【題目】如圖所示，Q是帶正電的點電荷，P1、P2為其電場中的兩點．若E1、E2為P1、P2兩點的電場強度的大小，φ1、φ2為P1、P2兩點的電勢，則(　　)

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A. B.

C. D.

【答案】A

【解析】由公式分析可知，r1<r2，則場強E1>E2；

電場線方向由P1指向P2，順著電場線電勢降低，則電勢φ1>φ2.

故選：A。

練習冊系列答案
相關習題

科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】如圖所示，金屬板AB之間旬在大小可以調(diào)節(jié)的電壓，一不計重力、質(zhì)量為m、電荷量大小為q的負粒子從A板附近開始加速，進入磁感應強度為B，方向垂直于紙面向里的云強磁場區(qū)域。磁場的邊界MN與B板的夾角為45o，B板上的小孔到M的距離為L。試求：

（1）如果帶電粒子垂直打在邊界MN上，AB間的電壓為多少？

（2）帶電粒子能打在MN邊界上的最小速度是多少？這種情況下，帶電粒子從進入磁場到打在MN邊界上的時間？

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【題目】某校一學習小組為了研究路面狀況與物體滑行距離之間的關系，做了模擬實驗．他們用底部貼有輪胎材料的小物塊A、B在冰面上做實驗，A的質(zhì)量是B的4倍．先使B靜止，A在距B為L處，以速度v0滑向B．實驗結(jié)果如下：在第一次做實驗時，A恰好未撞到B；在第二次做實驗時，A. B仍相距L，A以速度2v0滑向靜止的B，A撞到B后又共同滑行了一段距離．以下說法正確的是

A. 在第二次做實驗時，A、B碰撞前瞬間，A的速度為v0

B. A、B碰撞前后瞬間，A的速度之比為5∶4

C. A、B碰撞前后，A、B組成的系統(tǒng)損失的機械能與碰撞前系統(tǒng)動能之比為7∶25

D. A與B碰撞后，A、B共同滑行的距離為

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【題目】如圖所示，斜面體A上的物塊P，用平行于斜面體的輕彈簧拴接在擋板B上，在物塊P上施加水平向右的推力F，整個系統(tǒng)處于靜止狀態(tài)，下列說法正確的是(　　)

A. 物塊P與斜面之間一定存在摩擦力

B. 輕彈簧一定被拉長

C. 地面對斜面體A一定存在摩擦力

D. 若增大推力F，則彈簧彈力一定減小

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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】在勻強磁場中有一個原來靜止的碳14原子核，它放射出的粒子與反沖核的徑跡是兩個內(nèi)切的圓，兩圓的直徑之比為7：1，如圖所示，那么碳14的衰變方程為（ ）

A. B.

C. D.

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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】“天舟一號”貨運飛船于2017年4月20日在文昌航天發(fā)射中心成功發(fā)射升空，與“天宮二號”空間實驗室對接前，“天舟一號”在距離地面約380 km的圓軌道上飛行，則其（ ）

A. 角速度小于地球自轉(zhuǎn)角速度

B. 線速度小于第一宇宙速度

C. 周期小于地球自轉(zhuǎn)周期

D. 向心加速度小于地面的重力加速度

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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】如圖所示，光滑水平面上存在有界勻強磁場，磁感應強度為B，質(zhì)量為m邊長為a的正方形線框ABCD斜向穿進磁場，當AC剛進入磁場時速度為v，方向與磁場邊界成

45°，若線框的總電阻為R，則

A. 線框穿進磁場過程中，框中電流的方向為DCBA

B. AC剛進入磁場時線框中感應電流為

C. AC剛進入磁場時線框所受安培力為

D. 此時CD兩端電壓為

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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】在豎直平面直角坐標系xoy內(nèi)，第Ⅰ象限存在沿軸正方向的勻強電場，第Ⅲ、Ⅳ象限存在沿軸正方向的勻強電場()，第Ⅳ象限內(nèi)還存在垂直于坐標平面向外的勻強磁場，第Ⅲ象限內(nèi)存在垂直于坐標平面向外的勻強磁場.一帶正電的小球(可視為質(zhì)點)從坐標原點O以某一初速度進入光滑的半圓軌道，半圓軌道在O點與軸相切且直徑與軸重合，如圖所示，小球恰好從軌道最高點A垂直于y軸飛出進入第Ⅰ象限的勻強電場中，偏轉(zhuǎn)后經(jīng)軸上處的P點進入第Ⅳ象限磁場中，然后從y軸上Q點(未畫出)與y軸正方向成60°角進入第Ⅲ象限磁場，最后從O點又進入第一象限電場.已知小球的質(zhì)量為m，電荷量為q，圓軌道的半徑為R，重力加速度為g.求:

（1）小球的初速度大小；

（2）電場強度的大小；

（3）與的比值。

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【題目】CD、EF是兩條水平放置的阻值可忽略的平行金屬導軌，導軌間距為L，在水平導軌的左側(cè)存在磁感應強度方向垂直導軌平面向上的勻強磁場，磁感應強度大小為B，磁場區(qū)域的長度為d，如圖所示．導軌的右端接有一電阻R，左端與一彎曲的光滑軌道平滑連接．將一阻值也為R的導體棒從彎曲軌道上h高處由靜止釋放，導體棒最終恰好停在磁場的右邊界處．已知導體棒與水平導軌接觸良好，且動摩擦因數(shù)為μ，則下列說法中正確的是（ ）

A. 電阻R的最大電流為

B. 流過電阻R的電荷量為

C. 整個電路中產(chǎn)生的焦耳熱為mgh

D. 電阻R中產(chǎn)生的焦耳熱為

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