A. | 電解精煉銅的過(guò)程中,鎂轉(zhuǎn)移NA個(gè)電子時(shí),陽(yáng)極溶解銅的質(zhì)量為32g | |
B. | 1molNa2O2固體中含離子總數(shù)為4NA | |
C. | 1mol羥基與17g NH3所含電子數(shù)之比為9:10 | |
D. | 1molNa2CO3晶體中含陰離子數(shù)小于1NA |
分析 A、電解精煉銅時(shí),陽(yáng)極上放電的不止是銅;
B、過(guò)氧化鈉由2個(gè)鈉離子和1個(gè)過(guò)氧根構(gòu)成;
C、羥基中含9個(gè)電子;
D、碳酸鈉晶體由2個(gè)鈉離子和1個(gè)過(guò)氧根構(gòu)成.
解答 解:A、電解精煉銅時(shí),陽(yáng)極上放電的不止是銅,還有比銅活潑的金屬,故當(dāng)轉(zhuǎn)移NA個(gè)電子時(shí),陽(yáng)極溶解銅的質(zhì)量小于32g,故A錯(cuò)誤;
B、過(guò)氧化鈉由2個(gè)鈉離子和1個(gè)過(guò)氧根構(gòu)成,故1mol過(guò)氧化鈉固體中含3mol離子即3NA個(gè),故B錯(cuò)誤;
C、羥基中含9個(gè)電子,故1mol-OH中含9mol電子,而17g氨氣的物質(zhì)的量為1mol,含10mol電子,故兩者中含有的電子個(gè)數(shù)之比為9:10,故C正確;
D、碳酸鈉晶體由2個(gè)鈉離子和1個(gè)過(guò)氧根構(gòu)成,故1mol碳酸鈉中含1mol陰離子即NA個(gè),故D錯(cuò)誤.
故選C.
點(diǎn)評(píng) 本題考查了阿伏伽德羅常數(shù)的有關(guān)計(jì)算,熟練掌握公式的使用和物質(zhì)的結(jié)構(gòu)是解題關(guān)鍵,難度不大.
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:解答題
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 某些金屬氧化物灼燒時(shí)有特殊的顏色,因此可用于制造煙花 | |
B. | 明礬可用作凈水劑 | |
C. | 常溫下,將鋁片放入濃硫酸中,無(wú)明顯現(xiàn)象,說(shuō)明鋁不與冷的濃硫酸反應(yīng) | |
D. | 次氯酸鈉溶液可用于環(huán)境的消毒殺菌 |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 濃硫酸有氧化性,稀硫酸沒(méi)有氧化性 | |
B. | 稀釋濃硫酸時(shí),將濃硫酸沿著量筒壁慢慢注入盛水的量筒中,并不斷攪拌 | |
C. | 硝酸濃度越大氧化能力越強(qiáng) | |
D. | 金屬和硝酸反應(yīng),濃度由濃到稀,對(duì)應(yīng)的還原產(chǎn)物有NO2、NO和H2 |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 硅的含量居第二位,在地球上有豐富的單質(zhì)硅資源,如石英、水晶、剛玉的主要成分都是SiO2 | |
B. | 單晶硅是一種良好的半導(dǎo)體材料,可用于制造電纜 | |
C. | 存放NaOH溶液的試劑瓶應(yīng)用玻璃塞 | |
D. | 硅相對(duì)于氫氣便于運(yùn)輸、貯存,從安全角度考慮,硅是有開(kāi)發(fā)價(jià)值的燃料 |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:解答題
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 加熱法可以除去氯化銨中的少量碘單質(zhì) | |
B. | 向試液中滴加雙氧水可KSCN溶液,溶液變?yōu)榧t色,則試液中一定含F(xiàn)e2+ | |
C. | 向某固體中滴加稀硫酸,產(chǎn)生的氣體能使澄清石灰水變渾濁,則該固體一定是蘇打或小蘇打 | |
D. | 向含少量硫酸鐵的硫酸銅溶液中加入過(guò)量的氧化銅,過(guò)濾,得到純凈硫酸銅溶液 |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | e點(diǎn)表示由過(guò)量的KI與AgNO3反應(yīng)產(chǎn)生AgI沉淀 | |
B. | A線(xiàn)是AgCl的溶解平衡曲線(xiàn),C線(xiàn)是AgI的溶解平衡曲線(xiàn) | |
C. | d點(diǎn)是在水中加入足量的AgBr形成的飽和溶液 | |
D. | 坐標(biāo)點(diǎn)(8,4)形成的溶液是AgCl的不飽和溶液 |
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