【題目】一個邊長為L的正方形導線框在傾角為θ的光滑斜面上由靜止開始沿斜面下滑,隨后進入虛線下方垂直于斜面向上的勻強磁場中。如圖所示,斜面以及虛線下方的磁場往下方延伸到足夠遠。下列說法正確的是(  )

A. 線框進入磁場的過程,b點的電勢比a點高

B. 線框進入磁場的過程一定是減速運動

C. 線框中產(chǎn)生的焦耳熱小于線框減少的機械能

D. 線框從不同高度下滑時,進入磁場過程中通過線框?qū)Ь橫截面的電荷量相等

【答案】D

【解析】

A.線框進入磁場的過程,ab邊相當于電源,由右手定則知a點電勢高于b點電勢,選項A錯誤;

B.若線圈開始進入磁場時所受的安培力小于mgsinθ,則線圈加速進入磁場;若線圈開始進入磁場時所受的安培力等于mgsinθ,則線圈勻速進入磁場;若線圈開始進入磁場時所受的安培力大于mgsinθ,則線圈減速進入磁場,選項B錯誤;

C.由能量守恒知,線框中產(chǎn)生的焦耳熱等于線框減少的機械能,選項C錯誤;

D.通過導線橫截面的電荷量,與下落高度無關(guān),選項D正確。

練習冊系列答案
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【題目】質(zhì)譜儀是一種測定帶電粒子質(zhì)量和分析同位素的重要儀器,如圖所示:從粒子源中放出的質(zhì)量為m、電荷量為q的正離子(初速為零,重力不計),經(jīng)電勢差為U的加速電場加速,剛出電場時測得離子束的電流為I,之后從Q處垂直進入一個磁感應(yīng)強度為B的勻強電場,之后打到底片上P處,P、Q兩點距離為R.根據(jù)已知條件可知

A.該離子的質(zhì)量為m=

B.該離子在磁場中的運動時間為t=

C.在離子從Q處進入磁場至到達P的時間內(nèi),射到底片上的離子數(shù)目為N=

D.假如粒子源放出初速為零的氕()、氘()、氚()三種離子,這三種離子會打在底片上三個不同位置

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【題目】下列說法中正確的是 (   )

A.據(jù)可知,導體的電阻與加在電阻兩端的電壓成正比。

B.據(jù)可知,通過導體的電流改變,加在電阻兩端的電壓也改變,但導體的電阻不變

C.據(jù)可知,電阻率與導體的電阻和橫截面積的乘積RS成正比,與導體的長度l成反比

D.導體的電阻率與導體的長度l,橫截面積S、導體的電阻R及材料皆無關(guān)

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【題目】如圖所示,質(zhì)量為m、帶電量為-q的小球在光滑導軌上運動,半圓形滑環(huán)的半徑為R。整個裝置放在方向豎直向下,強度為E的勻強電場中,斜軌的高為H,已知。設(shè)過B點時小球的動能不變。試問:

(1)若小球恰好過半圓最高點,則該點速度多大?

(2)若小球從A點靜止釋放后恰好過半圓最高點,則H==?

(3)上問中,小球在B點對圓環(huán)的壓力為多少?

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【題目】一圓筒處于磁感應(yīng)強度大小為的勻強磁場中,磁場方向與筒的軸平行,筒的橫截面如圖所示.圖中直徑的兩端分別開有小孔,筒繞其中心軸以角速度順時針轉(zhuǎn)動.在該截面內(nèi),一帶電粒子從小孔射入筒內(nèi),射入時的運動與30°角.當筒轉(zhuǎn)過90°時,該粒子恰好從小孔飛出圓筒.不計重力.若粒子在筒內(nèi)未與筒壁發(fā)生碰撞,則帶電粒子的比荷為(

A.B.C.D.

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【題目】利用霍爾效應(yīng)制作的霍爾元件,廣泛應(yīng)用于測量和自動控制等領(lǐng)域。如圖是霍爾元件的工作原理示意圖,一塊長為a,寬為c的矩形半導體霍爾元件,元件內(nèi)的導電粒子是電荷量為e的自由電子,通入圖示方向的電流I時,電子的定向移動速度為v,當磁感應(yīng)強度B垂直于霍爾元件的工作面向下時,前后兩側(cè)面會形成電勢差U,下列說法中正確的是

A.前、后表面間的電壓Uv無關(guān)B.前表面的電勢比后表面的高

C.自由電子受到的洛倫茲力大小為D.前、后表面間的電壓Uc成正比

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1)活塞剛碰到氣缸右側(cè)時氣體的溫度;

2)當氣體溫度達到2To時氣體的壓強。

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【題目】如圖所示,地面上方分布著豎直向上的勻強電場。一帶正電的小球從油中A處由靜止釋放后豎直下落,下落過程中受到油對球的阻力,且阻力與球的速度平方成正比。已知小球在AB段做加速運動,在BC段做勻速運動,MN是小球下落過程中經(jīng)過的兩個位置。小球在此運動過程中說法正確的是

A.AB段的加速度大小逐漸增大

B.M點的機械能大于N點的機械能

C.重力的沖量大于電場力的沖量

D.機械能和電勢能的總量保持不變

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