【題目】將銅納米顆粒和銀納米顆粒相隔一定距離固定在石墨片上,然后浸在硝酸銀溶液中,可構(gòu)成一種納米型原電池。該電池負極反應為( )
A.Ag++e-=Ag
B.Cu-2e-=Cu2+
C.Cu2++2e-=Cu
D.2H++2e-=H2↑
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【題目】向含有H2SO4的H2O2溶液中滴加一定量的KMnO4溶液,反應開始后,溶液中Mn2+的濃度c將隨時間t的變化而變化。某學生在做實驗前認為,Mn2+的濃度c與時間t的關(guān)系如圖甲所示,做完實驗后,得到的結(jié)果如圖乙所示。請回答下列問題:
(1)寫出H2O2與KMnO4反應的化學方程式 。
(2)Oa段的意義為 。
(3)ab段的意義及ab段陡的原因為 。
(4)bc段的意義為。
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【題目】下列說法錯誤的是
A. 硬脂酸甘油酯在NaOH溶液中水解完全后,加入飽和食鹽水,下層析出硬脂酸鈉
B. 乙酸的分子模型可表示為
C. 石油分餾是物理變化,可得到汽油、煤油和柴油等產(chǎn)品
D. 相同物質(zhì)的量的C3H6和C3H8O,充分燃燒,消耗氧氣量相同
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【題目】下列說法不正確的是( )
A.麥芽糖及其水解產(chǎn)物均能發(fā)生銀鏡反應
B.在酸性條件下,CH3CO18OC2H5的水解產(chǎn)物是CH3CO18OH和C2H5OH
C.用溴水即可鑒別苯酚溶液、2,4﹣已二烯和甲苯
D.用甘氨酸(H2N﹣CH2﹣COOH)和丙氨酸( )縮合最多可形成4種二肽
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【題目】A、B、C、D四種元素位于短周期內(nèi),B、C、D的原子序數(shù)依次遞增。A原子核內(nèi)有一個質(zhì)子,B原子的電子總數(shù)與D原子最外層電子數(shù)相等,D原子最外層電子數(shù)是其電子層數(shù)的3倍,由此推斷:
(1)A與D組成的化合物中,含有非極性鍵的分子的電子式________。畫出 D2-的結(jié)構(gòu)示意圖____________________。
(2)用電子式表示B與D組成的三原子分子的形成過程_________________。
(3)A和C組成的化合物CA3易液化的原因______________。
(4)已知A、B、C、D可組成一種化合物,其原子個數(shù)比為8︰1︰2︰3,該化合物的化學式為__________,屬__________(離子、共價)化合物。
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【題目】印刷電路板在科技領(lǐng)域具有不可替代的作用,它的制備方法為高分子化合物和銅箔壓合,通過FeCl3溶液“腐蝕”而成。某實驗小組在實驗室用廢棄的印刷電路板和“腐蝕液”提取銅的一種工藝流程如下:
請回答下列問題:
(1)檢驗“腐蝕液”中含有Fe3+的方法為_____________________________。
(2)“分離”所用的操作名稱為________ 。該操作所用的主要玻璃儀器除了有燒杯還有_______。
(3)Fe2+溶液有很多重要用途。
①已知:常溫下Ksp[Fe(OH)2]=1.8×10-16。保存1.8mol·L-1的FeSO4溶液時,為確保溶液中不出現(xiàn)渾濁,應調(diào)節(jié)溶液的pH不超過_______________。
②Fe2+轉(zhuǎn)化為Fe3+后,可用于制備高鐵酸鹽。向FeCl3溶液中加入NaOH、NaClO溶液制備Na2FeO4的化學方程式為____________________________________________。
③一定溫度下,向0.1 molL-1的Fe(NO3)2溶液中加入AgNO3 固體忽略溶液體積的變化,平衡c(Fe3+)與c(Ag+)的關(guān)系如圖所示:Fe2++Ag+Fe3++Ag
該溫度下,A 點溶液中以上反應的化學平衡常數(shù)為__________(溶液體積變化忽略不計);若將0.6 molL-1Fe(NO3)2溶液、0.15 molL-1Fe(NO3)3溶液、0.06molL-1AgNO3溶液等體積混合后,再加入1.08gAg,可觀察到的現(xiàn)象為_________________________________。
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【題目】Ga、As、Al、C的相關(guān)化合物在化工和醫(yī)學領(lǐng)域有著廣泛的應用;卮鹣铝袉栴}:
(1)寫出基態(tài)Ga原子的核外電子排布式:_________,有_____個未成對電子。
(2)合金砷化鎵在現(xiàn)代工業(yè)中被廣泛應用,Ga、As電負性由大到小排序為______________。
(3)1個丙二烯分子中σ鍵總數(shù)為___個,C原子的雜化方式為______。分子中的大π鍵可以用符號пmn表示,其中m代表參與形成大π鍵的原子數(shù),n代表參與形成大π鍵的電子數(shù)(如苯分子中的大π鍵可表示為п66),則丙二烯中的大π鍵應表示為____________。
(4)氮化鎵是第三代半導體材料,其晶體結(jié)構(gòu)和單晶硅相似,晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示:
①原子坐標參數(shù)是表示晶胞內(nèi)部各原子的相對位置,其中原子坐標參數(shù)A為(0, 0, 0);B為(1/2,1/2,0);C為(1,0,1)。則D原子的坐標參數(shù)為_________________。
②已知氮化鎵晶胞的邊長為a nm,其密度為d g/cm3,則阿伏加德羅常數(shù)NA =____(用a、d表示)
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【題目】一定量的CuS和Cu2S的混合物投入足量的HNO3中,收集到氣體V L(標準狀況),向反應后的溶液中(存在Cu2+和SO42﹣)加入足量NaOH,產(chǎn)生藍色沉淀,過濾,洗滌,灼燒,得到CuO 12.0g,若上述氣體為NO和NO2的混合物,且體積比為1:1,則V可能為( 。
A.7.5 L
B.12.3 L
C.15.7 L
D.16.8 L
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