(2013?永康市模擬)均勻?qū)Ь制成的單匝正方形閉合線框abcd,每邊長L=0.1m,總電阻R=0.1Ω,總質(zhì)量為m=0.1kg.將其置于磁感強(qiáng)度B=1.0T的水平勻強(qiáng)磁場上方h處,如圖所示.線框由靜止自由下落,線框平面保持在豎直平面內(nèi),且cd邊始終與水平的磁場邊界面平行,取g=10m/s2
(1)當(dāng)cd邊剛進(jìn)入磁場時,線框做勻速直線運動,求線框下落的高度h;
(2)線框進(jìn)入磁場過程中的電功率P;
(3)若磁場的寬度等于L,從cd剛進(jìn)入磁場到ab完全離開磁場的過程中,試在答題卷的坐標(biāo)紙中畫出cd兩點間的電勢差Ucd與時間的關(guān)系圖線,在圖象中注明關(guān)鍵點的數(shù)據(jù)(不要求書寫求解過程);
(4)為了減小下落的高度就能使線框剛進(jìn)入磁場時就做勻速直線運動,三個同學(xué)各自提出了方案:
甲:用同種規(guī)格的導(dǎo)線,做成邊長為2L的單匝線框;
乙:用同種材料但粗一些的導(dǎo)線,做成邊長仍為L的單匝線框;
丙:用同種規(guī)格的導(dǎo)線,做成邊長仍為L的雙匝線框;
對上述三位同學(xué)的方案,請給出你的評價.
分析:(1)當(dāng)cd邊剛進(jìn)入磁場時,線框做勻速直線運動時,安培力與重力平衡.而安培力與速度有關(guān),根據(jù)法拉第電磁感應(yīng)定律、歐姆定律推導(dǎo)出安培力與速度的關(guān)系式,由平衡條件求出速度,再根據(jù)運動學(xué)公式求解h.
(2)由BLv和I=
E
R
求出線框中的感應(yīng)電流大小,線框進(jìn)入磁場過程中的電功率由公式P=I2R求解.
(3)從cd剛進(jìn)入磁場到ab完全離開磁場的過程中,分段畫出電勢差Ucd與時間的關(guān)系圖線.
(4)根據(jù)線框進(jìn)入磁場勻速運動的速度表達(dá)式,結(jié)合密度公式、電阻定律進(jìn)行分析.
解答:解:(1)設(shè)cd邊剛進(jìn)入磁場時的速度為v,cd邊產(chǎn)生的電動勢 E=BLv,
線圈中產(chǎn)生的感應(yīng)電流 I=
E
R
,cd邊受到的安培力 F=BIL=
B2L2v
R

線圈做勻速直線運動,由平衡條件得:
  mg=
B2L2v
R

代人數(shù)據(jù)解得:v=
mgR
B2L2
=10m/s
由運動學(xué)公式得:h=
v2
g
=
102
2×10
m=5m
(2)由(1)可得:E=BLv=1.0×0.1×10V=1.0V,
 I=
E
R
=
1.0
0.1
A=10A
所以線框進(jìn)入磁場過程中的電功率為 P=I2R=102×0.1W=10W
(3)從cd剛進(jìn)入磁場到ab完全離開磁場的過程中,分段畫出的電勢差Ucd與時間的關(guān)系圖線如圖所示.
(4)線圈勻速進(jìn)入磁場應(yīng)滿足的方程式:v=
mgR
B2L2

①對甲同學(xué)將L→2L,只需將方程式中的R→2R,m→2m,L→2L
所以v′=
(2m)g(2R)
B2(2L)2
=
mgR
B2L2
=v,h′=h,故甲的方案不可行.
②對乙同學(xué)的方案,先設(shè)原橫截面積為S,后來的橫截面積為S′,
則有:m=ρ?4L?S,m′=ρ?4L?S′,R=ρ
4L
S
,R′=ρ
4L
S′
,
 v=
(ρ?4L?S)g(ρ?
4L
S
)
B2L2
=
16gρρ
B2
,v′=
(ρ?4L?S′)g(ρ
4L
S′
)
B2L2
=
16gρρ
B2

所以v′=v=
16Gρρ
B2
,h′=h,故乙的方案也不可行.
③對丙同學(xué)的方案,兩匝線圈是串聯(lián)關(guān)系,易得:m′=2m,R′=2R,E′=2E
由于 I=
E
R
、I′=
E′
R′
=
2E
2R
=
E
R

得:I′=I
F=BIL=
B2L2v
R
=mg?v=
mgR
B2L2
、F′=2BI′L=2
B2L2v′
R
=2mg
得:v′=
mgR
B2L2

所以有:v′=v=
mgR
B2L2
,h′=h,故丙的方案還是不可行.
答:(1)線框下落的高度h為5m;
(2)線框進(jìn)入磁場過程中的電功率P為10W;
(3)坐標(biāo)紙中畫出cd兩點間的電勢差Ucd與時間的關(guān)系圖線見上,在圖象中注明關(guān)鍵點的數(shù)據(jù)見上;
(4)對上述三位同學(xué)的方案都不行.
點評:第1小題比較常規(guī),關(guān)鍵推導(dǎo)出安培力的表達(dá)式.第2小題是評價題,要根據(jù)速度的表達(dá)式,由密度公式和電阻定律綜合分析.
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