Question

下列實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)及其對(duì)應(yīng)的離子方程式均正確的是（　�。�

• A、用FeCl₃溶液腐蝕銅箔制作印刷電路板：Fe³⁺+Cu═Cu²⁺+Fe²⁺
• B、用Na₂CO₃溶液處理水垢中的CaSO₄：CO₃^2-+CaSO₄?CaCO₃+SO4^2-
• C、碳酸鈉溶液顯堿性：CO₃^2-+2H₂O═H₂CO₃+2OH^-
• D、用NaOH溶液吸收氯氣：Cl₂+2OH^-═2Cl^-+H₂O

Answer 1

考點(diǎn)：離子方程式的書寫

專題：離子反應(yīng)專題

分析：A．根據(jù)電荷守恒判斷，該離子方程式兩邊正電荷不守恒；
B．碳酸鈣溶解性小于硫酸鈣，硫酸鈣沉淀轉(zhuǎn)化成更難溶的碳酸鈣沉淀；
C．碳酸鈉溶液中，碳酸根離子水解，溶液顯示堿性，碳酸根離子的水解分步進(jìn)行，主要以第一步為主；
D．氫氧化鈉溶液與氯氣反應(yīng)生成氯化鈉、次氯酸鈉和水，漏掉了次氯酸根離子．

解答： 解：A．用FeCl₃溶液腐蝕銅箔制作印刷電路板，鐵離子與銅反應(yīng)生成銅離子和亞鐵離子，離子方程式必須遵循電荷守恒，正確的離子方程式為：2Fe³⁺+Cu═Cu²⁺+2Fe²⁺，故A錯(cuò)誤；
B．用Na₂CO₃溶液處理水垢中的CaSO₄，微溶物硫酸鈣轉(zhuǎn)化成更難溶的碳酸鈣沉淀，反應(yīng)的離子方程式為：CO₃^2-+CaSO₄?CaCO₃+SO₄^2-，故B正確；
C．碳酸鈉溶液顯堿性，碳酸根離子的水解分步進(jìn)行，離子方程式中應(yīng)該分步寫，主要寫出第一步即可，正確的水解方程式為：CO₃^2-+H₂O═HCO₃^-+OH^-，故C錯(cuò)誤；
D．NaOH溶液吸收氯氣，反應(yīng)生成氯化鈉、次氯酸鈉和水，正確的離子方程式為：Cl₂+2OH^-═ClO^-+Cl^-+H₂O，故D錯(cuò)誤；
故選B．

點(diǎn)評(píng)：本題考查了離子方程式的正誤判斷，該題是高考中的高頻題，屬于中等難度的試題，注意掌握離子方程式的書寫原則，明確離子方程式正誤判斷常用方法：檢查反應(yīng)能否發(fā)生，檢查反應(yīng)物、生成物是否正確，檢查各物質(zhì)拆分是否正確，如難溶物、弱電解質(zhì)等需要保留化學(xué)式，檢查是否符合守恒關(guān)系（如：質(zhì)量守恒和電荷守恒等）；選項(xiàng)C為易錯(cuò)點(diǎn)，注意碳酸根離子的水解分步進(jìn)行．