如圖12-2-17所示,將長為1m的導線從中間折成約為的角,磁感應(yīng)強度為0.5T的勻強磁場垂直于導線所在的平面.為使導線產(chǎn)生4V的感應(yīng)電動勢,則導線切割磁感線的最小速度約為_________.

欲使導線獲得4V的感應(yīng)電動勢,而導線的速度要求最小,根據(jù)可知:E、B一定的情況下,L最大且與L垂直時速度最。
故根據(jù)得:            
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相關(guān)習題

科目:高中物理 來源:不詳 題型:單選題

如圖所示,固定在水平絕緣平面上足夠長的金屬導軌不計電阻,但表面粗糙,導軌左端連接一個電阻R,質(zhì)量為m的金屬棒(電阻也不計)放在導軌上,并與導軌垂直,整個裝置放在勻強磁場中,磁場方向與導軌平面垂直,用水平恒力F把ab棒從靜止起向右拉動的過程中①恒力F做的功等于電路產(chǎn)生的電能;②恒力F和摩擦力的合力做的功等于電路中產(chǎn)生的電能;③克服安培力做的功等于電路中產(chǎn)生的電能;④恒力F和摩擦力的合力做的功等于電路中產(chǎn)生的電能和棒獲得的動能之和以上結(jié)論正確的有    (    )
A.①②   B.②③    C.③④    D.②④

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科目:高中物理 來源:不詳 題型:問答題

如圖12-4-14所示,質(zhì)量為m、邊長為a的正方形金屬線框自某一高度由靜止下落,依次經(jīng)過兩磁場區(qū)域.已知,且磁場的高度為a.線框在進入的過程中做勻速運動,速度大小為,在中加速一段時間后又勻速進入和穿出時速度恒為,求:

(1)之比
(2)在整個下落過程中線框中產(chǎn)生的焦耳熱.

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科目:高中物理 來源:不詳 題型:問答題

固定在勻強磁場中的正方形導線框abcd各邊長為l,其中ab是一段電阻為R的均勻電阻絲,其余三邊電阻可忽略的銅線,磁感應(yīng)強度為B,方向垂直紙面向里.現(xiàn)有一段與ab完全相同的電阻絲PQ架在導線框上(如圖12-3-14所示),以恒定速度從ad滑向bc,當PQ滑到距離ad多少時,通過PQ段電阻絲的電流最。孔钚‰娏鳛槎嗌?方向如何?

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科目:高中物理 來源:不詳 題型:計算題

(16分)如圖2所示,兩足夠長平行光滑的金屬導軌MN、PQ相距為,導軌平面與水平面夾角,導軌上端跨接一定值電阻,導軌電阻不計,整個裝置處于方向豎直向上的勻強磁場中,長為的金屬棒cd垂直于MN、PQ放置在導軌上,且與導軌保持接觸良好,金屬棒的質(zhì)量為、電阻為,重力加速度為,現(xiàn)將金屬棒由靜止釋放,當金屬棒沿導軌下滑距離為時,速度達到最大值,求:

(1)金屬棒開始運動時的加速度大小;
(2)勻強磁場的磁感應(yīng)強度大;
(3)金屬棒沿導軌下滑距離為的過程中,電阻上產(chǎn)生的電熱?

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科目:高中物理 來源:不詳 題型:單選題


如圖,在水平面(紙面)內(nèi)有三根相同的均勻金屬棒ab、Ac和MN其中ab、ac在a點接觸,構(gòu)成“v”字型導軌。空間存在垂直于紙面的均勻碰場。用力使MN向右勻速運動,從圖示位置開始計時.運動中MN始終與bac的平分線垂直且和導軌保持良好接觸。下列關(guān)于回路中電流i與時間t的關(guān)系圖線.可能正確的是
A.
B.
C.
D.

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科目:高中物理 來源:不詳 題型:單選題

如圖所示,有界勻強磁場區(qū)域的半徑為r,磁場方向與導線環(huán)所在平面垂直,導線環(huán)半徑也為r, 沿兩圓的圓心連線方向從左側(cè)開始勻速穿過磁場區(qū)域,在此過程中.關(guān)于導線環(huán)中的感應(yīng)電流i隨時間t的變化關(guān)系,下列圖象中(以逆時針方向的電流為正)最符合實際的是(     )

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科目:高中物理 來源:不詳 題型:單選題

處在勻強磁場中的閉合金屬環(huán)從曲面上h高處滾下,又沿曲面的另一側(cè)上升到最大高度,設(shè)環(huán)的初速度為零,摩擦不計,曲面處在圖8所示的磁場中,則此過程中(          )
A.環(huán)滾上的高度小于h
B.環(huán)滾上的高度等于h
C.由于環(huán)在作切割磁感線運動,故環(huán)中有感應(yīng)電流產(chǎn)生
D.環(huán)損失的機械能等于環(huán)產(chǎn)生的焦耳熱

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科目:高中物理 來源:不詳 題型:問答題

如圖所示,一個邊長為a的正方形閉合線框,自某一高處自由下落,當線框的下邊進入水平方向的勻強磁場時,線框即作勻速運動。已知線框的質(zhì)量為m,電阻為R,磁場的磁感強度為B(不考慮空氣阻力)求:

1)當線框下邊剛進入磁場時,線框所受的磁場力F的大。
2)當線框下邊剛進入磁場時,線框中感應(yīng)電流I的大;
3)線框開始自由下落時,線框下邊離開磁場的高度h.
 

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