【題目】氨噴泉實驗表現(xiàn)氨氣具備什么性質(zhì)(  。

A. 無色氣體 B. 易液化 C. 極易溶于水 D. 有刺激性氣味

【答案】C

【解析】氨氣極易溶于水,所以氨氣可以做噴泉實驗,與沸點的高低、密度、氣味以及是否易液化沒有關(guān)系,答案選C

練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

【題目】80 ℃,2 L 密閉容器中充入0.40 mol N2O4,發(fā)生反應(yīng)N2O42NO2 H =Q kJ/molQ0),獲得如下數(shù)據(jù):下列判斷正確的是

時間/s

0

20

40

60

80

100

c(NO2)/mol·L-1

0.00

0.12

0.20

0.26

0.30

0.30

A. 升高溫度該反應(yīng)的平衡常數(shù)K減小

B. 2040 s 內(nèi),vN2O4)=0.002 mol/( Ls)

C. 反應(yīng)達(dá)平衡時,吸收的熱量為0.30 Q kJ/mol

D. 100s 時再通入0.40 mol N2O4,達(dá)新平衡時N2O4的轉(zhuǎn)化率增大

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

【題目】下列離子方程式正確的是(
A.鈉投入到水中 2Na+2H2O═2Na++2OH+H2
B.氯化銨溶液與濃NaOH溶液加熱 NH4++OH═NH3H2O
C.氯化鋁溶液中滴入過量氨水 Al3++3NH3H2O═Al(OH)3↓+3NH4+
D.鐵片插入氯化鐵溶液中 Fe+Fe3+═2Fe2+

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

【題目】鐳是元素周期表中第七周期第IIA族元素,關(guān)于其敘述不正確的是(

A. 鐳的金屬性比鈣弱B. 單質(zhì)能與水反應(yīng)生成H2

C. 在化合物中呈+2D. 碳酸鐳難溶于水

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

【題目】選用適當(dāng)?shù)脑噭┖统s方法除去下列各物質(zhì)中的雜質(zhì)(括號中為雜質(zhì)),將所選試劑和操作的名稱填寫在表格中.

序號

物質(zhì)

試劑

除雜方法

甲烷(C2H4

硝基苯(混合酸)

KNO3(NaCl)

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

【題目】某研究小組將V1mL0.50mol/LH2SO4溶液和V2mL未知濃度的NaOH溶液混合均勻后測量并記錄溶液溫度,實驗裝置和實驗結(jié)果如下圖所示(實驗中始終保持V1 +V2=50mL);卮鹣铝袉栴}:

(1)上圖所示實驗裝置中有一個明顯的錯誤________________。

(2)為了減少實驗誤差,實驗過程中將NaOH溶液________________ (選填一次分多次)倒入盛有稀硫酸的小燒杯中。溶液混合后,準(zhǔn)確讀取混合溶液的____________,記為終止溫度。

(3)研究小組做該實驗時環(huán)境溫度________ 22°C(填“高于”、“ 低于等于”)。

(4)由題干及圖形可知此反應(yīng)所用NaOH溶液的濃度應(yīng)為_________ mol/L。

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

【題目】根據(jù)所學(xué)知識完成題目:
(1)將CO2氣體持續(xù)通入澄清石灰水中,發(fā)現(xiàn)澄清石灰水先渾濁,后又變澄清,寫出在該過程中所涉及的化學(xué)方程式:
(2)Cu與濃硫酸反應(yīng)的化學(xué)反應(yīng)方程式: 其中在此反應(yīng)中,硫酸體現(xiàn)了什么性質(zhì):
(3)海水提鎂中,貝殼的作用是(用化學(xué)反應(yīng)方程式表示):
(4)工業(yè)上制備粗硅的化學(xué)方程式是:
(5)SiO2是玻璃的成分之一,SiO2與氫氧化鈉溶液反應(yīng)的化學(xué)方程式為 , 工藝師常用(填物質(zhì)名稱)來雕刻玻璃.
(6)工業(yè)上常采用碳酸鹽與石英為原料制取玻璃,請寫出工業(yè)制取玻璃的化學(xué)反應(yīng)方程式:

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

【題目】將兩種金屬單質(zhì)組成的混合物11g,加到足量稀硫酸中,最終得到11.2L(標(biāo)準(zhǔn)狀況下)的氫氣,這兩種金屬可能是(
A.Zn和Fe
B.Ag和Mg
C.Al和 Cu
D.Mg和Zn

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

【題目】主族元素在周期表中的位置取決于該元素原子的(  )。

A. 相對原子質(zhì)量和核外電子數(shù)

B. 電子層數(shù)和最外層電子數(shù)

C. 相對原子質(zhì)量和最外層電子數(shù)

D. 電子層數(shù)和次外層電子數(shù)

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