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6.原子序數依次增大的X、Y、Z、G、Q、R、T七種元素,核電荷數均小于36.已知X的 一種1:2型氫化物分子中既有σ鍵又有π鍵,且所有原子共平面;Z的L層上有2個未成對電子;Q原子s原子軌道與p原子軌道電子數相等;R單質是制造各種計算機、微電子產品的核心材料;T處于周期表的ds區(qū),原子中只有一個未成對電子.
(1)Y原子核外共有7種不同運動狀態(tài)的電子,T原子有7種不同原子軌道的電子.
(2)X、Y、Z的第一電離能由小到大的順序為C<O<N(用元素符號表示).
(3)Z與R能形成化合物甲,1mol甲中含4mol化學鍵,甲與氫氟酸反應,生成物的分子空間構型分別為正四面體形、V形;
(4)G、Q、R氟化物的熔點如下表,造成熔點差異的原因為NaF與MgF2為離子晶體,SiF4為分子晶體,故SiF4的熔點低;Mg2+的半徑比Na+的半徑小、電荷數高,晶格能MgF2>NaF,故MgF2的熔點比NaF高;
氟化物G的氟化物Q的氟化物R的氟化物
熔點/K9931539183
(5)向T的硫酸鹽溶液中逐滴加入Y的氫化物的水溶液至過量,反應的離子方程式為Cu2++2 NH3•H2O=Cu(OH)2↓+2NH4+、Cu(OH)2+4NH3=[Cu(NH34]2++2OH-

分析 X的一種1:2型氫化物分子中既有σ鍵又有π鍵,說明分子里有雙鍵或參鍵,且所有原子共平面,所以X為C元素,它的1:2型氫化物為乙烯;Z的L層上有2個未成對電子,即核外電子排布為1s22s22p2或1s22s22p4,X、Y、Z原子序數依次增大,所以Z為O元素,Y的原子序數介于碳、氧之間,則Y為N元素;Q原子s能級與p能級電子數相等,則Q的核外電子排布為1s22s22p4或1s22s22p63s2,由于Q的原子序數比Z大,所以Q的電子排布為1s22s22p63s2,即Q為Mg元素;而G的原子序數介于氧和鎂元素之間,所以G為Na元素;R單質是制造各種計算機、微電子產品的核心材料,R為Si元素;T處于周期表的ds區(qū),且最外層只有一個電子,則T為Cu.

解答 解:X的一種1:2型氫化物分子中既有σ鍵又有π鍵,說明分子里有雙鍵或參鍵,且所有原子共平面,所以X為C元素,它的1:2型氫化物為乙烯;Z的L層上有2個未成對電子,即核外電子排布為1s22s22p2或1s22s22p4,X、Y、Z原子序數依次增大,所以Z為O元素,Y的原子序數介于碳、氧之間,則Y為N元素;Q原子s能級與p能級電子數相等,則Q的核外電子排布為1s22s22p4或1s22s22p63s2,由于Q的原子序數比Z大,所以Q的電子排布為1s22s22p63s2,即Q為Mg元素;而G的原子序數介于氧和鎂元素之間,所以G為Na元素;R單質是制造各種計算機、微電子產品的核心材料,R為Si元素;T處于周期表的ds區(qū),且最外層只有一個電子,則T為Cu.
(1)Y為氮元素,核外電子排布式為1s22s22p3,所以7種不同運動狀態(tài)的電子,T為Cu元素,它的核外電子排布式為1s22s22p63s23p63d104s1,有7種不同原子軌道的電子,
故答案為:7;7;
(2)同周期隨原子序數增大,元素第一電離能呈增大趨勢,氮元素2p能級為半滿穩(wěn)定狀態(tài),能量較低,第一電離能高于氧元素的,故第一電離能由小到大的順序為:C<O<N,
故答案為:C<O<N;
(3)化合物甲為二氧化硅,在二氧化硅晶體中,每個硅原子周圍有四個Si-O 鍵,所以1mol二氧化硅中含有4molSi-O 鍵,SiO2與HF反應的方程式為:SiO2+4HF=SiF4+2H2O,其中SiF4中硅原子的價層電子對數為4+$\frac{4-1×4}{2}$=4,沒有孤電子對,所以SiF4的空間構型為正四面體,H2O中氧原子的價層電子對數為2+$\frac{6-1×2}{2}$=4,有2對孤電子對,所以H2O的空間構型為V形,
故答案為:4;正四面體形、V形;
(4)在NaF、MgF2、SiF4中NaF與MgF2為離子晶體,SiF4為分子晶體,故SiF4的熔點低,Mg2+的半徑比Na+的半徑小,電荷數高,晶格能MgF2>NaF,故MgF2的熔點比NaF高,
故答案為:NaF與MgF2為離子晶體,SiF4為分子晶體,故SiF4的熔點低,Mg2+的半徑比Na+的半徑小,電荷數高,晶格能MgF2>NaF,故MgF2的熔點比NaF高;
(5)向硫酸銅溶液中逐滴加入氨水至過量,開始生成氫氧化銅沉淀,后來沉淀溶解生成四氨合銅離子,其反應的離子方程式為:Cu2++2NH3•H2O=Cu(OH)2↓+2NH4+、Cu(OH)2+4NH3=[Cu(NH34]2++2OH-
故答案為:Cu2++2 NH3•H2O=Cu(OH)2↓+2NH4+、Cu(OH)2+4NH3=[Cu(NH34]2++2OH-

點評 本題是對物質結構的考查,涉及核外電子的排布及運動狀態(tài)、電離能、分子構型、晶體類型與性質、配合物等,注意同周期元素第一電離能異常情況,題目難度中等.

練習冊系列答案
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