電子表、電子計算器、電腦顯示器都運用了液晶材料顯示圖像和文字。有關(guān)其顯示原理的敘述中，正確的是   （  ）。

A．施加電場時，液晶分子沿垂直于電場方向排列
B．移去電場后，液晶分子恢復(fù)到原來狀態(tài)
C．施加電場后，液晶分子恢復(fù)到原來狀態(tài)
D．移去電場后，液晶分子沿電場方向排列

練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來源： 題型：填空題

硫元素可以形成多種物質(zhì)如、SO2、SO32-、SO42-等。
（1）中S原子的軌道雜化類型是   ，的空間構(gòu)型是   。
（2）向[Cu(NH3)4]SO4溶液中通入SO2至微酸性，有白色沉淀生成。分析表明該沉淀中Cu、S、N的物質(zhì)的量之比為1:1:1，經(jīng)測定該沉淀的晶體里有一種三角錐型的陰離子和一種正四面體型的陽離子。
①[Cu(NH3)4]SO4中Cu2+的電子排布式為   。
②[Cu(NH3)4]SO4中存在的化學(xué)鍵類型有   （填序號）。

A．共價鍵B．氫鍵C．離子鍵D．配位鍵 E．分子間作用力
③寫出與SO42-互為等電子體的一種分子   。上述白色沉淀的化學(xué)式為   。

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：單選題

KO2的晶體結(jié)構(gòu)與NaCl相似，KO2可以看作是Na＋的位置用K＋代替，Cl－的位置用O 代替，則下列對于KO2晶體結(jié)構(gòu)的描述正確的是

A．與K＋距離相等且最近的O共有8個
B．與K＋距離相等且最近的O構(gòu)成的多面體是正八面體
C．與K＋距離相等且最近的K＋有8個
D．一個KO2晶胞中的K＋和O粒子數(shù)均為8個

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：單選題

下列各組物質(zhì)中，按熔點由低到高排列正確的是（   ）

A．O2、I2、Hg B．CO2、KCl、SiO2  
C．HF、HCl、HI D．SiO2、NaCl、SO2 

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：單選題

類推是化學(xué)學(xué)習(xí)和研究中常用的思維方法．下列類推錯誤的是
①Mg可由電解熔融MgCl2制�。粍tAl也可由電解熔融AlCl3制取
②晶體中有陰離子，必有陽離子；則晶體中有陽離子，也必有陰離子
③1mol/L的NaCl溶液每升中含有1mol Na＋；則1mol/L的FeCl3溶液每升中也含有1molFe3＋
④使用pH試紙時必須保持干燥，則濕潤的pH試紙測得的pH一定有誤差

A．①③ B．①③④ C．②③④ D．①②③④

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：單選題

關(guān)于晶體的敘述中，正確的是

A．原子晶體中，共價鍵的鍵能越大，熔、沸點越高
B．分子晶體中，分子間的作用力越大，該分子越穩(wěn)定
C．分子晶體中，共價鍵的鍵能越大，熔、沸點越高
D．某晶體溶于水后，可電離出自由移動的離子，該晶體一定是離子晶體

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：單選題

干冰晶體是一種面心立方結(jié)構(gòu)，如圖所示，即每8個CO2構(gòu)成立方體，且在6個面的中心各有1個，在每個CO2周圍距離為a（其中a為立方體棱長）的CO2有（  ）。

A．4個B．8個C．12個D．6個

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：單選題

下列有關(guān)分子晶體熔點的高低敘述中，正確的是（  ）。

A．Cl2＞I2 B．SiCl4＞CCl4
C．N2＞O2 D．C（CH3）4＞CH3CH2CH2CH2CH3

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：單選題

美國LawreceLiremore國家實驗室(LLNL)的V.Lota.C.S.Yoo和Cynn成功地在高壓下將CO2轉(zhuǎn)化為具有類似SiO2結(jié)構(gòu)的原子晶體,下列關(guān)于CO2的原子晶體說法中正確的是(　　)
A.CO2的原子晶體中存在范德華力,每1 mol CO2原子晶體中含有2NAπ鍵
B.在一定條件下,CO2原子晶體轉(zhuǎn)化為CO2分子晶體是物理變化
C.熔點:金剛石>原子晶體CO2
D.在CO2的原子晶體中,每個C原子周圍結(jié)合4個O原子,每個O原子與兩個C原子相結(jié)合

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同步練習(xí)冊答案