Question

【題目】氮的化合物在農(nóng)藥生產(chǎn)及工業(yè)制造業(yè)等領(lǐng)域用途非常廣泛，請(qǐng)根據(jù)提示回答下列相關(guān)問題：

(1)基態(tài)氮原子的電子排布式為____，碳、氮、氧元素的第一電離能由小到大的順序?yàn)?/span>______(用元素符號(hào)表示)。

(2)NH4Cl中陽(yáng)離子的空間構(gòu)型為______，與NH4+互為等電子體的一種非極性分子的化學(xué)式為________。

(3)NH4Cl受熱易分解產(chǎn)生氨氣，向CuSO4溶液中通入氨氣至過量，產(chǎn)生藍(lán)色沉淀，隨后沉淀溶解得到深藍(lán)色溶液，該溶液中存在的配離子的結(jié)構(gòu)式為_______（配位鍵用→表示）。

(4)GaAs與GaN均為原子晶體，GaAs熔點(diǎn)為1238℃，GaN熔點(diǎn)約為1500°，GaAs熔點(diǎn)低于GaN的原因?yàn)?/span>_________。

(5)GaAs的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，其中As原子形成的空隙類型有正八面體形和正四面體形，該晶胞中Ga原子所處空隙類型為_______。已知GaAs的密度為ρ g/cm3，Ga和As的摩爾質(zhì)量分別為 MGa g/mol和MAsg/mol，阿伏伽德羅常數(shù)的值為NA，則GaAs晶胞中Ga之間的最短距離為_______pm（寫出表達(dá)式）。

Answer 1

【答案】1s22s22p3 C＜O＜N 正四面體 CH4 GaN中N原子半徑小，Ga-N鍵長(zhǎng)比Ga-As短，鍵能更大，熔點(diǎn)更高 正四面體形

【解析】

(1)N處于第二周期VA族；同一周期主族元素隨原子序數(shù)增大，第一電離能呈增大趨勢(shì)，N原子2p軌道為半充滿穩(wěn)定狀態(tài)，第一電離能高于同周期相鄰元素；

(2)NH4Cl中氮原子形成4個(gè)N-H鍵，沒有孤電子對(duì)，雜化軌道數(shù)目為4；與NH4+互為等電子體的一種非極性分子可以用碳原子替換N原子與1個(gè)單位正電荷；

(3)氨氣分子中N原子提供孤電子對(duì)，銅離子提供空軌道，NH3與Cu2+形成[Cu(NH3)4]2+配離子；

(4)從物質(zhì)的晶體類型、原子半徑大小分析物質(zhì)熔沸點(diǎn)的高低；

(5)Ga原子周圍與之距離最近寫相等的As原子有4個(gè)，形成正四面體結(jié)構(gòu)，Ga處于正四面體的中心。四面體棱長(zhǎng)即為Ga之間的最短距離，由幾何知識(shí)可知二者距離等于晶胞體對(duì)角線長(zhǎng)度的倍，均攤法計(jì)算晶胞中Ga、As原子數(shù)目，計(jì)算晶胞質(zhì)量，結(jié)合晶胞質(zhì)量=晶胞體積×晶體密度計(jì)算晶胞棱長(zhǎng)。

(1)N是7號(hào)元素，原子核外電子排布2、5，處于第二周期VA族，價(jià)電子排布式為：2s22p3；同一周期的主族元素，隨原子序數(shù)增大，元素的第一電離能呈增大趨勢(shì)，但N原子2p軌道為半充滿穩(wěn)定狀態(tài)，第一電離能高于同周期相鄰的O元素，故第一電離能：C＜O＜N；

(2)NH4Cl中氮原子形成了4個(gè)N-H鍵，沒有孤電子對(duì)，雜化軌道數(shù)目為4，N原子雜化方式為：sp3，空間構(gòu)型為正四面體形；與NH4+互為等電子體的一種非極性分子可以用碳原子替換N原子與1個(gè)單位正電荷，該非極性分子為：CH4；

(3)氨氣分子中N原子上有一對(duì)孤電子對(duì)，N原子提供孤電子對(duì)，銅離子提供空軌道，NH3與Cu2+形成[Cu(NH3)4]2+配離子，配離子結(jié)構(gòu)式為；

(4)GaAs與GaN均為原子晶體，原子間通過共價(jià)鍵結(jié)合，由于原子半徑N<As，原子共價(jià)鍵的鍵長(zhǎng)Ga-As>Ga-N，鍵長(zhǎng)越長(zhǎng)，共價(jià)鍵的結(jié)合的牢固程度就越強(qiáng)，斷裂共價(jià)鍵使物質(zhì)熔化、氣化需要的能量就越高，即物質(zhì)的熔沸點(diǎn)越高，所以GaAs熔點(diǎn)低于GaN；

(5)Ga原子周圍與之距離最近寫相等的As原子有4個(gè)，形成正四面體結(jié)構(gòu)，Ga處于正四面體的中心。四面體棱長(zhǎng)即為Ga之間的最短距離，由幾何知識(shí)可知二者距離等于晶胞體對(duì)角線長(zhǎng)度的倍，晶胞中Ga原子數(shù)目為4、As原子數(shù)目=8×+6×=4，故晶胞質(zhì)量=4×g，設(shè)晶胞棱長(zhǎng)為a pm，則：4×g=ρgcm-3×(a×10-10cm)3，解得a=×1010，故GaAs晶胞中Ga之間的最短距離=××1010pm。