如圖所示勻強(qiáng)電場分布在寬度為L的區(qū)域內(nèi),一個正離子以初速度垂直于電場方向射入場強(qiáng)為E的勻強(qiáng)電場中,穿出電場區(qū)域時偏轉(zhuǎn)角為。在同樣的寬度范圍內(nèi),若改用方向垂直于紙面向里的勻強(qiáng)磁場,使該離子穿過磁場區(qū)域時偏轉(zhuǎn)角也為,求:(離子重力忽略不計)
(1)正離子的電荷量q與其質(zhì)量m的比值;
(2)勻強(qiáng)磁場磁感應(yīng)強(qiáng)度B的大;
(3)離子穿過勻強(qiáng)電場與穿過勻強(qiáng)磁場所用時間之比。
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如圖所示勻強(qiáng)電場分布在寬度為L的區(qū)域內(nèi),一個正離子以初速度垂直于電場方向射入場強(qiáng)為E的勻強(qiáng)電場中,穿出電場區(qū)域時偏轉(zhuǎn)角為。在同樣的寬度范圍內(nèi),若改用方向垂直于紙面向里的勻強(qiáng)磁場,使該離子穿過磁場區(qū)域時偏轉(zhuǎn)角也為,求:(離子重力忽略不計)
(1)正離子的電荷量q與其質(zhì)量m的比值;
(2)勻強(qiáng)磁場磁感應(yīng)強(qiáng)度B的大;
(3)離子穿過勻強(qiáng)電場與穿過勻強(qiáng)磁場所用時間之比。
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如圖所示勻強(qiáng)電場分布在寬度為L的區(qū)域內(nèi),一個正離子以初速度垂直于電場方向射入場強(qiáng)為E的勻強(qiáng)電場中,穿出電場區(qū)域時偏轉(zhuǎn)角為。在同樣的寬度范圍內(nèi),若改用方向垂直于紙面向里的勻強(qiáng)磁場,使該離子穿過磁場區(qū)域時偏轉(zhuǎn)角也為,求:(離子重力忽略不計)
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(2)勻強(qiáng)磁場磁感應(yīng)強(qiáng)度B的大。
(3)離子穿過勻強(qiáng)電場與穿過勻強(qiáng)磁場所用時間之比。
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如圖所示勻強(qiáng)電場分布在寬度為L的區(qū)域內(nèi),一個正離子以初速度垂直于電場方向射入場強(qiáng)為E的勻強(qiáng)電場中,穿出電場區(qū)域時偏轉(zhuǎn)角為。在同樣的寬度范圍內(nèi),若改用方向垂直于紙面向里的勻強(qiáng)磁場,使該離子穿過磁場區(qū)域時偏轉(zhuǎn)角也為,求:(離子重力忽略不計)
(1)正離子的電荷量q與其質(zhì)量m的比值;
(2)勻強(qiáng)磁場磁感應(yīng)強(qiáng)度B的大。
(3)離子穿過勻強(qiáng)電場與穿過勻強(qiáng)磁場所用時間之比。
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