A. | F2<Cl2<Br2<I2 | B. | CF4>CCl4>CBr4>CI4 | ||
C. | HCl<HBr<HI<HF | D. | CH4<SiH4<GeH4<SnH4 |
分析 不同類型晶體熔沸點(diǎn)高低的比較:一般來(lái)說(shuō),原子晶體>離子晶體>分子晶體;分子晶體中含有氫鍵的熔沸點(diǎn)較高;同種類型的分子晶體相對(duì)分子質(zhì)量越大,熔沸點(diǎn)越高,以此解答該題.
解答 解:A.對(duì)應(yīng)的晶體都為分子晶體,相對(duì)分子之間越大,則熔沸點(diǎn)越高,故A正確;
B.根據(jù)組成和結(jié)構(gòu)相似的分子,相對(duì)分子質(zhì)量越大,分子間作用力越強(qiáng),物質(zhì)的熔沸點(diǎn)越高,應(yīng)為CF4<CCl4<CBr4<CI4,故B錯(cuò)誤;
C.HF含有氫鍵,沸點(diǎn)最高,HCl、HBr、HI相對(duì)分子質(zhì)量逐漸增大,分子間作用力逐漸增強(qiáng),物質(zhì)的熔沸點(diǎn)逐漸增高,故C正確;
D.都不含氫鍵,相對(duì)分子之間越大,熔沸點(diǎn)越高,故D正確.
故選B.
點(diǎn)評(píng) 本題考查不同晶體熔沸點(diǎn)高低的比較,題目難度不大,注意同種晶體和不同晶體熔沸點(diǎn)高低比較的方法和角度.
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:填空題
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | CH≡CH | B. | CH≡CCH3 | C. | CH3C≡CCH3 | D. | CH2=C(CH3)CH3 |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:解答題
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:解答題
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 正極反應(yīng)式為:5MnO2+2e-═Mn5O102- | |
B. | 每生成1 mol AgCl轉(zhuǎn)移2 mol電子 | |
C. | 工作時(shí),電子由MnO2極經(jīng)外電路流向Ag極 | |
D. | Ag發(fā)生還原反應(yīng) |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | A元素在元素周期表中位于第三周期第IVA族 | |
B. | B3C2中既含離子鍵又含共價(jià)鍵 | |
C. | B的離子半徑比C的離子半徑小 | |
D. | C的氫化物可與D的最高價(jià)氧化物的水化物反應(yīng)生成鹽 |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | v(A)=0.15mol/(L•min) | B. | v(B)=0.6mol/(L•min) | ||
C. | v(c)=0.4mol/(L•min) | D. | v(D)=0.45mol/(L•min) |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | M的能量一定低于X的,N的能量一定低于Y的 | |
B. | 因?yàn)樵摲磻?yīng)為吸熱反應(yīng),故一定要加熱反應(yīng)才能進(jìn)行 | |
C. | 破壞反應(yīng)物中化學(xué)鍵吸收的能量小于形成生成物中化學(xué)鍵所放出的能量 | |
D. | M和N的總能量一定低于X和Y的總能量 |
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