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“電子能量分析器”主要由處于真空中的電子偏轉器和探測板組成。偏轉器是由兩個相互絕緣、半徑分別為RARB的同心圓金屬半球面AB構成,A、B為電勢值不等的等勢面,其過球心的截面如圖所示。一束電荷量為e、質量為m的電子以不同的動能從偏轉器左端M的正中間小孔垂直入射,進入偏轉電場區(qū)域,最后到達偏轉器右端的探測板N,其中動能為Ek0的電子沿等勢面C做勻速圓周運動到達N板的正中間。忽略電場的邊緣效應。

(1)判斷球面AB的電勢高低,并說明理由;
(2)求等勢面C所在處電場強度E的大小;
(3)若半球面A、B和等勢面C的電勢分別為φAφBφC,則到達N板左、右邊緣處的電子,經過偏轉電場前、后的動能改變量ΔEK和ΔEK分別為多少?
(4)比較|ΔEK|和|ΔEK|的大小,并說明理由。

(1)
(2)
(3)對于到達N板左邊緣的電子,電場力做正功,動能增加,有:
對到達N板右邊緣的電子,電場力做負功,動能減小,有
(4)

解析

練習冊系列答案
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科目:高中物理 來源: 題型:

(2013?浙江)“電子能量分析器”主要由處于真空中的電子偏轉器和探測板組成.偏轉器是由兩個相互絕緣、半徑分別為RA和RB的同心金屬半球面A和B構成,A、B為電勢值不等的等勢面,其過球心的截面如圖所示.一束電荷量為e、質量為m的電子以不同的動能從偏轉器左端M的正中間小孔垂直入射,進入偏轉電場區(qū)域,最后到達偏轉器右端的探測板N,其中動能為Ek0的電子沿等勢面C做勻速圓周運動到達N板的正中間.忽略電場的邊緣效應.
(1)判斷球面A、B的電勢高低,并說明理由;
(2)求等勢面C所在處電場強度E的大。
(3)若半球面A、B和等勢面C的電勢分別為φA、φB和φC,則到達N板左、右邊緣處的電子,經過偏轉電場前、后的動能改變量△Ek左和△Ek右分別為多少?
(4)比較|△Ek左|和|△Ek右|的大小,并說明理由.

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科目:高中物理 來源: 題型:

 “電子能量分析器”主要由處于真空中的電子偏轉器和探測板組成。偏轉器是由兩個相互絕緣、半徑分別為RARB的同心金屬半球面AB構成,A、B為電勢值不等的等勢面,其過球心的截面如圖所示。一束電荷量為e、質量為m的電子以不同的動能從偏轉器左端M的正中間小孔垂直入射,進入偏轉電場區(qū)域,最后到達偏轉器右端的探測板N,其中動能為Ek0的電子沿等勢面C做勻速圓周運動到達N板的正中間。忽略電場的邊緣效應。

(1)判斷半球面A、B的電勢高低,并說明理由;

(2)求等勢面C所在處電場強度E的大;

(3)若半球面A、B和等勢面C的電勢分別為φAφBφC,則到達N板左、右邊緣處的電子,經過偏轉電場前、后的動能改變量ΔEK和ΔEK分別為多少?

(4)比較|ΔEK|和|ΔEK|的大小,并說明理由。

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科目:高中物理 來源: 題型:

 “電子能量分析器”主要由處于真空中的電子偏轉器和探測板組成.偏轉器是由兩個相互絕緣、半徑分別為RA和RB的同心金屬半球面A和B構成,A、B為電勢值不等的等勢面,其過球心的截面如圖所示.一束電荷量為e、質量為m的電子以不同的動能從偏轉器左端M的正中間小孔垂直入射,進入偏轉電場區(qū)域,最后到達偏轉器右端的探測板N,其中動能為Ek0的電子沿等勢面C做勻速圓周運動到達N板的正中間.忽略電場的邊緣效應.

(1)判斷半球面A、B的電勢高低,并說明理由;

(2)求等勢面C所在處電場強度E的大;

(3)若半球面A、B和等勢面C的電勢分別為A、B和C,到達N板左、右邊緣處的電子,經過偏轉電場后動能如何改變?改變量的大小|ΔEK左|和|ΔEK右|分別為多少?

(4)比較|ΔEK左|和|ΔEK右|的大小,并說明理由.

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科目:高中物理 來源:2013-2014學年高考物理大二輪復習與測試強化練:功能關系在電學中的應用(解析版) 題型:計算題

電子能量分析器主要由處于真空中的電子偏轉器和探測板組成.偏轉器是由兩個相互絕緣、半徑分別為RARB的同心金屬半球面AB構成,AB為電勢值不等的等勢面,其過球心的截面如圖所示.一束電荷量為e、質量為m的電子以不同的動能從偏轉器左端M板正中間小孔垂直入射,進入偏轉電場區(qū)域,最后到達偏轉器右端的探測板N,其中動能為Ek0的電子沿等勢面C做勻速圓周運動到達N板的正中間.忽略電場的邊緣效應.

(1)判斷半球面A、B的電勢高低,并說明理由;

(2)求等勢面C所在處電場強度E的大小;

(3)若半球面A、B和等勢面C的電勢分別為φAφBφC,則到達N板左、右邊緣處的電子,經過偏轉電場前、后的動能改變量ΔEkΔEk分別為多少?

(4)比較|ΔEk||ΔEk|的大小,并說明理由.

 

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