A. | CH3CH3中的兩個(gè)碳原子與BF3中的硼原子均采取sp2雜化 | |
B. | 晶體硅和石英晶體中的硅原子均采取sp3雜化 | |
C. | BeCl2中的鈹原子和H2O中的氧原子均采取sp雜化 | |
D. | CO2中的碳原子與CH2=CH2中的兩個(gè)碳原子均采取sp雜化 |
分析 根據(jù)價(jià)層電子對互斥理論確定中心原子雜化類型,價(jià)層電子對個(gè)數(shù)=σ鍵個(gè)數(shù)+孤電子對個(gè)數(shù),σ鍵個(gè)數(shù)=配原子個(gè)數(shù),孤電子對個(gè)數(shù)=$\frac{1}{2}$(a-xb),a指中心原子價(jià)電子個(gè)數(shù),x指配原子個(gè)數(shù),b指配原子形成穩(wěn)定結(jié)構(gòu)需要的電子個(gè)數(shù).中心原子的雜化類型為sp3,說明該分子中心原子的價(jià)層電子對個(gè)數(shù)是4,sp2雜化,說明該分子中心原子的價(jià)層電子對個(gè)數(shù)是3,sp雜化,說明該分子中心原子的價(jià)層電子對個(gè)數(shù)是2,據(jù)此判斷.
解答 解:A.CH3CH3分子中C原子價(jià)層電子對個(gè)數(shù)=4+$\frac{1}{2}$×(4-4×1)=4,為sp3雜化,BF3分子中硼原子價(jià)層電子對個(gè)數(shù)=3+$\frac{1}{2}$×(3-3×1)=3,所以采取sp2雜化,故A錯(cuò)誤;
B.晶體硅中的硅原子平均每個(gè)硅原子與四個(gè)鄰近硅原子生成四個(gè)共價(jià)鍵,形成4個(gè)σ鍵,無孤電子對,硅原子雜化軌道數(shù)=σ鍵數(shù)+孤對電子對數(shù)=4+0=4,所以采取sp3雜化,石英晶體成分為二氧化硅,是原子晶體,硅原子通過Si-O共價(jià)鍵形成4個(gè)σ鍵,無孤電子對,硅原子雜化軌道數(shù)=σ鍵數(shù)+孤對電子對數(shù)=4+0=4,硅原子采取sp3雜化,故B正確;
C.BeCl2中價(jià)層電子對個(gè)數(shù)=σ鍵個(gè)數(shù)+孤電子對個(gè)數(shù)=2+$\frac{1}{2}$×(2-2×1)=2,中心原子是以sp雜化,H2O中O原子的價(jià)層電子對個(gè)數(shù)=2+$\frac{1}{2}$(6-2×1)=4,所以O(shè)原子采用sp3雜化,故C錯(cuò)誤;
D.二氧化碳分子中價(jià)層電子對個(gè)數(shù)=σ鍵個(gè)數(shù)+孤電子對個(gè)數(shù)=2+$\frac{1}{2}$(4-2×2)=2,采取sp雜化方式,C2H4分子中每個(gè)碳原子價(jià)層電子對個(gè)數(shù)=σ鍵個(gè)數(shù)+孤電子對個(gè)數(shù)=3+$\frac{1}{2}$(4-2×2)=3,所以采取sp2雜化,故D錯(cuò)誤;
故選B.
點(diǎn)評(píng) 本題考查了原子雜化方式的判斷,根據(jù)價(jià)層電子對互斥理論來分析解答即可,明確價(jià)層電子對個(gè)數(shù)=σ鍵個(gè)數(shù)+孤電子對個(gè)數(shù),σ鍵個(gè)數(shù)=配原子個(gè)數(shù),孤電子對個(gè)數(shù)=$\frac{1}{2}$(a-xb)中各個(gè)字母的含義是解本題的關(guān)鍵,題目難度中等.
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | 升高溫度 | B. | 分離出HI | C. | 充入H2 | D. | 充入He |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:解答題
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | x=20 | B. | 稀H2SO4的濃度為0.10mol/L | ||
C. | b點(diǎn)有:2c(NH4+)=c(SO42-)>c(H+)=c(OH-) | D. | a點(diǎn)有:c(NH4+)<2c(SO42-) |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:填空題
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:解答題
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | A、B、C三者均為非金屬元素 | B. | B與C只能形成一種共價(jià)化合物 | ||
C. | A與B、A與C均可形成離子化合物 | D. | A、B、C三者最外層電子數(shù)之和為40 |
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