下列物質(zhì)的熔點，前者大于后者的是
A．晶體硅、碳化硅B．甲苯、苯酚C．氧化鎂、氧化鈉D．鉀鈉合金、鈉
C

試題分析：A、晶體硅和碳化硅都是原子晶體，由于碳原子半徑小于硅原子半徑，所以碳化硅中共價鍵強于晶體硅中共價鍵，因此晶體硅的熔點小于碳化硅的熔點，A不正確；B、甲苯和苯酚形成的晶體都是分子晶體，由于苯酚的相對分子質(zhì)量大于甲苯的，因此甲苯的熔點小于苯酚的熔點，B不正確；C、氧化鎂和氧化鈉形成的晶體都是離子晶體，但鈉離子半徑大于鎂離子半徑，所以氧化鈉中離子鍵弱于氧化鎂中離子鍵，因此氧化鎂的熔點高于氧化鈉的熔點，C正確；D、合金的熔點一般低于各成分金屬的熔點，所以鈉鉀合金的熔點低于金屬鈉的熔點，D不正確，答案選C。
練習冊系列答案
相關(guān)習題

科目：高中化學 來源：不詳 題型：填空題

Q、R、X、Y、Z為前20號元素中的五種，Q的低價氧化物與X單質(zhì)分子的電子總數(shù)相等，R與Q同族，Y和Z的離子與Ar原子的電子層結(jié)構(gòu)相同且Y的原子序數(shù)小于Z。
（1）Q的最高價氧化物，其固態(tài)屬于____________晶體，俗名為____________。
（2）R的氫化物分子的空間構(gòu)型是____________；屬于________分子（填“極性”或“非極性”）它與X形成的化合物可作為一種重要的陶瓷材料，其化學式是____________。
（3）X的常見氫化物的空間構(gòu)型是____________；它的另一氫化物X2H4是一種火箭燃料的成分，其電子式是____________。
（4）Q分別與Y、Z形成的共價化合物的化學式是________________和________________；Q與Y形成的分子的電子式是____________，屬于____________分子（填“極性”或“非極性”）。

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科目：高中化學 來源：不詳 題型：單選題

已知X、Y、Z三種元素組成的化合物是離子晶體，其晶胞如圖所示，則下面表示該化合物的化學式正確的的是
A．ZXY3B．ZX2Y6C．ZX4Y8　D．ZX8Y12

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科目：高中化學 來源：不詳 題型：單選題

NaF、NaI、和MgO均為離子晶體，有關(guān)數(shù)據(jù)如下表：
物 質(zhì)
① NaF
② NaI
③ MgO
離子電荷數(shù)
1
1
2
鍵長(10-10m)
2.31
3.18
2.10
 
試判斷，這三種化合物熔點由高到低的順序是
A．③＞①＞②      B．③＞②＞①      C．①＞②＞③      D．②＞①＞③

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科目：高中化學 來源：不詳 題型：單選題

我國“遼寧號”航母甲板上涂有耐高溫、耐磨抗沖擊，能很好保護金屬的碳化硅（SiC）涂層，耐溫達到2800oC，高溫防腐性能也很好。關(guān)于碳化硅的說法正確的是

A．屬于原子晶體
B．屬于分子晶體
C．含有非極性共價鍵
D．易溶于有機溶劑

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科目：高中化學 來源：不詳 題型：填空題

ⅥA族的氧、硫、硒(Se)、碲(Te)等元素在化合物中常表現(xiàn)出多種化合價，含ⅥA族元素的化合物在研究和生產(chǎn)中有許多重要用途。請回答下列問題：
（1）氧元素能形成繁多的氧化物，請寫出一個與CO2等電子的化合物         。
（2）把Na2O、SiO2、P2O5三種氧化物按熔沸點由高到低順序排列         。
（3）原子的第一電離能是指氣態(tài)電中性基態(tài)原子失去一個電子轉(zhuǎn)化為氣態(tài)基態(tài)正離子所需要的最低能量，O、S、Se原子的第一電離能由大到小的順序為      ；
（4）Se原子基態(tài)核外電子的排布式為                         ；H2Se的沸點：-41.1℃ ，H2S的沸點：-60.4℃，引起兩者沸點差異的主要原因是         ；
（5）SO32-離子中硫原子的雜化方式         ,該離子的立體構(gòu)型為                 ；
（6）某金屬元素A的氧化物用作玻璃、瓷器的顏料、脫硫劑。其立方晶體的晶胞結(jié)構(gòu)如右圖所示，
則該氧化物的化學式為         。

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科目：高中化學 來源：不詳 題型：填空題

Ⅰ下列描述中正確的是（   ）
A．CS2為V形的極性分子
B．的空間構(gòu)型為平面三角形
C．SF6中有6對完全相同的成鍵電子對
D．SiF4和的中心原子均為sp3雜化
Ⅱ.金屬鎳及其化合物在合金材料以及催化劑等方面應(yīng)用廣泛。請回答下列問題：
（1）Ni原子的核外電子排布式為__________________________________；
（2）NiO、FeO的晶體結(jié)構(gòu)類型均與氯化鈉的相同，和的離子半徑分別為69pm和78pm，則熔點NiO_________________FeO（填“＜”或“＞”）；
（3）NiO晶胞中Ni和O的配位數(shù)分別為_________________、_________________；
（4）金屬鎳與鑭（La）形成的合金是一種良好的儲氫材料，其晶胞結(jié)構(gòu)示意圖如左下圖所示。該合金的化學式為_________________；

（5）丁二酮肟常用于檢驗：在稀氨水介質(zhì)中，丁二酮肟與反應(yīng)可生成鮮紅色沉淀，其結(jié)構(gòu)如右上圖所示。
①該結(jié)構(gòu)中，碳碳之間的共價鍵類型是σ鍵，碳氮之間的共價鍵類型是_________________。氮鎳之間形成的化學鍵是_________________；
②該結(jié)構(gòu)中，氧氫之間除共價鍵外還可存在_________________鍵；
③該結(jié)構(gòu)中，碳原子的雜化軌道類型有_________________。

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科目：高中化學 來源：不詳 題型：填空題

A、B、C、D、E都是周期表中前四周期的元素。已知A原子的p軌道中有3個未成對電子，其氣態(tài)氫化物在水中的溶解度在同族元素所形成的氫化物中最大。B 的基態(tài)原子占據(jù)兩種形狀的原子軌道，且兩種形狀軌道中的電子總數(shù)均相同，B位于元素周期表的s區(qū)。C元素原子的外圍電子層排布式為nsn—1npn—1。 D原子M能層為全充滿狀態(tài)，且最外層無成對電子，E為第四周期未成對電子數(shù)最多的元素。請回答下列問題：
（1）寫出E基態(tài)原子的電子排布式                  ；E在周期表中的位置是           ，其基態(tài)原子有       種能量不同的電子。
（2）某同學根據(jù)上述信息，推斷B的核外電子排布如右圖所示，

該同學所畫的電子排布圖違背了                      。
（3）已知A和C形成的化合物X中每個原子的最外層均為8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，則X的化學式為                   ，X是一種超硬物質(zhì)，耐磨損、抗腐蝕能力強，推測X的晶體類型為              。
（4）B的單質(zhì)與A的最高價含氧酸的稀溶液反應(yīng)，能將A還原至最低價態(tài)，寫出該反應(yīng)的化學方程式                                                                。
（5） 已知D晶體的粒子堆積方式為面心立方最密堆積，若該晶體中一個晶胞的邊長為a cm，則D晶體的密度為               g/cm3（寫出含a的表達式，用NA表示阿伏加德羅常數(shù)的值）。若D的原子半徑為r ，則在D晶胞中用r表示出這種堆積模型的空間利用率為                。（列式表示，不需化簡）

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科目：高中化學 來源：不詳 題型：單選題

下列有關(guān)物質(zhì)結(jié)構(gòu)和性質(zhì)的說法中，正確的是(　　)
A．元素非金屬性Cl>S的實驗依據(jù)是酸性HCl>H2S
B．二氧化碳分子中存在共價鍵和分子間作用力
C．SO32—的中心原子為sp2雜化
D．ClO3—的空間構(gòu)型為三角錐形

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