(2012?江蘇一模)A、B、C都是元素周期表中的短周期元素,它們的核電荷數(shù)依次增大.第2周期元素A原子的核外成對(duì)電子數(shù)是未成對(duì)電子數(shù)的2倍,B原子的最外層p軌道的電子為半滿結(jié)構(gòu),C是地殼中含量最多的元素.D是第四周期元素,其原子核外最外層電子數(shù)與氫原子相同,其余各層電子均充滿.請(qǐng)用對(duì)應(yīng)的元素符號(hào)或化學(xué)式填空:
(1)A、B、C的第一電離能由小到大的順序?yàn)?!--BA-->
C<O<N
C<O<N

(2)A的最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)的水化物分子中其中心原子采取
sp2
sp2
雜化.
(3)已知A、C形成的化合物分子甲與B的單質(zhì)分子結(jié)構(gòu)相似,1mol甲中含有π鍵的數(shù)目為
2NA(或1.204×1024
2NA(或1.204×1024

(4)D的核外電子排布式是
1s22s22p63s23p63d104s1(或[Ar]3d104s1
1s22s22p63s23p63d104s1(或[Ar]3d104s1
,它的高價(jià)離子與B的簡(jiǎn)單氫化物形成的配離子的化學(xué)式為
[Cu(NH34]2+
[Cu(NH34]2+

(5)D的氫化物的晶體結(jié)構(gòu)如圖所示,寫出此氫化物在氯氣中燃燒的化學(xué)方程式
2CuH+3Cl2
 點(diǎn)燃 
.
 
2CuCl2+2HCl
2CuH+3Cl2
 點(diǎn)燃 
.
 
2CuCl2+2HCl
分析:A、B、C都是元素周期表中的短周期元素,它們的核電荷數(shù)依次增大,B原子的最外層p軌道的電子為半滿結(jié)構(gòu),最外層電子排布為2s22p3,故B為N元素,第2周期元素A原子的核外成對(duì)電子數(shù)是未成對(duì)電子數(shù)的2倍,故原子核外電子排布為1s22s1或1s22s22p2,結(jié)合(3)能與N元素形成陰離子(AN-),故A為C元素,C是地殼中含量最高的元素,所以C是O元素,D是第四周期元素,其原子核外最外層電子數(shù)與氫原子相同,其余各層電子均充滿,故D元素原子各層電子數(shù)分別為2、8、18、1,是29號(hào)Cu元素,據(jù)此解答.
解答:解:A、B、C都是元素周期表中的短周期元素,它們的核電荷數(shù)依次增大,B原子的最外層p軌道的電子為半滿結(jié)構(gòu),最外層電子排布為2s22p3,故B為N元素,第2周期元素A原子的核外成對(duì)電子數(shù)是未成對(duì)電子數(shù)的2倍,故原子核外電子排布為1s22s1或1s22s22p2,結(jié)合(3)能與N元素形成陰離子(AN-),故A為C元素,C是地殼中含量最高的元素,所以C是O元素,D是第四周期元素,其原子核外最外層電子數(shù)與氫原子相同,其余各層電子均充滿,故D元素原子各層電子數(shù)分別為2、8、18、1,是29號(hào)Cu元素,
(1)C、N、S元素是同一周期元素,同一周期元素自左而右第一電離能呈增大趨勢(shì),但N元素原子2p能級(jí)是半滿穩(wěn)定狀態(tài),能量較低,第一電離能高于同周期相鄰元素,故第一電離能C<O<N,故答案為:C<O<N;
(2)H2CO3中C原子最外層電子數(shù)全部成鍵,沒有孤電子對(duì),成1個(gè)C=O雙鍵,2個(gè)C-O單鍵,雜化軌道數(shù)目為3,采取sp2雜化,故答案為:sp2;
(3)C、O形成的化合物分子甲與N的單質(zhì)分子結(jié)構(gòu)相似,1mol氮?dú)夥肿又泻?molπ鍵,所以1mol甲中含有π鍵的數(shù)目為2NA(或1.204×1024),故答案為:2NA(或1.204×1024); 
(4)D的原子序數(shù)是29,為Cu元素,其原子核外電子排布式為:1s22s22p63s23p63d104s1,一個(gè)銅離子和四個(gè)氨氣分子形成配合物離子銅氨離子,其化學(xué)式為:[Cu(NH34]2+,
故答案為:1s22s22p63s23p63d104s1(或[Ar]3d104s1),[Cu(NH34]2+,
(5)該晶胞中銅離子和氫離子個(gè)數(shù)比是1:1,所以其化學(xué)式為CuH,氯氣有強(qiáng)氧化性,氫化亞銅有強(qiáng)還原性,氯氣能把氫化亞銅氧化生成氯化銅和氯化氫,所以氫化亞銅在氯氣中燃燒的方程式為:2CuH+3Cl2
 點(diǎn)燃 
.
 
2CuCl2+2HCl,
故答案為:2CuH+3Cl2
 點(diǎn)燃 
.
 
2CuCl2+2HCl.
點(diǎn)評(píng):本題以元素的推斷考查了原子的雜化方式、核外電子排布規(guī)律、電離能、晶胞計(jì)算、配合物等知識(shí)點(diǎn),注意同一周期元素的第一電離能隨著原子序數(shù)的增大而呈增大的趨勢(shì),但第IIA族和第VA族的異常,為易錯(cuò)點(diǎn).
練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

(2012?江蘇一模)下列裝置圖或曲線圖與對(duì)應(yīng)的敘述相符的是( 。

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

(2012?江蘇一模)青蒿素的一種化學(xué)合成部分工藝流程如下:

已知:
(1)化合物E中含有的含氧官能團(tuán)有:
酯基
酯基
、
醛基
醛基
和羚基.
(2)合成路線中設(shè)計(jì)E→F、G→H的目的是
保護(hù)羰基
保護(hù)羰基

(3)反應(yīng)B→C,實(shí)際上可看作兩步進(jìn)行,依次發(fā)生的反應(yīng)類型是
加成反應(yīng)
加成反應(yīng)
、
消去反應(yīng)
消去反應(yīng)

(4)A在Sn-β沸石作用下,可異構(gòu)為異蒲勒醇,已知異蒲勒醇分子有3個(gè)手性碳原子,異蒲勒醇分子內(nèi)脫水再與一分子H2加成可生成 ,則異蒲勒醇的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)式為

(5)寫出由笨甲醛和氯乙烷為原料,制備芐基乙醛的合成路線流程圖.(無機(jī)試劑任用,合成路線流程圖示例如下:

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:閱讀理解

(2012?江蘇一模)重鉻酸銨[(NH42Cr2O7]是一種桔黃色結(jié)晶,可用作有機(jī)合成催化劑、實(shí)驗(yàn)室制純凈的N2及Cr2O3等.實(shí)驗(yàn)室可由工業(yè)級(jí)鉻酸鈉(Na2CrO4)為原料制。嘘P(guān)物質(zhì)溶解度如圖所示.實(shí)驗(yàn)步驟如下:
步驟1:將鉻酸鈉溶于適量的水,加入一定量濃硫酸酸化,使鉻酸鈉轉(zhuǎn)化為重鉻酸鈉.
步驟2:將上述溶液蒸發(fā)結(jié)晶,并趁熱過濾.
步驟3:將步驟二得到的晶體再溶解,再蒸發(fā)結(jié)晶并趁熱過濾.
步驟4:將步驟三得到的濾液冷卻至40℃左右進(jìn)行結(jié)晶,用水洗滌,獲得重鉻酸鈉晶體.
步驟5:將步驟四得到的重鉻酸鈉和氯化銨按物質(zhì)的量之比1:2溶于適量的水,加熱至105~110℃時(shí),讓其充分反應(yīng).
(1)步驟1是一個(gè)可逆反應(yīng),該反應(yīng)的離子方程式為
2CrO42-+2H+?Cr2O72-+H2O
2CrO42-+2H+?Cr2O72-+H2O

(2)步驟2、3的主要目的是
除去硫酸鈉雜質(zhì)
除去硫酸鈉雜質(zhì)

(3)步驟4在40℃左右結(jié)晶,其主要目的是
盡量使硫酸鈉不析出
盡量使硫酸鈉不析出

(4)步驟5中獲得(NH42Cr2O7還需補(bǔ)充的操作有
冷卻結(jié)晶、過濾、洗滌及干燥
冷卻結(jié)晶、過濾、洗滌及干燥

(5)(NH42Cr2O7受熱分解制取Cr2O3的化學(xué)方程式為
(NH42Cr2O7═Cr2O3+N2↑+4H2O
(NH42Cr2O7═Cr2O3+N2↑+4H2O

(6)對(duì)上述產(chǎn)品進(jìn)行檢驗(yàn)和含量測(cè)定.
①檢驗(yàn)產(chǎn)品中是否有K+,其操作方法及判斷依據(jù)是
用潔凈的鉑絲在酒精燈上灼燒至無色,然后蘸取晶體或者其溶液少許,在酒精燈火焰上灼燒,通過藍(lán)色鈷玻璃觀察,若火焰顯示藍(lán)色說明含有鉀離子,否則不含
用潔凈的鉑絲在酒精燈上灼燒至無色,然后蘸取晶體或者其溶液少許,在酒精燈火焰上灼燒,通過藍(lán)色鈷玻璃觀察,若火焰顯示藍(lán)色說明含有鉀離子,否則不含

②為了測(cè)定上述產(chǎn)品中(NH42Cr2O7的含量,稱取樣品0.150g,置于錐形瓶中,加50mL水,再加入2gKI(過量)及稍過量的稀硫酸溶液,搖勻,暗處放置10min,然后加150mL蒸餾水并加入3mL 0.5%淀粉溶液,用0.1000mol/L Na2S2O3標(biāo)準(zhǔn)溶液滴定至終點(diǎn),消耗Na2S2O3標(biāo)準(zhǔn)溶液30.00mL,則上述產(chǎn)品中(NH42Cr2O7的純度為
84%
84%
(假定雜質(zhì)不參加反應(yīng),已知:Cr2O72-+6I-+14H+═2Cr3++3I2+7H2O,I2+2S2O
 
2-
3
═2I-+S4O
 
2-
6

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:閱讀理解

(2012?江蘇一模)鎂及其合金廣泛應(yīng)用于航空航天、交通、電池等行業(yè),金屬鎂的制備方法主要有:
①電解無水氯化鎂法,②碳或碳化鈣熱還原法,③皮江法.
已知:

(1)寫出MgO(s)與CaC2(s)作用生成Mg(g)及CaO(s)及C(s)的熱化學(xué)方程式:
CaC2(s)+MgO(s)=CaO(s)+Mg(g)+2C(s),△H=(641.5-464.0)kJ/mol=177.5kJ/mol
CaC2(s)+MgO(s)=CaO(s)+Mg(g)+2C(s),△H=(641.5-464.0)kJ/mol=177.5kJ/mol

(2)碳化鈣還原氧化鎂的文獻(xiàn)資料如表2
表2 還原劑的用量與溫度、保溫時(shí)間計(jì)MgO還原率
n(CaC2)/N(MgO) 還原溫度/℃ 恒溫時(shí)間/h 還原率/%
1.1 1110 2.0 62
1.1 1150 2.0 80
1.1 1150 2.5 85
1.2 1000 2.0 33
1.2 1150 2.0 84
1.2 1150 2.5 88
1.3 1150 2.0 86
1.3 1150 2.0 88
實(shí)際生產(chǎn)中只采取恒溫2h,其主要原因是:
相同條件下延長保溫時(shí)間時(shí),還原率增加不明顯,生成成本增大
相同條件下延長保溫時(shí)間時(shí),還原率增加不明顯,生成成本增大
;采用n(CaC2)/n(MgO)配比為1.2,而不是1.3,其主要原因是:
相同條件下,還原劑配比由1.2升高到1.3,還原劑用量增大,還原率增加不明顯,生產(chǎn)成本增大
相同條件下,還原劑配比由1.2升高到1.3,還原劑用量增大,還原率增加不明顯,生產(chǎn)成本增大

(3)用電解法制取鎂時(shí),若原料氯化鎂含有水時(shí),在電解溫度下,原料會(huì)形成Mg(OH)Cl,并發(fā)生電離反應(yīng):Mg(OH)Cl=Mg(OH)++Cl-.電解時(shí)在陰極表面會(huì)產(chǎn)生氧化鎂鈍化膜,此時(shí)陰極的反應(yīng)式為
2Mg(OH)++2e-=MgO+H2
2Mg(OH)++2e-=MgO+H2
.實(shí)驗(yàn)室由MgCl2?6H2O制取無水氯化鎂可采用的方法是
在氯化氫氣流中加熱脫水
在氯化氫氣流中加熱脫水

(4)我國目前生產(chǎn)金屬鎂主要用皮江法生產(chǎn),其原料為白云石(MgCO3?CaCO3)的煅燒產(chǎn)物和硅鐵(含75%Si).其生產(chǎn)原理為:
2CaO+2MgO(s)+Si(s)
1100-1250℃
真空
2Mg(g)+Ca2SiO4(s),采用真空操作除了能降低操作溫度外,還具有的優(yōu)點(diǎn)是
防止硅和鎂被氧化,并提高金屬鎂的產(chǎn)率
防止硅和鎂被氧化,并提高金屬鎂的產(chǎn)率

(5)鎂/間-二硝基苯電池的裝置如圖所示,電池工作時(shí)鎂轉(zhuǎn)變?yōu)闅溲趸V,間-二硝基苯則轉(zhuǎn)變?yōu)殚g-二苯胺.該電池正極的電極反應(yīng)式為

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

(2012?江蘇一模)阿司匹林可由水楊酸與乙酸酐作用制得.其制備原理如下:

乙酰水楊酸的鈉鹽易溶于水.阿司匹林可按如下步驟制取和純化:
步驟1:在干燥的50mL圓底燒瓶中加入2g水楊酸、5mL乙酸酐和5滴濃硫酸,振蕩使水楊酸全部溶解.
步驟2:按圖所示裝置裝配好儀器,通水,在水浴上加熱回流5-10min,控制浴溫在85-90℃.
步驟3:反應(yīng)結(jié)束后,取下反應(yīng)瓶,冷卻,再放入冰水中冷卻、結(jié)晶、抽濾、冷水洗滌2-3次,繼續(xù)抽濾得粗產(chǎn)物.
步驟4:將粗產(chǎn)物轉(zhuǎn)移至150mL燒杯中,在攪拌下加入25mL飽和碳酸氫鈉溶液,充分?jǐn)嚢,然后過濾.
步驟5:將濾液倒入10mL 4mol/L鹽酸溶液,攪拌,將燒杯置于冰浴中冷卻,使結(jié)晶完全.抽濾,再用冷水洗2-3次.
(1)步驟1濃硫酸的作用可能是
催化劑
催化劑

(2)步驟2中,冷凝管通水,水應(yīng)從
b
b
口進(jìn)(選填:a、b).
(3)步驟3抽濾時(shí),有時(shí)濾紙會(huì)穿孔,避免濾紙穿孔的措施是
減小真空度或者加一層(或多層)濾紙
減小真空度或者加一層(或多層)濾紙

(4)步驟4發(fā)生主要反應(yīng)的化學(xué)方程式為:
;過濾得到的固體為
聚水楊酸
聚水楊酸

(5)取幾粒步驟5獲得的晶體加入盛有5mL水的試管中,加入1-2滴1%三氯化鐵溶液,發(fā)現(xiàn)溶液變紫色,還需要采用
重結(jié)晶
重結(jié)晶
方法,進(jìn)一步純化晶體.

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