分析 A、B、C、D、E、F都是周期表中前四周期的元素,它們的核電荷數(shù)依次增大,其中基態(tài)A原子價(jià)電子排布式為nsnnpn+1,s能級上最多排列2個電子,所以n=2,A的價(jià)電子排布式為2s22p3,為N元素;
C元素是地殼中含量最高的金屬元素,則C為Al元素;D單質(zhì)常用于制作太陽能電池和集成電路芯片,則D為Si元素,E為非金屬元素,化合物B2E為離子化合物,E原子核外的M層中只有兩對成對電子,則E為S元素,則B為Na元素;F原子最外層電子數(shù)與B的相同,其余各內(nèi)層軌道均充滿電子,則F為Cu元素;
(1)A、B、E分別是N、Na、S元素,同一周期元素的第一電離能隨著原子序數(shù)的增大而增大,同一主族,元素的第一電離能隨著原子序數(shù)增大而減;
(2)氫化物N2H4分子中,N原子價(jià)層電子對個數(shù)是4,且不含孤電子對,據(jù)此判斷A原子雜化方式;
(3)F是Cu元素,元素F在周期表的位置為第四周期第IB族,二價(jià)銅離子和一水合氨反應(yīng)生成銅氨絡(luò)合物;
(4)元素N和Al形成一種新型化合物材料,其晶體具有很高的硬度和熔點(diǎn),說明該化合物是原子晶體,原子晶體中含有共價(jià)鍵;
(5)N、Cu形成某種化合物的晶胞結(jié)構(gòu)如圖,利用均攤法確定化學(xué)式;
距離最近的兩個F原子的核間距為a cm,則晶胞邊長為$\sqrt{2}$acm,晶胞體積=($\sqrt{2}$acm)3,根據(jù)ρ=$\frac{m}{V}$計(jì)算.
解答 解:A、B、C、D、E、F都是周期表中前四周期的元素,它們的核電荷數(shù)依次增大,其中基態(tài)A原子價(jià)電子排布式為nsnnpn+1,s能級上最多排列2個電子,所以n=2,A的價(jià)電子排布式為2s22p3,為N元素;
C元素是地殼中含量最高的金屬元素,則C為Al元素;D單質(zhì)常用于制作太陽能電池和集成電路芯片,則D為Si元素,E為非金屬元素,化合物B2E為離子化合物,E原子核外的M層中只有兩對成對電子,則E為S元素,則B為Na元素;F原子最外層電子數(shù)與B的相同,其余各內(nèi)層軌道均充滿電子,則F為Cu元素;
(1)A、B、E分別是N、Na、S元素,同一周期元素的第一電離能隨著原子序數(shù)的增大而增大,同一主族,元素的第一電離能隨著原子序數(shù)增大而減小,所以第一電離能由小到大順序是Na<S<N,故答案為:Na<S<N;
(2)氫化物N2H4分子中,N原子價(jià)層電子對個數(shù)是4,且不含孤電子對,則A原子雜化方式為sp3,故答案為:sp3;
(3)F是Cu元素,元素F在周期表的位置為第四周期第IB族,二價(jià)銅離子和一水合氨反應(yīng)生成銅氨絡(luò)合物,離子方程式為Cu2++4NH3•H2O=[Cu(NH3)4]2++4H2O,
故答案為:第四周期第IB族;Cu2++4NH3•H2O=[Cu(NH3)4]2++4H2O;
(4)元素N和Al形成一種新型化合物材料,其晶體具有很高的硬度和熔點(diǎn),說明該化合物是原子晶體,原子晶體中含有共價(jià)鍵,所以該化合物中含有共價(jià)鍵,
故答案為:共價(jià)鍵;
(5)N、Cu形成某種化合物的晶胞結(jié)構(gòu)如圖,Cu原子個數(shù)=12×$\frac{1}{4}$=3、N原子個數(shù)=8×$\frac{1}{8}$=1,所以其化學(xué)式為Cu3N;
距離最近的兩個F原子的核間距為a cm,則晶胞邊長為$\sqrt{2}$acm,晶胞體積=($\sqrt{2}$acm)3,ρ=$\frac{m}{V}$=$\frac{\frac{64×3+14}{{N}_{A}}}{(\sqrt{2}a)^{3}}$g/cm3=$\frac{103\sqrt{2}}{2{a}^{3}{N}_{A}}$g/cm3,
故答案為:Cu3N;$\frac{103\sqrt{2}}{2{a}^{3}{N}_{A}}$.
點(diǎn)評 本題考查物質(zhì)結(jié)構(gòu)和性質(zhì),為高頻考點(diǎn),涉及晶胞計(jì)算、化學(xué)鍵判斷、配合物離子方程式書寫、原子雜化、電離能大小比較等知識點(diǎn),綜合性較強(qiáng),側(cè)重考查學(xué)生知識綜合應(yīng)用能力及空間想象能力,明確物質(zhì)結(jié)構(gòu)、元素周期律等知識點(diǎn)是解本題關(guān)鍵,難點(diǎn)是晶胞計(jì)算.
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