【題目】下列說法正確的是( )
A. 光電效應既顯示了光的粒子性,又顯示了光的波動性
B. 原子核內(nèi)的中子轉(zhuǎn)化成一個質(zhì)子和一個電子,這種轉(zhuǎn)化產(chǎn)生的電子發(fā)射到核外,就是β粒子,這就是β衰變的實質(zhì)
C. 靜止的核在a衰變完成的瞬間,產(chǎn)生的兩個新核和的速率之比為4:234
D. 按照玻爾理論,氫原子核外電子從半徑較小的軌道躍遷到半徑較大的軌道時,電子的動能減小,電勢能增大,原子的總能量增大
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【題目】如圖所示,AB為勻質(zhì)桿,其重為8N,它與豎直墻面成37°角;BC為支撐AB的水平輕桿,A、B、C三處均用鉸鏈連接且位于同一豎直平面內(nèi).求BC桿對B端鉸鏈的作用力的大小和方向(sin37°=0.6,cos37°=0.8)
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【題目】某電站用11kV交變電壓輸電,輸送功率一定,輸電線的電阻為R,現(xiàn)若用變壓器將電壓升高到330kV送電,下面選項正確的是( )
A. 因I=,所以輸電上的電流增為原來的30倍
B. 因為I=,所以輸電線上的電流減為原來的
C. 因P=,所以輸電線上損失的功率為原來的900倍
D. 若要使輸電線上損失功率不變,可將輸電線的半徑減為原來的
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【題目】如圖所示,固定的光滑絕緣斜面的底端固定著一個帶正電的小物塊P,將另一個帶電小物塊Q在斜面的某位置由靜止釋放,它將沿斜面向上運動.設斜面足夠長,則在Q向上運動的過程中 ( )
A. 物塊P、Q的電勢能和動能之和先增大后減小
B. 物塊P、Q的重力勢能和電勢能之和先減小后增大
C. 物塊P、Q的重力勢能和電勢能之和先增大后減小
D. 物塊P、Q的重力勢能和動能之和先增大后減小
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【題目】下列關于電場強度的說法中,正確的是( )
A. 公式只適用于真空中點電荷產(chǎn)生的電場
B. 由公式可知,電場中某點的電場強度E與試探電荷在電場中該點所受的電場力成正比
C. 在公式中, 是點電荷Q2產(chǎn)生的電場在點電荷Q1處的場強大小; 是點電荷Q1產(chǎn)生的電場在點電荷Q2處的場強大小
D. 由公式可知,在離點電荷非?拷牡胤剑r→0),電場強度E可達無窮大
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【題目】某同學進行“測定電池的電動勢和內(nèi)阻”實驗。
(1)提供的器材如圖甲所示,其中兩節(jié)干電池串聯(lián)作為電源,部分線路已連好,請用筆畫線代表導線把圖甲中的實物連接成測量電路。_____
(2)圖乙中的6個點表示實驗測得的6組電流Ⅰ、電壓U的值,在答題卷上作出U-I圖線___,由此圖線求得的兩節(jié)電池總電動勢E=_______V,兩節(jié)電池總內(nèi)阻r_______Ω。(結(jié)果保留2位小數(shù))
圖甲 圖乙
(3)若所給的電流表已被損壞,現(xiàn)取來電阻箱,重新設計電路測定電池的電動勢和內(nèi)阻。下列選項中最為合理的是__________。
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【題目】電場中有一點P,下列說法正確的是 ( )
A. 若放在P點的電荷的電量減半,則P點場強減半
B. 若P點沒有檢驗電荷,則P點的場強為零
C. P點的場強越大,則同一電荷在P點所受的電場力越大
D. P點的場強方向為檢驗電荷在該點的受力方向
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【題目】如圖所示為某款彈射游戲示意圖,光滑水平臺面上固定發(fā)射器、豎直光滑圓軌道和粗糙斜面,豎直面和豎直靶板。通過輕質(zhì)拉桿將發(fā)射器的彈簧壓縮一定距離后釋放,滑塊從點彈出并從點進人圓軌道,繞轉(zhuǎn)一周后繼續(xù)在平直軌道上前進,從點沿斜面向上運動,滑塊從點射向靶板目標(滑塊從水平面滑上斜面時不計能量損失)。已知滑塊質(zhì)量,斜面傾角,斜面長,滑塊與斜面之間的動摩擦因數(shù),豎直面與靶板間距離為,點離靶板上環(huán)中心點的豎直距離,忽略空氣阻力,滑塊可視為質(zhì)點。已知,取,求:
(1)若要使滑塊恰好能夠到達點,則圓軌道允許的最大半徑為多大?
(2)在另一次彈射中發(fā)現(xiàn)滑塊恰能水平擊中靶板上的點,則此次滑塊被彈射前彈簧被壓縮到最短時的彈性勢能為多大? (結(jié)果保留三位有效數(shù)字)
(3)若板可沿水平方向左右移動靠近或遠高斜面,以保證滑塊從點出射后均能水平擊中靶板。以點為坐標原點,建立水平豎直坐標系(如圖) ,則滑塊水平擊中靶板位置坐標應滿足什么條件?
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【題目】如圖,一半徑為R、粗糙程度處處相同的半圓形軌道豎直固定放置,直徑POQ水平。一質(zhì)量為m的質(zhì)點自P點上方高度R處由靜止開始下落,恰好從P點進入軌道。質(zhì)點滑到軌道最低點N時,對軌道的壓力為4mg,g為重力加速度的大小。用W表示質(zhì)點從P點運動到N點的過程中克服摩擦力所做的功。則
A. ,質(zhì)點恰好可以到達Q點
B. ,質(zhì)點不能到達Q點
C. ,質(zhì)點到達Q點后,繼續(xù)上升一段距離
D. ,質(zhì)點到達Q點后,繼續(xù)上升一段距離
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