如圖所示為研究電子槍中電子在電場中運(yùn)動(dòng)的簡化模型示意圖.在Oxy平面的ABCD區(qū)域內(nèi),存在兩個(gè)場強(qiáng)大小均為E的勻強(qiáng)電場Ⅰ和Ⅱ,兩電場的邊界均是邊長為L的正方形(不計(jì)電子所受重力).

(1)在該區(qū)域AB邊的中點(diǎn)處由靜止釋放電子,求電子離開ABCD區(qū)域的位置.

(2)在電場Ⅰ區(qū)域內(nèi)適當(dāng)位置由靜止釋放電子,電子恰能從ABCD區(qū)域左下角D處離開,求所有釋放點(diǎn)的位置.

(3)若將左側(cè)電場Ⅱ整體水平向右移動(dòng)L/n(n≥1)仍使電子從ABCD區(qū)域左下角D.處離開(D不隨電場移動(dòng)),求在電場Ⅰ區(qū)域內(nèi)由靜止釋放電子的所有位置.

(1)位置坐標(biāo)為(-2L,L)  (2)所求位置坐標(biāo)滿足xy=  (3)所求位置坐標(biāo)滿足xy=L2(+)

解析:(1)設(shè)電子的質(zhì)量為m,電荷量為e,電在電場Ⅰ中做勻加速直線運(yùn)動(dòng),出區(qū)域Ⅰ時(shí)的速度為v0,此后在電場Ⅱ中做類平拋運(yùn)動(dòng),假設(shè)電子從CD.邊射出,出射點(diǎn)縱坐標(biāo)為y,有

eEL=mv02

(-y)=at2=

解得y=L,所以原假設(shè)成立,即電子離開AB.CD.區(qū)域的位置坐標(biāo)為(-2L,L).

(2)設(shè)釋放點(diǎn)在電場區(qū)域Ⅰ中,其坐標(biāo)為(x,y),在電場Ⅰ中電子被加速到v1,然后進(jìn)入電場Ⅱ做類平拋運(yùn)動(dòng),并從D.點(diǎn)離開,有

eEx=mv12

y=at2=

解得xy=,即在電場Ⅰ區(qū)域內(nèi)滿足方程的點(diǎn)即為所求位置.

(3)設(shè)電子從(x,y)點(diǎn)釋放,在電場Ⅰ中加速到v2,進(jìn)入電場Ⅱ后做類平拋運(yùn)動(dòng),在高度為y′處離開電場Ⅱ時(shí)的情景與(2)中類似,然后電子做勻速直線運(yùn)動(dòng),經(jīng)過D.點(diǎn),則有

eEx=mv22  y-y′=at2=

vy=at=,y′=vy

解得xy=L2(),即在電場Ⅰ區(qū)域內(nèi)滿足方程的點(diǎn)即為所求位置.

練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中物理 來源: 題型:

(2008?上海)如圖所示為研究電子槍中電子在電場中運(yùn)動(dòng)的簡化模型示意圖.在Oxy平面的ABCD區(qū)域內(nèi),存在兩個(gè)場強(qiáng)大小均為E的勻強(qiáng)電場I和II,兩電場的邊界均是邊長為L的正方形(不計(jì)電子所受重力).
(1)在該區(qū)域AB邊的中點(diǎn)處由靜止釋放電子,求電子離開ABCD區(qū)域的位置.
(2)在電場I區(qū)域內(nèi)適當(dāng)位置由靜止釋放電子,電子恰能從ABCD區(qū)域左下角D處離開,求所有釋放點(diǎn)的位置.
(3)若將左側(cè)電場II整體水平向右移動(dòng)
Ln
(n≥1),仍使電子從ABCD區(qū)域左下角D處離開(D不隨電場移動(dòng)),求在電場I區(qū)域內(nèi)由靜止釋放電子的所有位置.

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如圖所示為研究電子槍中電子在電場中運(yùn)動(dòng)的簡化模型示意圖.在Oxy平面的ABCD區(qū)域內(nèi),存在兩個(gè)大小均為E的勻強(qiáng)電場I和II,兩電場的邊界均是邊長為L的正方形(不計(jì)粒子所受重力).在該區(qū)域AB邊的中點(diǎn)處由靜止釋放電子,求:
(1)電子進(jìn)入電場II時(shí)的速度?
(2)電子離開ABCD區(qū)域的位置?
(3)電子從釋放開始到離開電場II過程中所經(jīng)歷的時(shí)間?

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科目:高中物理 來源: 題型:

如圖所示為研究電子槍中電子在電場中運(yùn)動(dòng)的簡化模型示意圖.在xOy平面的第一象限,存在以x軸、y軸及雙曲線y=
L24x
的一段(0≤x≤L,0≤y≤L)為邊界的勻強(qiáng)電場區(qū)域Ⅰ;在第二象限存在以x=-L、x=-2L、y=0、y=L的勻強(qiáng)電場區(qū)域Ⅱ.兩個(gè)電場大小均為E,不計(jì)電子所受重力,電子的電荷量為e,求:
(1)從電場區(qū)域Ⅰ的邊界B點(diǎn)處由靜止釋放電子,電子離開MNPQ時(shí)的坐標(biāo);
(2)試證明在電場Ⅰ區(qū)域的AB曲線邊界由靜止釋放的所有電子離開MNPQ時(shí)都從P點(diǎn)離開的
(3)由電場區(qū)域Ⅰ的AB曲線邊界由靜止釋放電子離開P點(diǎn)的最小動(dòng)能.

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如圖所示為研究電子槍中電子在電場中運(yùn)動(dòng)的簡化模型示意圖.在Oxy平面的ABCD區(qū)域內(nèi),存在兩個(gè)場強(qiáng)大小均為E的勻強(qiáng)電場Ⅰ和Ⅱ,已知A、D兩點(diǎn)的坐標(biāo)分別為(L,0)和(-2L,0),兩電場的邊界均是邊長為L的正方形(不計(jì)電子所受重力),現(xiàn)在該區(qū)域AB邊的中點(diǎn)處由靜止釋放一電子,已知電子質(zhì)量為m,帶電量為e,試求:
(1)電子離開ABCD區(qū)域的位置坐標(biāo);
(2)電子從電場Ⅱ出來后經(jīng)過多少時(shí)間到達(dá)X軸;
(3)電子到達(dá)X軸時(shí)的位置坐標(biāo).

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科目:高中物理 來源: 題型:

如圖所示為研究電子槍中電子在電場中運(yùn)動(dòng)的簡化模型示意圖.在Oxy平面的第一象限,存在以x軸y軸及雙曲線y=
L2
4x
的一段(0≤x≤L,0≤y≤L)為邊界的勻強(qiáng)電場I;在第二象限存在以x=-L; x=-2L;y=0;y=L的勻強(qiáng)電場II.兩個(gè)電場大小均為E,不計(jì)電子所受重力.求
(1)從電場I的邊界B點(diǎn)處由靜止釋放電子,電子離開MNPQ時(shí)的位置;
(2)由電場I的AB曲線邊界處由靜止釋放電子離開MNPQ時(shí)的最小動(dòng)能;
(3)若將左側(cè)電場II整體水平向左移動(dòng)
L
n
(n≥1),要使電子從x=-2L,y=0處離開電場區(qū)域II,在電場I區(qū)域內(nèi)由靜止釋放電子的所有位置.

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