已知X、Y和Z三種元素的原子序數(shù)之和等于42。X元素原子的4p軌道上有3個(gè)未成對(duì)電子,Y元素原子的最外層2p軌道上有2個(gè)未成對(duì)電子。X跟Y可形成化合物X2Y3,Z元素可以形成負(fù)一價(jià)離子。請(qǐng)回答下列問(wèn)題:
(1)X元素原子基態(tài)時(shí)的電子排布式為       ,該元素的符號(hào)是       。
(2)Y元素原子的電子排布圖為       ,元素X與Y的電負(fù)性比較:X       Y(填“＞”或“＜”)。
(3)X與Z可形成化合物XZ3,該化合物的空間構(gòu)型為       。
(4)由元素X與鎵元素組成的化合物A為第三代半導(dǎo)體。已知化合物A的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。(黑球位于立方體內(nèi),白球位于立方體頂點(diǎn)和面心)

請(qǐng)寫出化合物A的化學(xué)式       ;化合物A可由(CH3)3Ga和AsH3在700 ℃下反應(yīng)制得,反應(yīng)的化學(xué)方程式為                   。
(5)已知(CH3)3Ga為非極性分子,則其中鎵原子的雜化方式為           。
(1)1s22s22p63s23p63d104s24p3  (其他合理答案也給分)  As
(2) ＜
(3)三角錐形
(4)GaAs  (CH3)3Ga+AsH3GaAs+3CH4
(5)sp2雜化
X的最外層電子排布為4s24p3,故為33As;2p軌道有兩個(gè)未成對(duì)電子,可能是6C或8O,因Y能夠與砷形成As2Y3化合物,故Y為8O;As、O、Z的原子序數(shù)之和為42,故Z為1H。
(2)周期表中氧元素在砷元素的右上方位置,故電負(fù)性氧大于砷。
(3)AsH3的結(jié)構(gòu)與氨相似,為三角錐形。
(4)As位于晶胞內(nèi),有4個(gè)。Ga的個(gè)數(shù)為:8×1/8+6×1/2=4,故化學(xué)式為GaAs。
(5)因分子為非極性分子,故空間結(jié)構(gòu)對(duì)稱,Ga原子處于正三角形的中心,而三個(gè)C原子位于三角形的三個(gè)頂點(diǎn)上。中心原子Ga為sp2雜化。
練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來(lái)源：不詳 題型：填空題

元素X的基態(tài)原子中的電子共有7個(gè)能級(jí)，且最外層電子數(shù)為1，X原子的內(nèi)層軌道全部排滿電子。在氣體分析中，常用XCl的鹽酸溶液吸收并定量測(cè)定CO的含量，其化學(xué)反應(yīng)如下：
2XCl＋2CO＋2H2O=X2Cl2·2CO·2H2O
⑴X基態(tài)原子的電子排布式為     。
⑵C、H、O三種原子的電負(fù)性由大到小的順序?yàn)?u>     。
⑶X2Cl2·2CO·2H2O是一種配合物，其結(jié)構(gòu)如圖所示：

①與CO為互為等電子體的分子是     。
②該配合物中氯原子的雜化方式為     。
③在X2Cl2·2CO·2H2O中，每個(gè)X原子能與其他原子形成3個(gè)配位鍵，在圖中用“→”標(biāo)出相應(yīng)的配位鍵     。
⑷XCl的晶胞如圖所示，距離每個(gè)X＋最近的Cl—的個(gè)數(shù)為     。

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源：不詳 題型：填空題

（1）過(guò)渡金屬元素鐵能形成多種配合物，如：[Fe(H2NCONH2)6] (NO3)3[三硝酸六尿素合鐵(Ⅲ)]和Fe(CO)x等。
① 基態(tài)Fe3+的M層電子排布式為             。
② 尿素(H2NCONH2)分子中C、N原子的雜化方式分別是          、          ；
③ 配合物Fe(CO)x的中心原子價(jià)電子數(shù)與配體提供電子數(shù)之和為18，則x=        。 Fe(CO)x常溫下呈液態(tài)，熔點(diǎn)為－20.5℃，沸點(diǎn)為103℃，易溶于非極性溶劑，據(jù)此可判斷Fe(CO)x晶體屬于           （填晶體類型）

（2）O和Na形成的一種只含有離子鍵的離子化合物的晶胞結(jié)構(gòu)如右圖，距一個(gè)陰離子周圍最近的所有陽(yáng)離子為頂點(diǎn)構(gòu)成的幾何體為           。已知該晶胞的密度為ρ g/cm3，阿伏加德羅常數(shù)為NA，求晶胞邊長(zhǎng)a=         cm。 (用含ρ、NA的計(jì)算式表示)
（3）下列說(shuō)法正確的是           _。
A．第一電離能大�。篠＞P＞Si       
B．電負(fù)性順序：C＜N＜O＜F 
C．因?yàn)榫Ц衲蹸aO比KCl高，所以KCl比CaO熔點(diǎn)低
D．SO2與CO2的化學(xué)性質(zhì)類似，分子結(jié)構(gòu)也都呈直線型，相同條件下SO2的溶解度更大　
E．分子晶體中，共價(jià)鍵鍵能越大，該分子晶體的熔沸點(diǎn)越高
（4）圖1是Na、Cu、Si、H、C、N等元素單質(zhì)的熔點(diǎn)高低的順序，其中c、d均是熱和電的良導(dǎo)體。

① 圖中d單質(zhì)的晶體堆積方式類型是           。
② 單質(zhì)a、b、f 對(duì)應(yīng)的元素以原子個(gè)數(shù)比1:1:1形成的分子中含          個(gè)σ鍵，          個(gè)π鍵。
③ 圖2是上述六種元素中的一種元素形成的含氧酸的結(jié)構(gòu)，請(qǐng)簡(jiǎn)要說(shuō)明該物質(zhì)易溶于水的原因：            。

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源：不詳 題型：填空題

Q、R、X、Y、Z為周期表中原子序數(shù)依次遞增的前四周期元素。已知：
①Q(mào)為元素周期表中原子半徑最小的元素；
②R的基態(tài)原子中電子占據(jù)三種能量不同的原子軌道，且每種軌道中的電子總數(shù)相同；
③Y的基態(tài)原子的核外成對(duì)電子數(shù)是未成對(duì)電子數(shù)的3倍；
④Z有“生物金屬”之稱，Z4+離子和氬原子的核外電子排布相同。
請(qǐng)回答下列問(wèn)題（答題時(shí)，Q、R、X、Y、Z用所對(duì)應(yīng)的元素符號(hào)表示）：
（1）Q、R、Y三種元素組成的一種化合物M是新裝修居室中常含有的一種有害氣體，化合物M的空間構(gòu)型為             ，其中心原子采取       雜化；Q、R兩種元素組成的原子個(gè)數(shù)比為1：1的化合物N是中學(xué)化學(xué)中常見(jiàn)的有機(jī)溶劑，化合物N在固態(tài)時(shí)的晶體類型為              。
（2）R、X、Y三種元素的第一電離能由小到大的順序?yàn)?u>                      。
（3）由上述一種或多種元素組成的與RY2互為等電子體的分子為         （寫分子式）。
（4）由R、X、Y三種元素組成的RXY-離子在酸性條件下可與NaClO溶液反應(yīng)，生成X2、RY2等物
質(zhì)，該反應(yīng)的離子方程式為                                  。
（5）Z原子基態(tài)時(shí)的外圍電子排布式為                    ；已知Z的一種含氧酸鋇鹽的密度為ρ g.cm-3，其晶胞的結(jié)構(gòu)如圖所示，則晶  體中氧原子與鋇原子的最近距離為          cm。（只要求列算式， 不必計(jì)算出數(shù)值。阿伏伽德羅常數(shù)為NA）

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源：不詳 題型：填空題

周期表中前四周期中的六種元素A、B、C、D、E、F原子序數(shù)依次增大，已知A原子2p軌道有3個(gè)未成對(duì)電子；化合物B2E的晶體為離子晶體，E原子核外的M層中只有兩對(duì)成對(duì)電子；C元素是地殼中含量最高的金屬元素；D單質(zhì)的晶體熔點(diǎn)在同周期形成的單質(zhì)中是最高的；F2＋核外各電子層電子均已充滿。
根據(jù)以上信息回答下列問(wèn)題：
(1)寫出D原子核外電子排布式：____________________________________________。
(2)A、B、C、D的第一電離能由小到大的順序?yàn)開(kāi)_______________________________(用元素符號(hào)表示)。
(3)B的氯化物的熔點(diǎn)比D的氯化物的熔點(diǎn)________(填“高”或“低”)；理由是_______________________________________________________。
(4)E的最高價(jià)氧化物分子的空間構(gòu)型是________，是________(填“極性”或“非極性”)分子。
(5)E、F形成的某種化合物有如圖所示的晶體結(jié)構(gòu)：該化合物化學(xué)式為_(kāi)_______；E原子配位數(shù)為_(kāi)_______________________________________________。

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源：不詳 題型：填空題

已知X，Y，Z，Q為短周期非金屬元素，R是長(zhǎng)周期元素，X原子的電子占據(jù)2個(gè)電子層且原子中成對(duì)電子數(shù)是未成對(duì)電子數(shù)的2倍；Y的基態(tài)原子有7種不同運(yùn)動(dòng)狀態(tài)的電子；Z元素在地殼中含量最多；Q是電負(fù)性最大的元素；R+離子只有三個(gè)電子層且完全充滿電子。
回答下列問(wèn)題：（答題時(shí)，X、Y、Z、Q、R用所對(duì)應(yīng)的元素符號(hào)表示）
（1）X元素為        ，X、Y、Z中第一電離能最大的是        。
（2）已知Y2Q2分子存在如圖所示的兩種結(jié)構(gòu)（球棍模型，短線不一定代表單鍵）：

該分子中Y原子的雜化方式是        。
（3）X與Y元素可以形成一種超硬新材料，其晶體部分結(jié)構(gòu)如圖所示，有關(guān)該晶體的說(shuō)法正確的是    （填正確答案編號(hào)）。
A．該晶體屬于分子晶體
B．此晶體的硬度比金剛石還大
C．晶體的化學(xué)式是X3Y4
D．晶體熔化時(shí)破壞共價(jià)鍵
（4）有一種AB型分子與Y單質(zhì)分子互為等電子體，它是一種常用的還原劑，其化學(xué)式為             。
（5）R的基態(tài)原子的電子排布式為         ，R與Z形成的某離子晶體的晶胞結(jié)構(gòu)如圖，則該晶體的化學(xué)式為         ，該晶體的密度為a g·cm－3，則晶胞的體積是         cm3。

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源：不詳 題型：填空題

X、Y、Z、R、W均為周期表中前四周期的元素，其原子序數(shù)依次增大；X2－和Y＋有相同的核外電子排布；Z的氣態(tài)氫化物的沸點(diǎn)比其上一周期同族元素氣態(tài)氫化物的沸點(diǎn)低；R的基態(tài)原子在前四周期元素的基態(tài)原子中單電子數(shù)最多；W為金屬元素，X與W形成的某種化合物與Z的氫化物的濃溶液加熱時(shí)反應(yīng)可用于實(shí)驗(yàn)室制取Z的氣體單質(zhì)�；卮鹣铝袉�(wèn)題（相關(guān)回答均用元素符號(hào)表示）：
（1）R的基態(tài)原子的核外電子排布式是____________。
（2）Z的氫化物的沸點(diǎn)比其上一周期同族元素氫化物的沸點(diǎn)低的原因是________________________________________________________________________。
（3）X與Z中電負(fù)性較大的是________。Z的某種含氧酸鹽常用于實(shí)驗(yàn)室制取X形成的單質(zhì)，此酸根離子的空間構(gòu)型為_(kāi)_______，此離子中所含化學(xué)鍵的類型是________，X—Z—X的鍵角________109°28′（填“＞”、“＜”或“＝”，已知：孤電子對(duì)之間的斥力＞孤電子對(duì)與成鍵電子對(duì)之間的斥力＞成鍵電子對(duì)之間的斥力）。
（4）X與Y形成的化合物Y2X的晶胞如圖。其中X離子的配位數(shù)為_(kāi)_______，與一個(gè)X離子距離最近的所有的Y離子為頂點(diǎn)的幾何體為_(kāi)_______。該化合物與MgO相比，熔點(diǎn)較高的是________。

（5）已知該化合物的晶胞邊長(zhǎng)為a pm，則該化合物的密度為_(kāi)_______g·cm－3（只要求列出算式，不必計(jì)算出數(shù)值，阿伏加德羅常數(shù)的數(shù)值為NA）。

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源：不詳 題型：填空題

（2013山東臨沂一模）（15分）碳是形成化合物種類最多的元素。
（1）CH2CH—C≡N是制備腈綸的原料,其分子中σ鍵和π鍵的個(gè)數(shù)之比為　　　　（填最簡(jiǎn)整數(shù)比）,寫出該分子中所有碳原子的雜化方式　　　　。 
（2）乙醇（CH3CH2OH）與二甲醚（CH3OCH3）的分子式均為C2H6O,但CH3CH2OH的沸點(diǎn)高于CH3OCH3的沸點(diǎn),其原因是　                    。 
（3）某元素位于第四周期Ⅷ族,其基態(tài)原子的未成對(duì)電子數(shù)與基態(tài)碳原子的未成對(duì)電子數(shù)相同,則其基態(tài)原子的價(jià)層電子排布式為　　　　。 
（4）碳化硅的結(jié)構(gòu)與金剛石類似,其硬度僅次于金剛石,具有較強(qiáng)的耐磨性能,右圖所示的碳化硅的晶胞（其中為碳原子,為硅原子）。每個(gè)碳原子周圍與其距離最近的硅原子有　　　　個(gè)。設(shè)晶胞邊長(zhǎng)為a cm,密度為b g/cm3,則阿伏加德羅常數(shù)可表示為　（用含a、b的式子表示）。 

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源：不詳 題型：填空題

請(qǐng)回答以下問(wèn)題：
（1）第四周期的某主族元素，其第一至五電離能數(shù)據(jù)如下圖1所示，則該元素對(duì)應(yīng)原子的M層電子排布式為   ．
（2）如下圖2所示，每條折線表示周期表ⅣA-ⅦA中的某一族元素氫化物的沸點(diǎn)變化。每個(gè)小黑點(diǎn)代表一種氫化物，其中a點(diǎn)代表的是   ．簡(jiǎn)述你的判斷依據(jù)   ．
（3）CO2在高溫高壓下所形成的晶體其晶胞如下圖3所示．該晶體的類型屬于   （選填“分子”“原子”“離子”或“金屬”）晶體，該晶體中碳原子軌道的雜化類型為   。

（4）在離子晶體中正、負(fù)離子間力求盡可能多的接觸，以降低體系的能量，使晶體穩(wěn)定存在。已知Na+半徑是Cl-的a倍，Cs+半徑是Cl-的b倍，請(qǐng)回顧課本上NaCl和CsCl的晶胞，其晶胞邊長(zhǎng)比為   ．
（5）Fe的一種晶體如甲、乙所示，若按甲虛線方向切乙得到的A-D圖中正確的是   ．鐵原子的配位數(shù)是   ，假設(shè)鐵原子的半徑是r cm，該晶體的密度是p g／cm3，則鐵的相對(duì)原子質(zhì)量為     （設(shè)阿伏加德羅常數(shù)的值為NA）。

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