Question

（2010?伊春模擬）【物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)】
C、Si、Ge、Sn是同族元素，該族元素單質(zhì)及其化合物在材料、醫(yī)藥等方面有重要應(yīng)用．請(qǐng)回答下列問(wèn)題：
（1）Ge的原子核外電子排布式為

1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d¹⁰4s²4p²

．
（2）C、Si、Sn三種元素的單質(zhì)中，能夠形成金屬晶體的是

Sn

．
（3）按要求指出下列氧化物的空間構(gòu)型、成鍵方式或性質(zhì)
①CO₂分子的空間構(gòu)型

直線形

；碳氧之間的成鍵方式

共價(jià)鍵

．
②SiO₂晶體的空間構(gòu)型

Si-O通過(guò)共價(jià)鍵形成四面體結(jié)構(gòu)，四面體之間通過(guò)共價(jià)鍵形成空間網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)

；硅氧之間的成鍵方式

共價(jià)鍵

．
③已知SnO₂是離子晶體，寫(xiě)出其主要物理性質(zhì)

熔融時(shí)能導(dǎo)電、較高的熔點(diǎn)

（寫(xiě)出1條即可）

Answer 1

分析：（1）Ge是32號(hào)元素，其原子核外有32 個(gè)電子，根據(jù)構(gòu)造原理書(shū)寫(xiě)其基態(tài)原子核外電子排布式；
（2）金屬元素能形成金屬晶體；
（3）①根據(jù)價(jià)層電子對(duì)互斥理論確定其空間構(gòu)型，非金屬元素之間易形成共價(jià)鍵；
②二氧化硅是原子晶體，每個(gè)硅原子和4個(gè)氧原子之間形成4個(gè)共價(jià)鍵，每個(gè)氧原子和2個(gè)硅原子形成2個(gè)共價(jià)鍵；非金屬元素之間易形成共價(jià)鍵；
③熔融狀態(tài)下，離子晶體能電離出陰陽(yáng)離子，離子晶體的熔點(diǎn)與其晶格能成正比．

解答：解：（1）Ge是32號(hào)元素，其原子核外有32 個(gè)電子，根據(jù)構(gòu)造原理知其基態(tài)原子核外電子排布式為1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d¹⁰4s²4p²，
故答案為：1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d¹⁰4s²4p²；
（2）金屬元素能形成金屬晶體，所以能形成金屬晶體的是Sn，故答案為：Sn；
（3）①二氧化碳分子中碳原子價(jià)層電子對(duì)個(gè)數(shù)是2，且不含孤電子對(duì)，所以其空間構(gòu)型是直線形，碳原子和氧原子之間存在共價(jià)鍵，故答案為：直線形；共價(jià)鍵；
②二氧化硅是原子晶體，Si-O通過(guò)共價(jià)鍵形成四面體結(jié)構(gòu)，四面體之間通過(guò)共價(jià)鍵形成空間網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，硅原子和氧原子之間存在共價(jià)鍵，
故答案為：Si-O通過(guò)共價(jià)鍵形成四面體結(jié)構(gòu)，四面體之間通過(guò)共價(jià)鍵形成空間網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)；共價(jià)鍵；
③離子晶體在熔融狀態(tài)下能電離呈自由移動(dòng)的陰陽(yáng)離子而導(dǎo)電，且離子晶體一般有較高的熔點(diǎn)，
故答案為：熔融時(shí)能導(dǎo)電、較高的熔點(diǎn)．

點(diǎn)評(píng)：本題考查了基態(tài)原子核外電子排布式的書(shū)寫(xiě)、分子空間構(gòu)型的判斷、化學(xué)鍵的判斷等知識(shí)點(diǎn)，根據(jù)構(gòu)造原理、價(jià)層電子對(duì)互斥理論等知識(shí)點(diǎn)來(lái)分析解答，難度不大．