X | Y | ||
W | Z | ||
T |
A. | X、Y、Z最低價(jià)氫化物的沸點(diǎn)依次升高 | |
B. | X、Y和氫形成的化合物中只有共價(jià)鍵 | |
C. | WY2、W3X4、WZ4均為原子晶體 | |
D. | 元素T的單質(zhì)可作半導(dǎo)體材料,T與Z元素可形成化合物TZ4 |
分析 W、X、Y、Z為短周期元素,由元素在周期表中位置可知,X、Y處于第二周期,W、Z處于第三周期,令W的最外層電子數(shù)為a,則X、Y、Z最外層電子數(shù)分別為a+1、a+2、a+3,故a+a+1+a+2+a+3=22,解得a=4,故W為Si、X為N、Y為O、Z為Cl、T為Ge,以此解答該題.
解答 解:W、X、Y、Z為短周期元素,由元素在周期表中位置可知,X、Y處于第二周期,W、Z處于第三周期,令W的最外層電子數(shù)為a,則X、Y、Z最外層電子數(shù)分別為a+1、a+2、a+3,故a+a+1+a+2+a+3=22,解得a=4,故W為Si、X為N、Y為O、Z為Cl、T為Ge,
A.X、Y、Z三種元素最低價(jià)氫化物分別為氨氣、水、HCl,常溫下水為液態(tài),氨氣、HCl為氣體,故水的沸點(diǎn)最高,氨氣分子之間都存在氫鍵,沸點(diǎn)比HCl的高,故A錯(cuò)誤;
B.N、O和H形成的化合物硝酸銨中既有離子鍵、又有共價(jià)鍵,故B錯(cuò)誤;
C.WY2、W3X4、WZ4分別為SiO2、Si3N4、SiCl4,SiCl4為分子晶體,常溫下為液態(tài),故C錯(cuò)誤;
D.Ge元素的單質(zhì)具有半導(dǎo)體的特性,與Cl元素可形成化合物GeCl4,故D正確,
故選D.
點(diǎn)評(píng) 本題考查結(jié)構(gòu)性質(zhì)位置關(guān)系應(yīng)用,為高頻考點(diǎn),側(cè)重于學(xué)生的分析能力的考查,推斷元素是解題關(guān)鍵,注意A中氫鍵對(duì)物質(zhì)性質(zhì)的影響,難度中等.
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:解答題
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:解答題
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 裝罝①兩極均有氣泡產(chǎn)生,滴人酚酞溶液后,石墨電極附近溶液變紅 | |
B. | 裝置①電解一段時(shí)間,加人鹽酸溶液可使電解質(zhì)溶液恢復(fù)原狀 | |
C. | 裝置②鹽橋中的K+向乙池移動(dòng) | |
D. | 裝置②反應(yīng)一段時(shí)間后,乙池中溶液的pH變小 |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 還原→取代→加成→消去 | B. | 氧化→加成→取代→消去 | ||
C. | 消去→加聚→取代→還原 | D. | 還原→消去→加成→取代 |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 聚乙烯的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)式: | B. | CH4分子的填充(或比例)模型: | ||
C. | 乙醇的分子式:CH3CH2OH | D. | 8個(gè)中子的碳原子的核素符號(hào):12C |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 0.1molMg2+含有NA個(gè)電子 | |
B. | 1mol•L-1的NaCl溶液中含有NA個(gè)Na+ | |
C. | 2molCu與足量S加熱充分反應(yīng),轉(zhuǎn)移2NA個(gè)電子 | |
D. | 4gCH4與Cl2在光照條件下反應(yīng)全部轉(zhuǎn)化為CCl4時(shí),斷裂NA個(gè)C-H鍵 |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:解答題
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 氯化鈉和鐵的熔化 | B. | 二氧化硅和生石灰的熔化 | ||
C. | 碘和干冰的升華 | D. | 食鹽和冰的熔化 |
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