位于豎直平面內(nèi)的矩形平面導(dǎo)線(xiàn)框abcd,ab長(zhǎng)L1=1.0m,是水平的,bd長(zhǎng)L2=0.5m,線(xiàn)框的質(zhì)量m=0.2kg,電阻R=2Ω,其下方有一勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域,該區(qū)域的上、下邊界PP′和QQ′均與ab平行,兩邊界間距為H,H>L,磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度B=1.0T,方向與線(xiàn)框平面垂直,令線(xiàn)框的dc邊從離磁場(chǎng)上邊界的距離為h=0.7 m處自由下落,已知線(xiàn)框的dc邊進(jìn)入磁場(chǎng)后,ab邊到達(dá)PP′之前的某一時(shí)刻線(xiàn)框的速度已達(dá)到這一階段的最大值,問(wèn)從線(xiàn)框開(kāi)始下落到dc邊剛剛到達(dá)磁場(chǎng)區(qū)域下邊界QQ′的過(guò)程中,磁場(chǎng)作用于線(xiàn)框的安培力做的總功是多少?

解析:首先要弄清線(xiàn)框進(jìn)入磁場(chǎng)后的運(yùn)動(dòng)情況.cd邊剛進(jìn)入磁場(chǎng)后,向上的安培力小于重力,繼續(xù)做加速度減小的加速運(yùn)動(dòng),當(dāng)安培力與重力平衡時(shí),加速度減小到o,速度達(dá)到最大值.然后勻速下落,當(dāng)線(xiàn)框全部處于磁場(chǎng)中后,無(wú)感應(yīng)電動(dòng)勢(shì),安培力不存在.

    從能量轉(zhuǎn)化角度看,減少的重力勢(shì)能一部分轉(zhuǎn)化為動(dòng)能,另一部分轉(zhuǎn)化為電能(克服安培力做的總功).

    依題意,線(xiàn)框ab邊到達(dá)磁場(chǎng)邊界之前的某一時(shí)刻,線(xiàn)框的速度已達(dá)到這一階段的最大值,以v0詢(xún)表示這一最大速度,則有:E=BL1v0

    線(xiàn)框中的電流I=,作用于線(xiàn)框上的安培力:F=BIL1=

    速度達(dá)到最大值的條件:F=mg,所以:

    v04 m/s

    dc邊繼續(xù)下落的過(guò)程中,直到線(xiàn)框的ab邊達(dá)到磁場(chǎng)的上邊界PP′,線(xiàn)框保持速度v0不變,故從線(xiàn)框自由下落到ab邊進(jìn)入磁場(chǎng)過(guò)程中,由動(dòng)能定理得:

    mg(h+L2)+W安=m  得:W=-0.8J

    線(xiàn)框全部進(jìn)入磁場(chǎng)后,安培力不存在,即安培力做的總功等于-0.8J.

練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中物理 來(lái)源: 題型:

位于豎直平面內(nèi)的矩形平面導(dǎo)線(xiàn)框abdc,ab長(zhǎng)L1=1.0m,bd長(zhǎng)L2=0.5m,線(xiàn)框的質(zhì)量m=0.2kg,電阻R=2Ω.其下方有一勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域,該區(qū)域的上、下邊界PP′和QQ′均與ab平行,兩邊界間距離為H,H>L2,磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度B=1.0T,方向與線(xiàn)框平面垂直.如圖所示,令線(xiàn)框的dc邊從離磁場(chǎng)區(qū)域的上邊界PP′的距離為h=0.7m處自由下落,已知在線(xiàn)框的dc邊進(jìn)入磁場(chǎng)以后,ab邊到達(dá)邊界PP′之前的某一時(shí)刻線(xiàn)框的速度已達(dá)到這一階段的最大值.試求:
(1)線(xiàn)框在ab邊到達(dá)PP′之前的最大速度
(2)從線(xiàn)框開(kāi)始下落到dc邊剛剛到達(dá)磁場(chǎng)區(qū)域下邊界QQ′的過(guò)程中,磁場(chǎng)作用于
線(xiàn)框的安培力做的總功(取g=10m/s2

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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:

(2006?海淀區(qū)二模)如圖所示,位于豎直平面內(nèi)的矩形平面單匝導(dǎo)線(xiàn)框abcd,其下方有一勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域,該區(qū)域的上邊界PP′水平,并與線(xiàn)框的ab邊平行,磁場(chǎng)方向與線(xiàn)框平面垂直.已知磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度為B,線(xiàn)框ab邊長(zhǎng)為L(zhǎng)1,ad邊長(zhǎng)為L(zhǎng)2,線(xiàn)框質(zhì)量為m.令線(xiàn)框的dc邊從離磁場(chǎng)區(qū)域邊界PP′的高度為h處由靜止開(kāi)始下落,線(xiàn)框剛好勻速進(jìn)入磁場(chǎng)區(qū)域.
(1)求線(xiàn)框的電阻R.
(2)求線(xiàn)框在進(jìn)入磁場(chǎng)的過(guò)程中,通過(guò)線(xiàn)框?qū)Ь(xiàn)橫截面的電荷量q.
(3)若將線(xiàn)框從dc邊離磁場(chǎng)區(qū)域邊界PP′的高度為H處由靜止開(kāi)始下落,當(dāng)線(xiàn)框的一半進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí),線(xiàn)框剛好開(kāi)始勻速下落,求線(xiàn)框進(jìn)入磁場(chǎng)過(guò)程中,安培力做的總功W.

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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:

精英家教網(wǎng)如圖所示,位于豎直平面內(nèi)的矩形單匝導(dǎo)線(xiàn)框abcd,其下方有一勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域,該區(qū)域的上邊界PP?水平且與ab邊平行,方向與線(xiàn)框平面垂直.已知磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度為B,線(xiàn)框邊長(zhǎng)ab=L1,ad=L2,線(xiàn)框質(zhì)量為m.令線(xiàn)框的dc邊從距磁場(chǎng)區(qū)域邊界PP?的高度h處由靜止開(kāi)始下落,線(xiàn)框剛好勻速進(jìn)入磁場(chǎng)區(qū)域.
(1)求線(xiàn)框的電阻R.
(2)求線(xiàn)框在進(jìn)入磁場(chǎng)的過(guò)程中,通過(guò)線(xiàn)框?qū)Ь(xiàn)橫截面積的電荷量q.
(3)若將線(xiàn)框從dc邊距磁場(chǎng)區(qū)域邊界PP?的高度H處由靜止開(kāi)始下落,當(dāng)線(xiàn)框的一半進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí),線(xiàn)框剛好開(kāi)始勻速下落,求線(xiàn)框進(jìn)入磁場(chǎng)的過(guò)程中產(chǎn)生的焦耳熱Q.

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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:

精英家教網(wǎng)位于豎直平面內(nèi)的矩形平面導(dǎo)線(xiàn)框abdc,ab長(zhǎng)L1=1.0m,bd長(zhǎng)L2=0.5m,線(xiàn)框的質(zhì)量m=0.2kg,電阻R=2Ω.其下方有一較大勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域,磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度B=1.0T,方向與線(xiàn)框平面垂直.如圖所示,令線(xiàn)框的dc邊從離磁場(chǎng)區(qū)域上邊界的距離為h=0.7m處自由下落.已知線(xiàn)框的dc邊進(jìn)入磁場(chǎng)以后,ab邊到達(dá)邊界之前的某一時(shí)刻線(xiàn)框的速度已達(dá)到這一階段的最大值.從線(xiàn)框開(kāi)始下落,到ab邊完全進(jìn)入磁場(chǎng)的過(guò)程中(g取10m/s2),求
(1)線(xiàn)框的最大加速度;   
(2)線(xiàn)框的最大速度;
(3)電路中產(chǎn)生的熱量Q.

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