NaF、NaI、和MgO均為離子晶體，有關(guān)數(shù)據(jù)如下表：
物 質(zhì)
① NaF
② NaI
③ MgO
離子電荷數(shù)
1
1
2
鍵長(zhǎng)(10-10m)
2.31
3.18
2.10
 
試判斷，這三種化合物熔點(diǎn)由高到低的順序是
A．③＞①＞②      B．③＞②＞①      C．①＞②＞③      D．②＞①＞③
A

試題分析：離子化合物形成的離子晶體中，離子鍵的鍵長(zhǎng)越短，陰、陽離子所帶電荷越多，則晶體的熔點(diǎn)越高。根據(jù)表中數(shù)據(jù)可知，陰離子半徑是I－＞F－＞O2－，陽離子半徑是Na＋＞Mg2＋，所以根據(jù)三種物質(zhì)所帶電荷為③＞②=①，鍵長(zhǎng)：③＜①＜②可知，三種化合物熔點(diǎn)由高到低的順序是③＞①＞②，答案選A。
練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：單選題

下列物質(zhì)的熔、沸點(diǎn)高低順序中排列正確的是　(　　)
A．金剛石>晶體硅>碳化硅B．CI4>CBr4>CCl4>CH4
C．MgO>O2>N2>H2OD．金剛石>生鐵>純鐵>鈉

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科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：單選題

有四種晶體，其離子排列方式如下圖所示，其中化學(xué)式不屬AB型的是（   ）

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科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：單選題

某離子化合物的晶胞如右圖所示立體結(jié)構(gòu)，晶胞是整個(gè)晶體中最基本的重復(fù)單位。小黑球表示陽離子，小白球表示陰離子，該離子化合物中，陰、陽離子個(gè)數(shù)比是
A．1∶8B．1∶4C．1∶2D．1∶1

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科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：單選題

下列物質(zhì)中，均直接由原子構(gòu)成的是：①干冰晶體；②二氧化硅；③水蒸氣；④金剛石；⑤單晶硅；⑥白磷；⑦硫磺；⑧液氨；⑨鈉和氖晶體
A．②④⑤B．②③④⑤⑨C．②③④⑤D．②④⑤⑥⑦⑨

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科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：單選題

下列物質(zhì)的熔點(diǎn)，前者大于后者的是
A．晶體硅、碳化硅B．甲苯、苯酚C．氧化鎂、氧化鈉D．鉀鈉合金、鈉

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科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：填空題

元素X 位于第四周期，其基態(tài)原子的內(nèi)層軌道全部排滿電子，且最外層電子數(shù)為2。元素Y基態(tài)原子的3p軌道上有2個(gè)未成對(duì)電子。元素Z 的原子最外層電子數(shù)是其內(nèi)層的3倍。

（1）X與Y所形成化合物晶體的晶胞如右圖所示。
①在1個(gè)晶胞中，X離子的數(shù)目為                 。
②該化合物的化學(xué)式為                。
（2）在Y的氫化物分子中，Y原子軌道的雜化類型是                   。
（3）Z的氫化物在乙醇中的溶解度大于Y的氫化物，其原因是                     。
（4）Y 與Z 可形成YZ42－
①YZ42－的空間構(gòu)型為                          。
②寫出一種與YZ42－互為等電子體的分子的化學(xué)式：                          。
（5）X的氯化物與氨水反應(yīng)可形成配合物[X(NH3)4]Cl2，1mol該配合物中含有σ鍵的數(shù)目為                      。

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科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：填空題

二氧化硅晶體是立體的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。其晶體模型如圖所示。認(rèn)真觀察晶體模型并回答下列問題：

(1)二氧化硅晶體中最小的環(huán)為     元環(huán)。
(2)每個(gè)硅原子為     個(gè)最小環(huán)共有。
(3)每個(gè)最小環(huán)平均擁有     個(gè)氧原子。

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科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：單選題

干冰晶體是一種面心立方結(jié)構(gòu)，如圖所示，即每8個(gè)CO2構(gòu)成立方體，且在6個(gè)面的中心各有1個(gè)，在每個(gè)CO2周圍距離為a（其中a為立方體棱長(zhǎng)）的CO2有（  ）。
A．4個(gè)B．8個(gè)C．12個(gè)D．6個(gè)

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