如圖所示,一個(gè)電量為-Q的點(diǎn)電荷甲,固定在絕緣水平面上的O點(diǎn).另一個(gè)電學(xué)量為+q及質(zhì)量為m的點(diǎn)電荷乙,從A點(diǎn)以初速度v0沿它們的連線向甲運(yùn)動(dòng),到B點(diǎn)的速度最小為v.已知點(diǎn)電荷乙與水平面的動(dòng)摩擦因數(shù)為μ、AB間距離為L(zhǎng)0及靜電力常量為k,則( 。
分析:本題首先要正確分析物體受力特點(diǎn),明確力和運(yùn)動(dòng)的關(guān)系,在本題中注意滑動(dòng)摩擦力的大小方向不變,兩球靠近過(guò)程中庫(kù)侖力逐漸增大,小球先減速后加速,根據(jù)牛頓第二定律和功能關(guān)系可正確解答.
解答:解:A、當(dāng)速度最小時(shí)有:mgμ=F庫(kù)=k
Qq
r2
,解得:r=
kQq
μmg
,故A正確;
B、在小球向左運(yùn)動(dòng)過(guò)程中電場(chǎng)力一直做正功,因此電勢(shì)能一直減小,故B錯(cuò)誤;
C、點(diǎn)電荷從A運(yùn)動(dòng)B過(guò)程中,根據(jù)動(dòng)能定理有:UABq-mgμL0=
1
2
mv2-
1
2
m
v
2
0
,解得,UAB=
μmgL0+
1
2
mv2-
1
2
m
v
2
0
q
.故C正確.
D、從A到B的過(guò)程中,電場(chǎng)力對(duì)點(diǎn)電荷乙做的功為W=UABq=mgμL0+
1
2
mv2-
1
2
m
v
2
0
,故D錯(cuò)誤.
故選AC
點(diǎn)評(píng):本題在借助庫(kù)侖力的基礎(chǔ)知識(shí),考查了力與運(yùn)動(dòng)、牛頓第二定理、動(dòng)能定理等基礎(chǔ)知識(shí)的綜合應(yīng)用,是考查學(xué)生綜合能力的好題.
練習(xí)冊(cè)系列答案
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(2009?揚(yáng)州模擬)如圖所示,一個(gè)電量為+Q的點(diǎn)電荷甲,固定在絕緣水平面上的O點(diǎn),另一個(gè)電量為-q、質(zhì)量為m的點(diǎn)電荷乙從A點(diǎn)以初速度v0沿它們的連線向甲運(yùn)動(dòng),到B點(diǎn)時(shí)速度最小且為v.已知靜電力常量為k,點(diǎn)電荷乙與水平面的動(dòng)摩擦因數(shù)為μ,AB間距離為L(zhǎng)則( 。

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(2011?鷹潭一模)如圖所示,一個(gè)電量為-Q的點(diǎn)電荷甲,固定在絕緣水平面上的O點(diǎn).另一個(gè)電學(xué)量為+q及質(zhì)量為m的點(diǎn)電荷乙,從A點(diǎn)以初速度v0沿它們的連線向甲運(yùn)動(dòng),運(yùn)動(dòng)到B點(diǎn)時(shí)的速度為v,且為運(yùn)動(dòng)過(guò)程中速度最小值.已知點(diǎn)電荷乙與水平面的動(dòng)摩擦因數(shù)為μ,AB間距離為L(zhǎng)0,靜電力常量為k,則下列說(shuō)法正確的是( 。

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(2013?湖南模擬)如圖所示,一個(gè)電量為+Q的點(diǎn)電荷甲,固定在絕緣水平面上的O點(diǎn),另一個(gè)電量為-q、質(zhì)量為m的點(diǎn)電荷乙從A點(diǎn)以初速度vo沿它們的連線向甲運(yùn)動(dòng),到B點(diǎn)時(shí)速度最小且為v.已知靜電力常量為k,點(diǎn)電荷乙與水平面的動(dòng)摩擦因數(shù)為μ,AB間距離為L(zhǎng),則以下說(shuō)法不正確的是( 。

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精英家教網(wǎng)如圖所示,一個(gè)電量為-Q的點(diǎn)電荷甲,固定在絕緣水平面上的O點(diǎn).另一個(gè)電量為+q及質(zhì)量為m的點(diǎn)電荷乙,從A點(diǎn)以初速度v0沿它們的連線向甲運(yùn)動(dòng),到B點(diǎn)的速度最小為v.已知點(diǎn)電荷乙與水平面的動(dòng)摩擦因數(shù)為μ、AB間距離為L(zhǎng)0及靜電力常量為k,則( 。
A、OB間的距離大于
kQq
μmg
B、點(diǎn)電荷乙能越過(guò)B點(diǎn)向左運(yùn)動(dòng),其電勢(shì)能仍增多
C、在點(diǎn)電荷甲形成的電場(chǎng)中,AB間電勢(shì)差UAB=
μmgL+
1
2
mv2-
1
2
m
v
2
0
q
D、從A到B的過(guò)程中,電場(chǎng)力對(duì)點(diǎn)電荷乙做的功為W=μmgL0+
1
2
m
v
2
0
-
1
2
mv2

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