如圖,離子源A產(chǎn)生的初速為零、帶電量均為e、質(zhì)量不同的正離子被電壓為U0的加速電場(chǎng)加速后勻速通過(guò)準(zhǔn)直管。垂直射入勻強(qiáng)偏轉(zhuǎn)電場(chǎng),偏轉(zhuǎn)后通過(guò)極板HM上的小孔S離開(kāi)電場(chǎng),經(jīng)過(guò)一段勻速直線運(yùn)動(dòng),垂直于邊界MN進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng)。已知HO=d,HS=2d,∠MNQ=90°。(忽略離子所受重力)

(1)求偏轉(zhuǎn)電場(chǎng)場(chǎng)強(qiáng)E0的大小以及HM與MN的夾角Φ;

(2)求質(zhì)量為m的離子在磁場(chǎng)中做圓周運(yùn)動(dòng)的半徑;

(3)若質(zhì)量為4m的離子垂直打在NQ的中點(diǎn)S1處,質(zhì)量為16m的離子打在S2處,求S1和S2之間的距離以及能打在NQ上的正離子的質(zhì)量范圍。

 

(1)設(shè)帶電粒子經(jīng)加速電場(chǎng)加速后的速度為v1,進(jìn)入偏轉(zhuǎn)電場(chǎng)后的加速度為a,則:

F=eE0=ma②

2d=v1t③

由①②③④得E0=U0/d

得Φ=45°

(2)設(shè)粒子剛進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)速度為v,則有:

洛倫茲力提供向心力有:

由⑤⑥得

(3)將4m16m代入R,得R1、R2,

,

將R1、R2代入得

由R′2=(2R12+(R′-R12

R1<R<R1得m<mx25m

分析:本題第(1)問(wèn)考查了帶電粒子在電場(chǎng)中加速和偏轉(zhuǎn)的知識(shí)(即電偏轉(zhuǎn)問(wèn)題),加速過(guò)程用動(dòng)能定理求解,偏轉(zhuǎn)過(guò)程用運(yùn)動(dòng)的合成與分解知識(shí)結(jié)合牛頓第二定律和運(yùn)動(dòng)學(xué)公式求解;

第(2)問(wèn)考查磁偏轉(zhuǎn)知識(shí),先求進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)的合速度v,再由洛倫茲力提供向心力求解R;

第(3)問(wèn)考查用幾何知識(shí)解決物理問(wèn)題的能力。

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(2009?重慶)如圖,離子源A產(chǎn)生的初速為零、帶電量均為e、質(zhì)量不同的正離子被電壓為U0的加速電場(chǎng)加速后勻速通過(guò)準(zhǔn)直管,垂直射入勻強(qiáng)偏轉(zhuǎn)電場(chǎng),偏轉(zhuǎn)后通過(guò)極板HM上的小孔S離開(kāi)電場(chǎng),經(jīng)過(guò)一段勻速直線運(yùn)動(dòng),垂直于邊界MN進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng).已知HO=d,HS=2d,∠MNQ=90°.(忽略粒子所受重力)
(1)求偏轉(zhuǎn)電場(chǎng)場(chǎng)強(qiáng)E0的大小以及HM與MN的夾角φ;
(2)求質(zhì)量為m的離子在磁場(chǎng)中做圓周運(yùn)動(dòng)的半徑;
(3)若質(zhì)量為4m的離子垂直打在NQ的中點(diǎn)S1處,質(zhì)量為16m的離子打在S2處.求S1和S2之間的距離以及能打在NQ上的正離子的質(zhì)量范圍.

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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:

如圖,離子源A產(chǎn)生的初速為零、帶電量均為e、質(zhì)量不同的正離子被電壓為U0的加速電場(chǎng)加速后勻速通過(guò)準(zhǔn)直管W#W$W%.K**S*&5^U,垂直射入勻強(qiáng)偏轉(zhuǎn)電場(chǎng),偏轉(zhuǎn)后通過(guò)極板HM上的小孔S離開(kāi)電場(chǎng),經(jīng)過(guò)一段勻速直線運(yùn)動(dòng),垂直于邊界MN進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng)。已知HO=d,HS=2d,=90°。

(忽略粒子所受重力和一切阻力)

(1)求偏轉(zhuǎn)電場(chǎng)場(chǎng)強(qiáng)E0的大小以及HM與MN的夾角;

(2)求質(zhì)量為m的離子在磁場(chǎng)中做圓周運(yùn)動(dòng)的半徑;

(3)若質(zhì)量為4m的離子垂直打在NQ的中點(diǎn)處,質(zhì)量為16m的離子打在處。求之間的距離。

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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:

如圖,離子源A產(chǎn)生的初速為零、帶電量均為e、質(zhì)量不同的正離子被電壓為U0的加速電場(chǎng)加速后勻速通過(guò)準(zhǔn)直管,垂直射入勻強(qiáng)偏轉(zhuǎn)電場(chǎng),偏轉(zhuǎn)后通過(guò)極板HM上的小孔S離開(kāi)電場(chǎng),經(jīng)過(guò)一段勻速直線運(yùn)動(dòng),垂直于邊界MN進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng)。已知HO=d,HS=2d,=90°。

(忽略粒子所受重力和一切阻力)

(1)求偏轉(zhuǎn)電場(chǎng)場(chǎng)強(qiáng)E0的大小以及HM與MN的夾角

(2)求質(zhì)量為m的離子在磁場(chǎng)中做圓周運(yùn)動(dòng)的半徑;

(3)若質(zhì)量為4m的離子垂直打在NQ的中點(diǎn)處,質(zhì)量為16m的離子打在處。求之間的距離。

 

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科目:高中物理 來(lái)源:2010-2011學(xué)年山西省臨汾一中忻州一中長(zhǎng)治二中高三第三次四校聯(lián)考(理綜)物理部 題型:計(jì)算題

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(忽略粒子所受重力和一切阻力)

(1)求偏轉(zhuǎn)電場(chǎng)場(chǎng)強(qiáng)E0的大小以及HM與MN的夾角;

(2)求質(zhì)量為m的離子在磁場(chǎng)中做圓周運(yùn)動(dòng)的半徑;

(3)若質(zhì)量為4m的離子垂直打在NQ的中點(diǎn)處,質(zhì)量為16m的離子打在處。求之間的距離。

 

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科目:高中物理 來(lái)源:2012年四川省遂寧市射洪中學(xué)高考物理模擬試卷(四)(解析版) 題型:解答題

如圖,離子源A產(chǎn)生的初速為零、帶電量均為e、質(zhì)量不同的正離子被電壓為U的加速電場(chǎng)加速后勻速通過(guò)準(zhǔn)直管,垂直射入勻強(qiáng)偏轉(zhuǎn)電場(chǎng),偏轉(zhuǎn)后通過(guò)極板HM上的小孔S離開(kāi)電場(chǎng),經(jīng)過(guò)一段勻速直線運(yùn)動(dòng),垂直于邊界MN進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng).已知HO=d,HS=2d,∠MNQ=90°.(忽略粒子所受重力)
(1)求偏轉(zhuǎn)電場(chǎng)場(chǎng)強(qiáng)E的大小以及HM與MN的夾角φ;
(2)求質(zhì)量為m的離子在磁場(chǎng)中做圓周運(yùn)動(dòng)的半徑;
(3)若質(zhì)量為4m的離子垂直打在NQ的中點(diǎn)S1處,質(zhì)量為16m的離子打在S2處.求S1和S2之間的距離以及能打在NQ上的正離子的質(zhì)量范圍.

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