如圖所示為研究電子槍中電子在電場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的簡(jiǎn)化模型示意圖.在Oxy平面的第一象限,存在以x軸y軸及雙曲線y=
L2
4x
的一段(0≤x≤L,0≤y≤L)為邊界的勻強(qiáng)電場(chǎng)I;在第二象限存在以x=-L; x=-2L;y=0;y=L的勻強(qiáng)電場(chǎng)II.兩個(gè)電場(chǎng)大小均為E,不計(jì)電子所受重力.求
(1)從電場(chǎng)I的邊界B點(diǎn)處由靜止釋放電子,電子離開MNPQ時(shí)的位置;
(2)由電場(chǎng)I的AB曲線邊界處由靜止釋放電子離開MNPQ時(shí)的最小動(dòng)能;
(3)若將左側(cè)電場(chǎng)II整體水平向左移動(dòng)
L
n
(n≥1),要使電子從x=-2L,y=0處離開電場(chǎng)區(qū)域II,在電場(chǎng)I區(qū)域內(nèi)由靜止釋放電子的所有位置.
分析:(1)根據(jù)數(shù)學(xué)知識(shí)求出B點(diǎn)距離y軸的距離.由動(dòng)能定理求出電子從B運(yùn)動(dòng)到C時(shí)的速度.電子離開第一象限電場(chǎng)后,先做勻速直線運(yùn)動(dòng),進(jìn)入第二象限電場(chǎng)后做類平拋運(yùn)動(dòng):水平方向做勻速直線運(yùn)動(dòng),豎直方向做勻加速直線運(yùn)動(dòng),根據(jù)牛頓第二定律求出加速度,由位移公式求出水平位移.
(2)設(shè)從AB曲線邊界處釋放位置坐標(biāo)為(x,y),再根據(jù)動(dòng)能定理和類平拋運(yùn)動(dòng)的分解方法,求出電子從第二象限射出電場(chǎng)的位置.對(duì)全過程應(yīng)用動(dòng)能定理,得到電子離開MNPQ時(shí)的動(dòng)能與x的關(guān)系,由數(shù)學(xué)知識(shí)求出最小的動(dòng)能.
(3)設(shè)釋放位置坐標(biāo)為(x,y).若將左側(cè)電場(chǎng)II整體水平向左移動(dòng)
L
n
,要使電子從x=-2L,y=0處離開電場(chǎng)區(qū)域II,電子在電場(chǎng)區(qū)域II中類平拋運(yùn)動(dòng)通過的水平距離為L(zhǎng)-
L
n
,豎直距離為y,運(yùn)用同樣的方法得到所有位置坐標(biāo)方程.
解答:解:
(1)由題,B點(diǎn)縱坐標(biāo)yB=L,根據(jù)雙曲線方程y=
L2
4x
得到,橫坐標(biāo)xB=
L
4

電子從B運(yùn)動(dòng)到C過程,根據(jù)動(dòng)能定理得
  eE
L
4
=
1
2
mv2,
電子在MNPQ區(qū)域做類平拋運(yùn)動(dòng),
  水平方向:s=vt,
  豎直方向:L=
1
2
at2,a=
eE
m

 解得s=L.即電子從P點(diǎn)射出.
(2)設(shè)釋放位置坐標(biāo)為(x,y),則有
  eEx=
1
2
mv2,
   s=vt,
   y=
1
2
at2=
eE
2m
t2

得到y(tǒng)=
s2
4x

又y=
L2
4x
,解得s=L
即所有從邊界AB上靜止釋放的電子均從P點(diǎn)射出.
從邊界AB出發(fā)到P點(diǎn)射出的全過程,由動(dòng)能定理得:
    Ek=eE(x+y)
又y=
L2
4x
,得到
Ek=eE(x+
L2
4x
),根據(jù)數(shù)學(xué)知識(shí)得知,當(dāng)x=y=
L
2
時(shí),動(dòng)能Ek有最小值Ek=eEL
(3)設(shè)釋放位置坐標(biāo)為(x,y),eEx=
1
2
mv2,L-
L
n
=vt,y=
1
2
at2a=
eE
m

解得:y=
L2
4x
(1-
1
n
)2

答:
(1)從電場(chǎng)I的邊界B點(diǎn)處由靜止釋放電子,電子從P點(diǎn)射出.
(2)由電場(chǎng)I的AB曲線邊界處由靜止釋放電子離開MNPQ時(shí)的最小動(dòng)能是eEL;
(3)若將左側(cè)電場(chǎng)II整體水平向左移動(dòng)
L
n
(n≥1),要使電子從x=-2L,y=0處離開電場(chǎng)區(qū)域II,在電場(chǎng)I區(qū)域內(nèi)由靜止釋放電子的所有位置坐標(biāo)方程為y=
L2
4x
(1-
1
n
)2
點(diǎn)評(píng):本題中電子先加速后偏轉(zhuǎn),基本方法是動(dòng)能定理和運(yùn)動(dòng)的分解,難點(diǎn)在于數(shù)學(xué)知識(shí)的應(yīng)用求極值和軌跡方程.
練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中物理 來源: 題型:

(2008?上海)如圖所示為研究電子槍中電子在電場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的簡(jiǎn)化模型示意圖.在Oxy平面的ABCD區(qū)域內(nèi),存在兩個(gè)場(chǎng)強(qiáng)大小均為E的勻強(qiáng)電場(chǎng)I和II,兩電場(chǎng)的邊界均是邊長(zhǎng)為L(zhǎng)的正方形(不計(jì)電子所受重力).
(1)在該區(qū)域AB邊的中點(diǎn)處由靜止釋放電子,求電子離開ABCD區(qū)域的位置.
(2)在電場(chǎng)I區(qū)域內(nèi)適當(dāng)位置由靜止釋放電子,電子恰能從ABCD區(qū)域左下角D處離開,求所有釋放點(diǎn)的位置.
(3)若將左側(cè)電場(chǎng)II整體水平向右移動(dòng)
Ln
(n≥1),仍使電子從ABCD區(qū)域左下角D處離開(D不隨電場(chǎng)移動(dòng)),求在電場(chǎng)I區(qū)域內(nèi)由靜止釋放電子的所有位置.

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科目:高中物理 來源: 題型:

如圖所示為研究電子槍中電子在電場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的簡(jiǎn)化模型示意圖.在Oxy平面的ABCD區(qū)域內(nèi),存在兩個(gè)大小均為E的勻強(qiáng)電場(chǎng)I和II,兩電場(chǎng)的邊界均是邊長(zhǎng)為L(zhǎng)的正方形(不計(jì)粒子所受重力).在該區(qū)域AB邊的中點(diǎn)處由靜止釋放電子,求:
(1)電子進(jìn)入電場(chǎng)II時(shí)的速度?
(2)電子離開ABCD區(qū)域的位置?
(3)電子從釋放開始到離開電場(chǎng)II過程中所經(jīng)歷的時(shí)間?

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科目:高中物理 來源: 題型:

如圖所示為研究電子槍中電子在電場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的簡(jiǎn)化模型示意圖.在xOy平面的第一象限,存在以x軸、y軸及雙曲線y=
L24x
的一段(0≤x≤L,0≤y≤L)為邊界的勻強(qiáng)電場(chǎng)區(qū)域Ⅰ;在第二象限存在以x=-L、x=-2L、y=0、y=L的勻強(qiáng)電場(chǎng)區(qū)域Ⅱ.兩個(gè)電場(chǎng)大小均為E,不計(jì)電子所受重力,電子的電荷量為e,求:
(1)從電場(chǎng)區(qū)域Ⅰ的邊界B點(diǎn)處由靜止釋放電子,電子離開MNPQ時(shí)的坐標(biāo);
(2)試證明在電場(chǎng)Ⅰ區(qū)域的AB曲線邊界由靜止釋放的所有電子離開MNPQ時(shí)都從P點(diǎn)離開的
(3)由電場(chǎng)區(qū)域Ⅰ的AB曲線邊界由靜止釋放電子離開P點(diǎn)的最小動(dòng)能.

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科目:高中物理 來源: 題型:

如圖所示為研究電子槍中電子在電場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的簡(jiǎn)化模型示意圖.在Oxy平面的ABCD區(qū)域內(nèi),存在兩個(gè)場(chǎng)強(qiáng)大小均為E的勻強(qiáng)電場(chǎng)Ⅰ和Ⅱ,已知A、D兩點(diǎn)的坐標(biāo)分別為(L,0)和(-2L,0),兩電場(chǎng)的邊界均是邊長(zhǎng)為L(zhǎng)的正方形(不計(jì)電子所受重力),現(xiàn)在該區(qū)域AB邊的中點(diǎn)處由靜止釋放一電子,已知電子質(zhì)量為m,帶電量為e,試求:
(1)電子離開ABCD區(qū)域的位置坐標(biāo);
(2)電子從電場(chǎng)Ⅱ出來后經(jīng)過多少時(shí)間到達(dá)X軸;
(3)電子到達(dá)X軸時(shí)的位置坐標(biāo).

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