如圖所示，一個(gè)電量為+Q的點(diǎn)電荷甲，固定在絕緣水平面上的O點(diǎn)．另一個(gè)電量為﹣q及質(zhì)量為m的點(diǎn)電荷乙，從A點(diǎn)以初速度v0沿它們的連線向甲運(yùn)動(dòng)，到B點(diǎn)速度最小，最小值為v．已知靜電力常量為k 、點(diǎn)電荷乙與水平面的動(dòng)摩擦因數(shù)為μ 及 AB間距離為L(zhǎng)0，則

A．OB間的距離為

B．從A到B的過(guò)程中，電場(chǎng)力對(duì)點(diǎn)電荷乙做的功為

C．從A到B的過(guò)程中，電場(chǎng)力對(duì)點(diǎn)電荷乙做的功為

D．在點(diǎn)電荷甲形成的電場(chǎng)中，AB間電勢(shì)差

AB


解析:

由題意電荷從A點(diǎn)以初速度v0沿它們的連線向甲運(yùn)動(dòng)，到B點(diǎn)速度最小，說(shuō)明庫(kù)侖力小于摩擦力可知運(yùn)動(dòng)電荷從A至B做加速度減小的減速運(yùn)動(dòng)。B點(diǎn)的加速度減為0，庫(kù)侖力等于摩擦力，所以O(shè)B間的距離為。根據(jù)此過(guò)程動(dòng)能定理得：電場(chǎng)力對(duì)點(diǎn)電荷乙做的功為

練習(xí)冊(cè)系列答案
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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：

如圖所示，一個(gè)電量為-Q的點(diǎn)電荷甲，固定在絕緣水平面上的O點(diǎn)．另一個(gè)電學(xué)量為+q及質(zhì)量為m的點(diǎn)電荷乙，從A點(diǎn)以初速度v0沿它們的連線向甲運(yùn)動(dòng)，到B點(diǎn)的速度最小為v．已知點(diǎn)電荷乙與水平面的動(dòng)摩擦因數(shù)為μ、AB間距離為L(zhǎng)0及靜電力常量為k，則（　�。�

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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：

（2009?揚(yáng)州模擬）如圖所示，一個(gè)電量為+Q的點(diǎn)電荷甲，固定在絕緣水平面上的O點(diǎn)，另一個(gè)電量為-q、質(zhì)量為m的點(diǎn)電荷乙從A點(diǎn)以初速度v0沿它們的連線向甲運(yùn)動(dòng)，到B點(diǎn)時(shí)速度最小且為v．已知靜電力常量為k，點(diǎn)電荷乙與水平面的動(dòng)摩擦因數(shù)為μ，AB間距離為L(zhǎng)則（　�。�

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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：

（2011?鷹潭一模）如圖所示，一個(gè)電量為-Q的點(diǎn)電荷甲，固定在絕緣水平面上的O點(diǎn)．另一個(gè)電學(xué)量為+q及質(zhì)量為m的點(diǎn)電荷乙，從A點(diǎn)以初速度v0沿它們的連線向甲運(yùn)動(dòng)，運(yùn)動(dòng)到B點(diǎn)時(shí)的速度為v，且為運(yùn)動(dòng)過(guò)程中速度最小值．已知點(diǎn)電荷乙與水平面的動(dòng)摩擦因數(shù)為μ，AB間距離為L(zhǎng)0，靜電力常量為k，則下列說(shuō)法正確的是（　�。�

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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：

（2013?湖南模擬）如圖所示，一個(gè)電量為+Q的點(diǎn)電荷甲，固定在絕緣水平面上的O點(diǎn)，另一個(gè)電量為-q、質(zhì)量為m的點(diǎn)電荷乙從A點(diǎn)以初速度vo沿它們的連線向甲運(yùn)動(dòng)，到B點(diǎn)時(shí)速度最小且為v．已知靜電力常量為k，點(diǎn)電荷乙與水平面的動(dòng)摩擦因數(shù)為μ，AB間距離為L(zhǎng)，則以下說(shuō)法不正確的是（　�。�

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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：

精英家教網(wǎng)如圖所示，一個(gè)電量為-Q的點(diǎn)電荷甲，固定在絕緣水平面上的O點(diǎn)．另一個(gè)電量為+q及質(zhì)量為m的點(diǎn)電荷乙，從A點(diǎn)以初速度v0沿它們的連線向甲運(yùn)動(dòng)，到B點(diǎn)的速度最小為v．已知點(diǎn)電荷乙與水平面的動(dòng)摩擦因數(shù)為μ、AB間距離為L(zhǎng)0及靜電力常量為k，則（　�。�
A、OB間的距離大于
kQq
μmg
B、點(diǎn)電荷乙能越過(guò)B點(diǎn)向左運(yùn)動(dòng)，其電勢(shì)能仍增多
C、在點(diǎn)電荷甲形成的電場(chǎng)中，AB間電勢(shì)差UAB=
μmgL+
1
2
mv2-
1
2
m
v
2
0
q
D、從A到B的過(guò)程中，電場(chǎng)力對(duì)點(diǎn)電荷乙做的功為W=μmgL0+
1
2
m
v
2
0
-
1
2
mv2

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