向以速度v先后通過區(qū)域I和區(qū)域II,設(shè)電子電荷量為e,質(zhì)量為m,不計(jì)電子重力.
(1)求P、Q間電場(chǎng)強(qiáng)度的大小E;
(2)求電子從區(qū)域Ⅱ右邊界射出時(shí),射出點(diǎn)的縱坐標(biāo)y;
(3)撤除區(qū)域I中的磁場(chǎng)而在其中加上沿x軸正向的勻強(qiáng)電場(chǎng),使得該電子剛好不能從區(qū)域Ⅱ的右邊界飛出.求電子的區(qū)域II中運(yùn)動(dòng)的速度v和在區(qū)域I中運(yùn)動(dòng)的平均速度

查看答案和解析>>

同步練習(xí)冊(cè)答案