【題目】鈦、鐵、砷、硒、鋅等元素的單質(zhì)及其化合物在化工、醫(yī)藥、材料等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。

1)基態(tài)Ti原子中,最高能層電子的電子云輪廓形狀為_______,與Ti同周期的所有過(guò)渡元素的基態(tài)原子中,最外層電子數(shù)與鈦不同的元素有________種。

2)鐵的第三電離能、第四電離能分別為遠(yuǎn)大于的原因是______________________。

3離子可用于的檢驗(yàn),其對(duì)應(yīng)的酸有兩種,分別為硫氰酸和異硫氰酸

①寫(xiě)出與互為等電子體的一種微粒_________分子或離子;

②異硫氰酸的沸點(diǎn)比硫氰酸沸點(diǎn)高的原因是_______________

4)成語(yǔ)信口雌黃中的雌黃分子式為,分子結(jié)構(gòu)如圖1所示,As原子的雜化方式為_______________。

5)離子化合物的晶胞結(jié)構(gòu)如圖2所示。一個(gè)晶胞含有的鍵有__________個(gè)。

6)硒化鋅的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示,圖中XY點(diǎn)所堆積的原子均為____________填元素符號(hào);該晶胞中硒原子所處空隙類型為____________立方體正四面體正八面體,該種空隙的填充率為____________;若該晶胞密度為,硒化鋅的摩爾質(zhì)量為。用代表阿伏加德羅常數(shù)的數(shù)值,則晶胞參數(shù)a____________nm。

【答案】球形 2 3d能級(jí)半充滿,結(jié)構(gòu)穩(wěn)定 、 異硫氰酸分子間存在氫鍵 雜化 正四面體

【解析】

1)根據(jù)構(gòu)造原理寫(xiě)出核外電子排布式,判斷出最高能級(jí)的形狀,與Ti同周期的所有過(guò)渡元素的基態(tài)原子中,最外層電子數(shù)與鈦不同,結(jié)合構(gòu)造原理與洪特規(guī)則特例,符合條件元素原子的價(jià)電子排布為3d54s13d104s1;

2)價(jià)電子排布為全滿或半滿時(shí),處于穩(wěn)定結(jié)構(gòu),此時(shí)電離能將增大;

3C原子與1個(gè)單位負(fù)電荷可以等效替換為N原子,N原子與1個(gè)單位負(fù)電荷可以替換為O原子,S原子可以用氧原子替換,與SCN-互為等電子體的一種微粒為:N2OCO2、CS2OCN-(任意一種);從氫鍵的角度分析沸點(diǎn)的高低。

4)由結(jié)構(gòu)圖可知,黑色球?yàn)?/span>As、白色球?yàn)?/span>S,分子中As原子形成3個(gè)σ鍵、還含有1對(duì)孤電子對(duì),雜化軌道數(shù)目為3+1=4,故As雜化方式為sp3雜化;

5)計(jì)算出晶胞中C22-數(shù)目,每個(gè)C22-中含2個(gè)π鍵;

6)根據(jù)圖示,Zn原子處于晶胞的頂點(diǎn)與面心,晶胞中Zn原子形成正四面體結(jié)構(gòu)有8個(gè),其中4個(gè)正四面體中心填充Se原子,正四面體空隙的填充率為50%;V== =N可以從晶胞構(gòu)型中計(jì)算出N=4,NAM、ρ均為已知,代入公式可以得到體積,晶胞參數(shù)等于體積的三次開(kāi)方。

1)基態(tài)Ti原子的核外電子排布式為[Ar]3d24s2,最高能層電子為4s能級(jí),電子云輪廓圖形為球形;與Ti同周期的所有過(guò)渡元素的基態(tài)原子中,最外層電子數(shù)與鈦不同,結(jié)合構(gòu)造原理與洪特規(guī)則特例,符合條件元素原子的價(jià)電子排布為3d54s1、3d104s1,故有2種,

故答案為:球形;2;

2)由Fe2+變?yōu)?/span>Fe3+體現(xiàn)Fe的第三電離能,即價(jià)電子由3d6變?yōu)?/span>3d5;當(dāng)從3d5狀態(tài)再失去一個(gè)電子時(shí),體現(xiàn)第四電離能,因3d5為半充滿狀態(tài),較為穩(wěn)定,故第四電離能大于第三電離能,

故答案為:Fe3+3d能級(jí)半充滿,結(jié)構(gòu)穩(wěn)定;

3)①C原子與1個(gè)單位負(fù)電荷可以等效替換為N原子,N原子與1個(gè)單位負(fù)電荷可以替換為O原子,S原子可以用氧原子替換,與SCN-互為等電子體的一種微粒為:N2OCO2、CS2OCN-(任意一種),

故答案為:、

②異硫氰酸分子間含有氫鍵,故異硫氰酸的沸點(diǎn)比硫氰酸沸點(diǎn)高;

故答案為:異硫氰酸分子間存在氫鍵 ;

4)由結(jié)構(gòu)圖可知,黑色球?yàn)?/span>As、白色球?yàn)?/span>S,分子中As原子形成3個(gè)σ鍵、還含有1對(duì)孤電子對(duì),雜化軌道數(shù)目為3+1=4,故As雜化方式為sp3雜化,

故答案為:sp3雜化;

5)晶胞中C22-數(shù)目為:12×+1=4,每個(gè)C22-中含2個(gè)π鍵,一個(gè)晶胞含有平均有π鍵數(shù)目為:2×4=8,

故答案為:8

6)晶胞中Se、Zn原子數(shù)目之比為11Zn原子處于晶胞的頂點(diǎn)與面心,Se原子與周圍的4個(gè)Zn原子形成正四面體構(gòu)型,Se處于正四面體的中心,XY都代表Zn;晶胞中Zn原子形成正四面體結(jié)構(gòu)有8個(gè),其中4個(gè)正四面體中心填充Se原子,正四面體空隙的填充率為50%;晶胞中Zn原子數(shù)目為:+6×=4、Se原子數(shù)目為4,晶胞中各微?傎|(zhì)量為:g,晶胞體積為:,晶胞參數(shù)a=cm=nm

故答案為:;正四面體;;

練習(xí)冊(cè)系列答案
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A.W、YZ 的電負(fù)性大小順序一定是 Z>Y>W

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1)寫(xiě)出化學(xué)式:乙___;丙___;

2)丁的摩爾質(zhì)量__

3)寫(xiě)出丙和E反應(yīng)生成AB的化學(xué)方程式___;

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