如圖所示勻強電場分布在寬度為L的區(qū)域內(nèi),一個正離子以初速度v0垂直于電場方向射入場強為E的勻強電場中,穿出電場區(qū)域時偏轉(zhuǎn)角為θ.在同樣的寬度范圍內(nèi),若改用方向垂直于紙面向里的勻強磁場,使該離子穿過磁場區(qū)域時偏轉(zhuǎn)角也為θ,求:(離子重力忽略不計)
(1)正離子的電荷量q與其質(zhì)量m的比值;
(2)勻強磁場磁感應(yīng)強度B的大小;
(3)離子穿過勻強電場與穿過勻強磁場所用時間之比.
分析:(1)正離子在電場中做類平拋運動,水平方向做勻速直線運動,豎直方向做初速為零的勻加速直線運動,由牛頓第二定律和運動學(xué)公式結(jié)合得到偏轉(zhuǎn)角正切的表達(dá)式,即可求出正離子的電荷量q與其質(zhì)量m的比值;
(2)在磁場中,離子由洛倫茲力提供向心力,由幾何知識求出半徑,由牛頓第二定律求出磁感應(yīng)強度B的大小.
(3)離子穿過電場時,由水平方向的運動位移和速度求出時間.在磁場中,由t=
s
v
=
v
求出時間,即可得解.
解答:解(1)正離子在電場中,水平方向做勻速直線運動,在電場中運動時
間為  t=
L
v0

離子在豎直方向做初速為零的勻加速直線運動射出電場時的速度為
   vy=at=
EqL
mv0

如圖所示  tanθ=
vy
v0
=
at
v0
=
qEL
m
v
2
0

q
m
=
v
2
0
tanθ
EL
  ①
(2)磁場中,離子的軌跡如圖所示,由幾何知識得  R=
L
sinθ
  ②
qv0B=m
v
2
0
R

∴B=
mv0
qR
  ③
①②③式聯(lián)立  B=
Ecosθ
v0

(3)離子穿過電場的時間為t1=
L
v0

離子穿過磁場的時間為t2=
v0

t1
t2
=
L
v0
?
v0
=
sinθ
θ

答:
(1)正離子的電荷量q與其質(zhì)量m的比值是
v
2
0
tanθ
El
;
(2)勻強磁場磁感應(yīng)強度B的大小是
Ecosθ
v0
;
(3)離子穿過勻強電場與穿過勻強磁場所用時間之比是
sinθ
θ
點評:本題是離子分別在電場中和磁場中運動的問題,要抓住研究方法的區(qū)別,不能混淆.
練習(xí)冊系列答案
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科目:高中物理 來源: 題型:

如圖所示勻強電場分布在寬度為L的區(qū)域內(nèi),一個正離子以初速度垂直于電場方向射入場強為E的勻強電場中,穿出電場區(qū)域時偏轉(zhuǎn)角為。在同樣的寬度范圍內(nèi),若改用方向垂直于紙面向里的勻強磁場,使該離子穿過磁場區(qū)域時偏轉(zhuǎn)角也為,求:(離子重力忽略不計)

    (1)正離子的電荷量q與其質(zhì)量m的比值;

         (2)勻強磁場磁感應(yīng)強度B的大小;

         (3)離子穿過勻強電場與穿過勻強磁場所用時間之比。

 

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    (1)正離子的電荷量q與其質(zhì)量m的比值;

    (2)勻強磁場磁感應(yīng)強度B的大。

    (3)離子穿過勻強電場與穿過勻強磁場所用時間之比。

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(1)正離子的電荷量q與其質(zhì)量m的比值;

(2)勻強磁場磁感應(yīng)強度B的大。

(3)離子穿過勻強電場與穿過勻強磁場所用時間之比。

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(1)正離子的電荷量q與其質(zhì)量m的比值;

(2)勻強磁場磁感應(yīng)強度B的大小;

(3)離子穿過勻強電場與穿過勻強磁場所用時間之比。

 

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