ⅥA族的氧、硫、硒(Se)、碲(Te)等元素在化合物中常表現(xiàn)出多種化合價(jià),含ⅥA族元素的化合物在研究和生產(chǎn)中有許多重要用途。請(qǐng)回答下列問題:
(1)氧元素能形成繁多的氧化物,請(qǐng)寫出一個(gè)與CO2等電子的化合物 。
(2)把Na2O、SiO2、P2O5三種氧化物按熔沸點(diǎn)由高到低順序排列 。
(3)原子的第一電離能是指氣態(tài)電中性基態(tài)原子失去一個(gè)電子轉(zhuǎn)化為氣態(tài)基態(tài)正離子所需要的最低能量,O、S、Se原子的第一電離能由大到小的順序?yàn)?u> ;
(4)Se原子基態(tài)核外電子的排布式為 ;H2Se的沸點(diǎn):-41.1℃ ,H2S的沸點(diǎn):-60.4℃,引起兩者沸點(diǎn)差異的主要原因是 ;
(5)SO32-離子中硫原子的雜化方式 ,該離子的立體構(gòu)型為 ;
(6)某金屬元素A的氧化物用作玻璃、瓷器的顏料、脫硫劑。其立方晶體的晶胞結(jié)構(gòu)如右圖所示,
則該氧化物的化學(xué)式為 。
(12分)[(4)、(5)兩題每空1分,其余每空2分]
(1)CS2或N2O (2)SiO2>Na2O>P2O5 (3) O>S>Se
(4)1s22s22p63s23p63d104s24p4或[Ar]3d104s24p4 H2Se分子之間的作用力強(qiáng)于H2S
(5) sp3;三角錐形 (6) AO
解析試題分析:(1)原子數(shù)和價(jià)電子數(shù)分別都相等的互為等電子體,CO2含有3個(gè)原子、4+6×2=16個(gè)價(jià)電子數(shù),所以與CO2等電子的化合物是CS2或N2O。
(2)Na2O、SiO2、P2O5三種氧化物形成的晶體類型分別是離子晶體、原子晶體和分子晶體,所以三種氧化物按熔沸點(diǎn)由高到低順序排列是SiO2>Na2O>P2O5。
(3)非金屬性越強(qiáng),第一電離能越大。根據(jù)元素周期律可知,同主族元素自上而下非金屬性逐漸減弱,即O、S、Se三種元素的非金屬性強(qiáng)弱順序是O>S>Se,所以三種原子的第一電離能由大到小的順序?yàn)镺>S>Se。
(4)Se元素的原子序數(shù)是34,所以根據(jù)構(gòu)造原理可知,Se原子基態(tài)核外電子的排布式為1s22s22p63s23p63d104s24p4或[Ar]3d104s24p4;由于H2Se和H2S分子形成的晶體類型均是分子晶體,而H2Se分子之間的作用力強(qiáng)于H2S,所以H2Se的分子沸點(diǎn)高于H2S的沸點(diǎn)。
(5)根據(jù)價(jià)層電子對(duì)互斥理論可知,SO32-離子中硫原子含有的孤對(duì)電子對(duì)數(shù)=(6+2-3×2)÷2=1,所以該離子的空間構(gòu)型是三角錐形,而硫原子的雜化方式是sp3。
(6)根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)并借助于均攤法可知,晶胞中含有的白球個(gè)數(shù)=8×+6×=4個(gè),而黑球全部在晶胞內(nèi),其個(gè)數(shù)=4個(gè),所以該氧化物的化學(xué)式是AO。
考點(diǎn):考查等電子體、晶體沸點(diǎn)比較以及及晶體化學(xué)式確定、第一電離能、核外電子排布、空間構(gòu)型、雜化軌道類型的判斷等
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:單選題
下列說法正確的是(NA為阿伏加德羅常數(shù)的值( )
A.124g P4含有的P-P鍵的個(gè)數(shù)為4NA |
B.12 g石墨中含有C-C鍵的個(gè)數(shù)為2NA |
C.12g金剛石中含有C-C鍵的個(gè)數(shù)為2NA |
D.60g SiO2中含Si-O鍵的個(gè)數(shù)為2NA |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:單選題
下列有關(guān)比較中,大小順序排列不正確的是( )
A.物質(zhì)的熔點(diǎn):石英>食鹽>冰 |
B.熱穩(wěn)定性:CH4>H2S>HBr>NH3 |
C.分散系中分散質(zhì)粒子的直徑:Fe(OH)3懸濁液>Fe(OH)3膠體>FeCl3溶液 |
D.微粒的半徑:Cl—>Na+> Mg2+> Al3+ |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:填空題
決定物質(zhì)性質(zhì)的重要因素是物質(zhì)結(jié)構(gòu)。請(qǐng)回答下列問題。
(1)下圖是石墨的結(jié)構(gòu),其晶體中存在的作用力有 (填序號(hào))
Aσ鍵;Bπ鍵;C氫鍵;D配位鍵;E分子間作用力;F金屬鍵;G離子鍵
(2)下面關(guān)于晶體的說法不正確的是___________
A.晶體熔點(diǎn)由低到高:CF4<CCl4<CBr4<CI4 |
B.硬度由大到。航饎偸>碳化硅>晶體硅 |
C.熔點(diǎn)由高到低:Na>Mg>Al |
D.晶格能由大到。篘aF> NaCl> NaBr>NaI |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:填空題
Ⅰ.自從英國化學(xué)家巴特列(N.Bartlett)首次合成了第一個(gè)稀有氣體的化合物XePtF6以來,人們又相繼發(fā)現(xiàn)了氙的一系列化合物,如XeF2、XeF4等。巴特列為開拓稀有氣體化學(xué)作出了歷史性貢獻(xiàn)。
(1)請(qǐng)根據(jù)XeF4的結(jié)構(gòu)示意圖(圖1)判斷這個(gè)分子是極性分子還是非極性分子?____________________。
(2)XeF2晶體是一種無色晶體,圖2為它的晶胞結(jié)構(gòu)圖。XeF2晶體屬于哪種類型的晶體?__________________。
Ⅱ.已知有關(guān)物質(zhì)的熔、沸點(diǎn)數(shù)據(jù)如下表:
物質(zhì) | MgO | Al2O3 | MgCl2 | AlCl3 |
熔點(diǎn)/℃ | 2 852 | 2 072 | 714 | 190(2.6×105Pa) |
沸點(diǎn)/℃ | 3 600 | 2 980 | 1 412 | 182.7 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:填空題
某金屬(A)在TK以下晶體的基本結(jié)構(gòu)單元如左下圖所示,T K以上轉(zhuǎn)變?yōu)橛蚁聢D所示結(jié)構(gòu)的基本結(jié)構(gòu)單元,在兩種晶體中最鄰近的A原子間距離相同
(1)在T K以下的純A晶體中,與A原子等距離且最近的A原子數(shù)為______個(gè);在T K以上的純A晶體中,與A原子等距離且最近的A原子數(shù)為___________;
(2)純A晶體在晶型轉(zhuǎn)變前后,二者基本結(jié)構(gòu)單元的邊長之比為(TK以上與TK以下之比)___________。
(3)左上圖的的堆積方式為 , 經(jīng)測定其結(jié)構(gòu)和性質(zhì)參數(shù)如下表所示
金屬 | 相對(duì)原子質(zhì)量 | 分區(qū) | 密度/g·㎝-3 | 原子化熱/kJ·mol-1 |
Na | 22.99 | s區(qū) | 0.960 | 108.4 |
A | 60.20 | d區(qū) | 7.407 | 7735 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:單選題
根據(jù)表中的信息判斷下列說法正確的是( )。
物質(zhì) | 金剛石 | 石墨 |
外觀 | 無色,透明固體 | 灰黑,不透明固體 |
熔點(diǎn) | ? | ? |
燃燒熱/(kJ·mol-1) | 395.4 | 393.5 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:單選題
化學(xué)中存在一些守恒或平衡原理,下列敘述正確的是 ( )
A.根據(jù)質(zhì)量(原子)守恒定律,某物質(zhì)完全燃燒的產(chǎn)物是CO2和H2O則該物質(zhì)一定是烴 |
B.根據(jù)能量守恒定律,所有化學(xué)反應(yīng)的反應(yīng)物的總能量一定等于生成物的總能量 |
C.根據(jù)電子守恒定律,原電池中負(fù)極反應(yīng)失電子數(shù)一定等于正極反應(yīng)得電子數(shù) |
D.根據(jù)化學(xué)平衡原理,可逆反應(yīng)的正反應(yīng)速率在任何時(shí)刻一定等于逆反應(yīng)速率 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:單選題
下列反應(yīng)既屬于氧化還原反應(yīng),又是吸熱反應(yīng)的是
A.鋁與稀鹽酸的反應(yīng) |
B.灼熱的木炭與CO2反應(yīng) |
C.甲烷在氧氣中的燃燒反應(yīng) |
D.Ba(OH)2·8H2O晶體與NH4Cl晶體的反應(yīng) |
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