分析 原子序數(shù)依次增大的四種元素A、B、C、D分別處于第一至第四周期,自然界中存在多種A的化合物,則A為氫元素;B原子核外電子有6種不同的運(yùn)動(dòng)狀態(tài),即核外有6個(gè)電子,則B為碳元素;D的基態(tài)原子的最外能層只有一個(gè)電子,其他能層均已充滿電子,D原子外圍電子排布為3d104s1,則D為銅元素;結(jié)合原子序數(shù)可知,C只能處于第三周期,B與C可形成正四面體型分子,則B為氯元素.
(1)四種元素中電負(fù)性最大的是Cl,其基態(tài)原子的價(jià)電子排布為3s23p5;
(2)HF分子間存在氫鍵,沸點(diǎn)最高,其它鹵化氫隨著相對(duì)分子質(zhì)量遞增,其沸點(diǎn)升高;
(3)圖一為平面結(jié)構(gòu),在其層狀結(jié)構(gòu)中碳碳鍵鍵角為120°,每個(gè)碳原子都結(jié)合著3個(gè)碳原子,碳原子采取sp2雜化;
根據(jù)均攤法計(jì)算晶胞中C原子數(shù)目,令碳原子直徑為a,計(jì)算晶胞中C原子總體積,碳原子與周圍的4個(gè)原子形成正四面體結(jié)構(gòu),中心碳原子與正四面體頂點(diǎn)原子相鄰,中心碳原子到底面距離為$\frac{a}{3}$,則正四面體的高為(a+$\frac{a}{3}$),設(shè)正四面體的棱長(zhǎng)為x,則斜面的高為$\frac{\sqrt{3}}{2}$x,底面中心到邊的距離為為$\frac{\sqrt{3}}{2}$x×$\frac{1}{3}$,再根據(jù)勾股定理計(jì)算x與a的關(guān)系,晶胞棱長(zhǎng)=2x×$\frac{\sqrt{2}}{2}$=$\sqrt{2}$x,再計(jì)算晶胞體積,晶胞空間利用率=$\frac{原子總體積}{晶胞體積}$×100%;
(4)晶體Cu為面心立方最密堆積,結(jié)合圖三醋酸銅晶體的局部結(jié)構(gòu)可確定其晶體中含有極性鍵、非極性鍵和配位鍵;
(5)硫酸銅溶液中加入氨水會(huì)產(chǎn)生氫氧化銅藍(lán)色沉淀,繼續(xù)滴加氨水,沉淀溶解,得到四氨合銅絡(luò)離子,溶液為深藍(lán)色的透明溶液.
解答 解:原子序數(shù)依次增大的四種元素A、B、C、D分別處于第一至第四周期,自然界中存在多種A的化合物,則A為氫元素;B原子核外電子有6種不同的運(yùn)動(dòng)狀態(tài),即核外有6個(gè)電子,則B為碳元素;D的基態(tài)原子的最外能層只有一個(gè)電子,其他能層均已充滿電子,D原子外圍電子排布為3d104s1,則D為銅元素;結(jié)合原子序數(shù)可知,C只能處于第三周期,B與C可形成正四面體型分子,則B為氯元素,
(1)四種元素中電負(fù)性最大的是Cl,其基態(tài)原子的價(jià)電子排布為3s23p5,其基態(tài)原子的價(jià)電子排布圖為,
故答案為:;
(2)HF分子之間形成氫鍵,使其熔沸點(diǎn)較高,HI、HBr、HCl分子之間只有范德華力,相對(duì)分子質(zhì)量越大,范德華力越大,沸點(diǎn)越高,即沸點(diǎn)由高到低的順序是HF>HI>HBr>HCl,
故答案為:HF>HI>HBr>HCl;HF分子之間形成氫鍵,使其熔沸點(diǎn)較高,HI、HBr、HCl分子之間只有范德華力,相對(duì)分子質(zhì)量越大,范德華力越大,沸點(diǎn)越高;
(3)圖一為平面結(jié)構(gòu),在其層狀結(jié)構(gòu)中碳碳鍵鍵角為120°,每個(gè)碳原子都結(jié)合著3個(gè)碳原子,碳原子采取sp2雜化;
一個(gè)晶胞中含碳原子數(shù)為8×$\frac{1}{8}$+6×$\frac{1}{2}$+4=8,令碳原子直徑為a,晶胞中C原子總體積=8×$\frac{4}{3}$π($\frac{a}{2}$)3,碳原子與周圍的4個(gè)原子形成正四面體結(jié)構(gòu),中心碳原子與正四面體頂點(diǎn)原子相鄰,中心碳原子到底面距離為$\frac{a}{3}$,則正四面體的高為(a+$\frac{a}{3}$)=$\frac{4a}{3}$,設(shè)正四面體的棱長(zhǎng)為x,則斜面的高為$\frac{\sqrt{3}}{2}$x,底面中心到邊的距離為$\frac{\sqrt{3}}{2}$x×$\frac{1}{3}$,再根據(jù)勾股定理:($\frac{4a}{3}$)2+($\frac{\sqrt{3}}{2}$x×$\frac{1}{3}$)2=($\frac{\sqrt{3}}{2}$x)2,整理得x=$\frac{2\sqrt{6}}{3}$a,故晶胞棱長(zhǎng)=$\frac{2\sqrt{6}}{3}$a×$\sqrt{2}$=$\frac{4\sqrt{3}}{3}$a,則晶胞體積為($\frac{4\sqrt{3}}{3}$a)3,晶胞空間利用率={[8×$\frac{4}{3}$π($\frac{a}{2}$)3]÷($\frac{4\sqrt{3}}{3}$a)3}×100%≈34%,
故答案為:sp2;34%;
(4)晶體Cu為面心立方最密堆積,結(jié)合圖三醋酸銅晶體的局部結(jié)構(gòu)可確定其晶體中含有極性鍵、非極性鍵和配位鍵,
故答案為:面心立方最密堆積;①②③;
(5)硫酸銅溶液中加入氨水會(huì)產(chǎn)生藍(lán)色沉淀,繼續(xù)滴加氨水,沉淀溶解,得到深藍(lán)色的透明溶液,有關(guān)反應(yīng)的離子方程式為Cu2++2NH3•H2O═Cu(OH)2↓+2NH4+、Cu(OH)2+4NH3•H2O═[Cu(NH3)4]2++2OH-+4H2O,
故答案為:首先形成藍(lán)色沉淀,繼續(xù)滴加氨水,沉淀溶解,得到深藍(lán)色的透明溶液;Cu2++2NH3•H2O═Cu(OH)2↓+2NH4+、Cu(OH)2+4NH3•H2O═[Cu(NH3)4]2++2OH-+4H2O.
點(diǎn)評(píng) 本題是對(duì)物質(zhì)結(jié)構(gòu)的考查,題目綜合性較大,涉及元素推斷、核外電子排布、晶體結(jié)構(gòu)與化學(xué)鍵、雜化軌道、配合物、晶胞計(jì)算等,是對(duì)學(xué)生綜合能力的考查,(3)中計(jì)算為易錯(cuò)點(diǎn)、難度,需要學(xué)生具備一定的空間想象與數(shù)學(xué)計(jì)算能力,難度中等.
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | ④⑤ | B. | ④⑤ | C. | ②⑥ | D. | ⑤⑥ |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | 乙烯的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)式CH2CH2 | B. | 聚丙烯的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)式 | ||
C. | 羥基的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)式 | D. | 3-甲基-1-丁烯的鍵線式 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
物質(zhì) | 分子式 | 熔點(diǎn)/℃ | 沸點(diǎn)/℃ | 密度/(g/cm3) | 水中溶解性 |
甲 | C3H6O2 | -98 | 47.5 | 0.93 | 可溶 |
乙 | C4H8O2 | -84 | 87 | 0.90 | 可溶 |
A. | 萃取法 | B. | 升華法 | C. | 蒸餾法 | D. | 分液法 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:解答題
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:填空題
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | 甲裝置中電能轉(zhuǎn)化為化學(xué)能 | |
B. | 兩個(gè)裝置中銅片表面均有氣泡產(chǎn)生 | |
C. | 甲裝置中銅片表面發(fā)生了還原反應(yīng) | |
D. | 甲裝置中負(fù)極上發(fā)生的電極反應(yīng)為Fe-3e-═Fe3+ |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | 原子半徑:W>X>Y>Z | |
B. | 單質(zhì)與鹽酸反應(yīng)速率:Y>W(wǎng) | |
C. | X最低價(jià)氫化物的穩(wěn)定性強(qiáng)于Z最低價(jià)氫化物 | |
D. | 原子序數(shù):X>W(wǎng)>Y>Z |
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