【題目】高純度單晶硅是典型的無機非金屬材料,又稱半導(dǎo)體材料,它的發(fā)現(xiàn)和使用曾引起計算機的一場革命。它可以按下列方法進行制備:SiO2Si() SiHCl3Si()。下列說法正確的是(  )

A.反應(yīng)①的化學(xué)方程式為SiO2CSiCO2

B.反應(yīng)①②③中每生成或消耗1 mol Si,轉(zhuǎn)移4 mol電子

C.二氧化硅與氫氟酸反應(yīng),而硅不能與氫氟酸反應(yīng)

D.SiHCl3(沸點31.8 )中含有少量的SiCl4(沸點57.6 ),通過蒸餾(或分餾)可提純SiHCl3

【答案】D

【解析】

A.二氧化硅與C在高溫條件下反應(yīng)生成SiCO,不是二氧化碳,故A錯誤;

B.反應(yīng)中每生成1 mol Si轉(zhuǎn)移4 mol電子,而SiHCl3Si的化合價是+2,所以反應(yīng)②③中每消耗或生成1 mol Si,轉(zhuǎn)移2 mol電子,故B錯誤;

C.二氧化硅與硅都可以與氫氟酸反應(yīng),故C錯誤;

D.SiHCl3SiCl4的沸點相差較大,所以可通過蒸餾除去SiCl4,故D正確。

故選D。

練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

【題目】以電解食鹽水為基礎(chǔ)制取氯氣等產(chǎn)品的工業(yè)稱為氯堿工業(yè),它是目前化學(xué)工業(yè)的重要支柱之一。

1)若電解食鹽水時消耗NaCl的質(zhì)量為234 g,則在理論上最多可得氯氣的體積為________(標準狀況)。

2)若將2 mol的氯氣通入足量石灰乳中,理論上可得到次氯酸鈣________克。

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

【題目】在一密閉容器中有如下反應(yīng):aX(g)bY(g)nW(g)ΔHQ某化學(xué)興趣小組的同學(xué)根據(jù)此反應(yīng)在不同條件下的實驗數(shù)據(jù),作出了如圖曲線圖:其中ω(W)表示W在反應(yīng)混合物中的百分含量,t表示反應(yīng)時間。其它條件不變時,下列分析可能正確的是(

A.圖Ⅱ可能是不同壓強對反應(yīng)的影響,且P1P2,nab

B.圖Ⅲ可能是不同溫度對反應(yīng)的影響,且T1T2,Q0

C.圖Ⅰ可能是不同壓強對反應(yīng)的影響,且P2P1,abn

D.圖Ⅱ可能是在同溫同壓下催化劑對反應(yīng)的影響,且2使用的催化劑效果好

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

【題目】1)①常溫下,pH=3的鹽酸和pH=11的氫氧化鋇等體積混合,溶液的pH=____。

②常溫下pH=3的鹽酸和pH=6的鹽酸等體積混合(不考慮混合時溶液的體積變化),溶液的pH=____。(lg2=0.3

2)在某溫度下,H2O的離子積常數(shù)為1×1013,則該溫度下:

①某溶液中的H+濃度為1×107mol/L,則該溶液呈___性。

99mLpH=1H2SO4溶液與101mLpH=12KOH溶液混合后(不考慮混合時溶液的體積變化),溶液的pH=___。

3)今有①CH3COOH、②HCl、③H2SO4三種溶液,用序號回答下列問題:

a.當(dāng)它們pH相同時,其物質(zhì)的量濃度由大到小排列是___

b.當(dāng)它們的物質(zhì)的量濃度相同時,其pH由大到小排列是___。

c.中和同一燒堿溶液,需同濃度的三種酸溶液的體積關(guān)系為___。(用等式表示)

d.體積和濃度均相同的①、②、③三溶液,分別與同濃度的燒堿溶液恰好完全反應(yīng),反應(yīng)需燒堿溶液的體積關(guān)系為___。(用等式表示)

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

【題目】下列五種物質(zhì)中,①Ar CO2 SiO2 Ba(OH)2 K2S,含有共價鍵的物質(zhì)有________(填序號)。分別寫出CO2Ba(OH)2的電子式________、________。

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

【題目】關(guān)于某有機物的性質(zhì)敘述不正確的是

A. 1 mol該有機物完全燃燒可生成12molCO2

B. lmol該有機物分別與足量NaNaHCO3反應(yīng),產(chǎn)生的氣體分子數(shù)目相等

C. 1 mol該有機物可以與5mol H2發(fā)生加成反應(yīng)

D. 1 mol該有機物可以與2 molNaOH發(fā)生反應(yīng)

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

【題目】某化學(xué)興趣小組用含A、B兩種金屬單質(zhì)的粉末狀混合物進行如下實驗,其轉(zhuǎn)化關(guān)系如下圖所示(部分反應(yīng)物和生成物未列出),其中E為白色膠狀沉淀,I為紅褐色沉淀。(此轉(zhuǎn)化關(guān)系中所用的試劑都是足量的)

1)寫出下列物質(zhì)的化學(xué)式:F____________,G________________。

2)將混合物中兩種金屬分離開的最簡單的方法是___________。

3DE的轉(zhuǎn)化中,加入過量的X可能是_____________________。

A.飽和NaCl溶液 B.NaOH溶液 C.氨水 D.Ba(OH)2溶液

4)寫出下列轉(zhuǎn)化的化學(xué)方程式:

AC______________________________________________

HI_______________________________________________。

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

【題目】以含鋰電解鋁廢渣(主要含 AlF3NaF、LiFCaO ) 和濃硫酸為原料,制備電池級碳酸鋰,同時得副產(chǎn)品冰晶石,其工藝流程如下:

已知LiOH易溶于水,Li2CO3微溶于水。回答下列問題:

(1)電解鋁廢渣與濃硫酸反應(yīng)產(chǎn)生的氣體化學(xué)式為 ___________。濾渣2的主要成分是(寫化學(xué)式)_________。

(2)堿解反應(yīng)中, 同時得到氣體和沉淀反應(yīng)的離子方程式為_____________。

(3)一般地說 K105 時,該反應(yīng)進行得就基本完全了?粱磻(yīng)中存在如下平衡:Li2CO3(s)+Ca2+(aq)2Li+(aq)+ CaCO3(s)通過計算說明該反應(yīng)是否進行完全________(已知Ksp(Li2CO3) = 8.64×10-4Ksp(CaCO3) = 2.5×10-9)。

(4)碳化反應(yīng)后的溶液得到Li2CO3的具體實驗操作有:加熱濃縮、______、______、干燥。

(5)上述流程得到副產(chǎn)品冰晶石的化學(xué)方程式為__________

(6)Li2CO3是制備金屬鋰的重要原料, 一種制備金屬鋰的新方法獲得國家發(fā)明專利,其裝置如圖所示:

工作時電極 C 應(yīng)連接電源的______極,陽極的電極反應(yīng)式為__________ 。該方法設(shè)計的 A 區(qū)能避免熔融碳酸鋰對設(shè)備的腐蝕和因________逸出對環(huán)境的污染。

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

【題目】GaN憑借其出色的功率性能、頻率性能以及散熱性能,在光電領(lǐng)域和高頻微波器件應(yīng)用等方面有廣闊的前景。

(1) Johnson等人首次在1100℃下用鎵與氨氣制得氮化鎵,該可逆反應(yīng)每生成1 mol H2放出10.3 kJ熱量。該反應(yīng)的熱化學(xué)方程式是_____。(己知金屬鎵的熔點是29.8℃,沸點是2403℃;氮化鎵的熔點為1700)

(2)在恒容密閉容器中,加入一定量的液態(tài)鎵與氨氣發(fā)生上述反應(yīng),測得反應(yīng)平衡體系中NH3的體積分數(shù)與壓強(p)、溫度(T)的關(guān)系如圖所示(已知圖中T1T2的溫度均小于1700)

①下列說法正確的是________(填標號)。

a.相同條件下,Ga(OH)3 的堿性比Al(OH)3

b.當(dāng)c(NH3)=c(H2)時,一定達到了化學(xué)平衡狀態(tài)

c. A點和C點化學(xué)平衡常數(shù)的關(guān)系是:KA< KC

d.溫度一定時,達平衡后再充入氦氣(氦氣不參與反應(yīng))NH3的轉(zhuǎn)化率增大.

②氣相平衡中用組分的平衡分壓代替物質(zhì)的量濃度也可以表示平衡常數(shù)(記作Kp),已知在T1℃時體系的壓強初始壓強為a Pa,則B點的Kp=____(用含a表示且保留2位有效數(shù)字)。

(3)電解精煉法提純鎵是工業(yè)上常用的方法。具體原理如圖所示:

已知:金屬的活動性Zn>Ga>Fe>Cu;鎵化學(xué)性質(zhì)與鋁相似。

M為電源的_______極,電解精煉鎵時產(chǎn)生陽極泥的主要成分是________。

②電解過程中陽極產(chǎn)生的離子遷移到達陰極并在陰極析出高純鎵。請寫出電解過程的陰極的電極反應(yīng)__________。

③電解過程中需控制合適的電壓,若電壓太高時陰極會產(chǎn)生H2導(dǎo)致電解效率下降。若外電路通過0.2mole時,陰極得到3.5g的鎵。則該電解裝置的電解效率η=_________(η=生成目標產(chǎn)物消耗的電子數(shù)+轉(zhuǎn)移的電子總數(shù))。

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