(2006?西城區(qū)一模)如圖所示,兩根足夠長的直金屬導(dǎo)軌MN、PQ平行放置在傾角為θ的絕緣斜面上,兩導(dǎo)軌間距為L.M、P兩點間接有阻值為R的電阻.一根質(zhì)量為m的均勻直金屬桿ab放在兩導(dǎo)軌上,并與導(dǎo)軌垂直.整套裝置處于勻強磁場中,磁場方向垂直于斜面向上.導(dǎo)軌和金屬桿的電阻可忽略.讓金屬桿ab沿導(dǎo)軌由靜止開始下滑,經(jīng)過足夠長的時間后,金屬桿達到最大速度vm,在這個過程中,電阻R上產(chǎn)生的熱為Q.導(dǎo)軌和金屬桿接觸良好,它們之間的動摩擦因數(shù)為μ,且μ<tanθ.已知重力加速度為g.
(1)求磁感應(yīng)強度的大。
(2)金屬桿在加速下滑過程中,當(dāng)速度達到
13
vm時,求此時桿的加速度大。
(3)求金屬桿從靜止開始至達到最大速度的過程中下降的高度.
分析:(1)金屬桿先沿導(dǎo)軌向下做加速度減小的變加速運動,后做勻速運動,速度達到最大值,此時金屬桿受力平衡,根據(jù)平衡條件和安培力公式,求出磁感應(yīng)強度B的大小.
(2)金屬桿在加速下滑過程中,當(dāng)速度達到
1
3
vm
時,求出安培力,由牛頓第二定律求解加速度大。
(3)金屬桿從靜止開始至達到最大速度的過程中,其重力勢能減小,轉(zhuǎn)化為桿的動能、摩擦生熱和電路中的焦耳熱,根據(jù)能量守恒定律求解桿下降的高度.
解答:解:(1)當(dāng)桿達到最大速度時受力平衡,受力如圖  

mgsinθ=BIL+μN         
N=mgcosθ                 
電路中電流 I=
E
R
=
BLvm
R
             
解得  B=
mgR(sinθ-μcosθ)
L2vm
  
(2)當(dāng)桿的速度為
1
3
vm
時,由牛頓第二定律:mgsinθ-BIL-μN=ma  
此時電路中電流:I′=
E′
R
=
BLvm
3R
          
解得 a=
2
3
gsinθ-
2
3
μgcosθ
   
(3)設(shè)金屬桿從靜止開始至達到最大速度的過程中下降的高度為h,由能量守恒:mgh=
1
2
m
v
2
m
+Q+μmgcosθ?s
 
又      h=s?sinθ                       
解得   h=
m
v
2
m
+2Q
2mg(1-μcotθ)

答:(1)磁感應(yīng)強度的大小B=
mgR(sinθ-μcosθ)
L2vm
;
(2)當(dāng)速度達到
1
3
vm時,求此時桿的加速度大小a=
2
3
gsinθ-
2
3
μgcosθ

(3)金屬桿下降的高度h=
m
v
2
m
+2Q
2mg(1-μcotθ)
點評:本題的關(guān)鍵是會推導(dǎo)安培力的表達式,根據(jù)平衡條件、牛頓第二定律和能量守恒研究電磁感應(yīng)現(xiàn)象,常規(guī)題.
練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中物理 來源: 題型:

(2006?西城區(qū)一模)如圖,木板可繞固定的水平軸O轉(zhuǎn)動.木板從水平位置OA緩慢轉(zhuǎn)到OB位置,木板上的物塊始終相對于木板靜止.在這一過程中,物塊的重力勢能增加了2J.用N表示物塊受到的支持力,用f表示物塊受到的靜摩擦力.在這一過程中,以下判斷正確的是( 。

查看答案和解析>>

科目:高中物理 來源: 題型:

(2006?西城區(qū)一模)如圖所示,水平地面AB距離S=10m.BCD是半徑為R=0.9m的光滑半圓軌道,O是圓心,DOB在同一豎直線上.一個質(zhì)量m=1.0kg的物體靜止在A點.現(xiàn)用F=10N的水平恒力作用在物體上,使物體從靜止開始做勻加速直線運動.物體與水平地面間的動摩擦因數(shù)μ=0.5.當(dāng)物體運動到B點時撤去F,以后物體沿BCD軌道運動,離開最高點D后落到地上的P點(圖中未畫出).g取10m/s2.求:
?(1)物體運動到B點時的速度大;
?(2)物體運動到D點時的速度大小;
?(3)物體落地點P與B點間的距離.?

查看答案和解析>>

科目:高中物理 來源: 題型:

(2006?西城區(qū)一模)如圖甲,一彈簧振子在AB間做簡諧運動,O為平衡位置.如圖乙是振子做簡諧運動時的位移-時間圖象.則關(guān)于振子的加速度隨時間的變化規(guī)律,下列四個圖象中正確的是(  )

查看答案和解析>>

科目:高中物理 來源: 題型:

(2006?西城區(qū)一模)在高能物理研究中,粒子回旋加速器起著重要作用,如圖甲為它的示意圖.它由兩個鋁制D型金屬扁盒組成,兩個D形盒正中間開有一條窄縫.兩個D型盒處在勻強磁場中并接有高頻交變電壓.圖乙為俯視圖,在D型盒上半面中心S處有一正離子源,它發(fā)出的正離子,經(jīng)狹縫電壓加速后,進入D型盒中.在磁場力的作用下運動半周,再經(jīng)狹縫電壓加速.如此周而復(fù)始,最后到達D型盒的邊緣,獲得最大速度,由導(dǎo)出裝置導(dǎo)出.已知正離子的電荷量為q,質(zhì)量為m,加速時電極間電壓大小為U,磁場的磁感應(yīng)強度為B,D型盒的半徑為R.每次加速的時間很短,可以忽略.正離子從離子源出發(fā)時的初速度為零.
(1)為了使正離子每經(jīng)過窄縫都被加速,求交變電壓的頻率;
(2)求離子能獲得的最大動能;
(3)求離子第1次與第n次在下半盒中運動的軌道半徑之比.

查看答案和解析>>

同步練習(xí)冊答案