某金屬(A)在TK以下晶體的基本結(jié)構(gòu)單元如左下圖所示,T K以上轉(zhuǎn)變?yōu)橛蚁聢D所示結(jié)構(gòu)的基本結(jié)構(gòu)單元,在兩種晶體中最鄰近的A原子間距離相同
               
(1)在T K以下的純A晶體中,與A原子等距離且最近的A原子數(shù)為______個;在T K以上的純A晶體中,與A原子等距離且最近的A原子數(shù)為___________;
(2)純A晶體在晶型轉(zhuǎn)變前后,二者基本結(jié)構(gòu)單元的邊長之比為(TK以上與TK以下之比)___________。
(3)左上圖的的堆積方式為                       , 經(jīng)測定其結(jié)構(gòu)和性質(zhì)參數(shù)如下表所示

金屬
相對原子質(zhì)量
分區(qū)
密度/g·㎝-3
原子化熱/kJ·mol-1
Na
22.99
s區(qū)
0.960
108.4
A
60.20
d區(qū)
7.407
7735
 
則A原子的原子半徑為            pm,試解釋該晶體原子化熱很高的原因                       。
(已知,7.407≈,1pm=10m)

(1)8、12(各1分)(2)(2分)
(3)體心立方(2分)       129.9或130.0(2分)
由于A處于d區(qū)價電子多,且半徑小所以原子化熱很高(2分)

解析試題分析:(1)T K以下的純A晶體為體心立方結(jié)構(gòu),配位數(shù)是8;T K以上的純A晶體為面心立方結(jié)構(gòu),配位數(shù)是12;
(2)設(shè)A原子半徑為r,T K以上的純A晶體結(jié)構(gòu)單元的邊長為a,T K以下的純A晶體結(jié)構(gòu)單元的邊長為b,根據(jù)二者的結(jié)構(gòu)可得:2a2=(4r)2,2b2+ b2=(4r)2,進(jìn)一步化簡可得結(jié)果;
(3)一個結(jié)構(gòu)單元含2個A原子,2×60.20/(6.02×1023)=b3×7.407,求出b,再根據(jù)(2)求出原子半徑r,轉(zhuǎn)化單位得出答案;A價電子多而半徑小,原子核吸引價電子能力強(qiáng),所以原子化熱很高。
考點(diǎn):本題考查晶體的配位數(shù)、晶體結(jié)構(gòu)的計算和原子化熱。

練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中化學(xué) 來源: 題型:單選題

下列敘述正確的是(   )

A.原子晶體中,共價鍵的鍵能越大,熔沸點(diǎn)越高
B.分子晶體中,分子間作用力越大,該分子越穩(wěn)定
C.分子晶體中,共價鍵鍵能越大,熔沸點(diǎn)越高
D.某晶體溶于水中,可電離出自由移動的離子,該晶體一定是離子晶體

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:填空題

現(xiàn)有5種固態(tài)物質(zhì):氯化鈉、硼、石墨、銻、氖。將符合信息的物質(zhì)名稱和所屬晶體類型填在表格中。

編號
信 息
物質(zhì)名稱
晶體類型
(1)
熔點(diǎn)811 ℃,硬度較大,易溶于水,水溶液或熔融態(tài)時均能導(dǎo)電
 
 
(2)
熔點(diǎn)630.74 ℃,沸點(diǎn)1 750 ℃,導(dǎo)電
 
 
(3)
由分子間作用力結(jié)合而成,熔點(diǎn)很低,化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定
 
 
(4)
由共價鍵結(jié)合成空間網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的晶體,熔點(diǎn)2 300 ℃,沸點(diǎn)2 550 ℃,硬度大
 
 
(5)
由共價鍵結(jié)合成層狀結(jié)構(gòu)的晶體,熔點(diǎn)高、能導(dǎo)電,具有滑膩感
 
 
 

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:填空題

通常人們把拆開1 mol某化學(xué)鍵所吸收的能量看成該化學(xué)鍵的鍵能。鍵能的大小可以衡量化學(xué)鍵的強(qiáng)弱,也可用于估算化學(xué)反應(yīng)的反應(yīng)熱(ΔH),化學(xué)反應(yīng)的ΔH等于反應(yīng)中斷裂舊化學(xué)鍵的鍵能之和與反應(yīng)中形成新化學(xué)鍵的鍵能之和的差。

化學(xué)鍵
Si—O
Si—Cl
H—H
H—Cl
Si—Si
Si—C
鍵能/kJ·mol-1
460
360
436
431
176
347
 
請回答下列問題:
(1)比較下列兩組物質(zhì)的熔點(diǎn)高低(填“>”或“<”)。SiC____________Si;SiCl4____________SiO2。
(2)下圖立方體中心的“●”表示硅晶體中的一個原子,請在立方體的頂點(diǎn)用“●”表示出與之緊鄰的硅原子。

(3)工業(yè)上高純硅可通過下列反應(yīng)制。篠iCl4(g)+2H2(g)Si(s)+4HCl(g)該反應(yīng)的反應(yīng)熱ΔH=________ kJ·mol-1

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:填空題

ⅥA族的氧、硫、硒(Se)、碲(Te)等元素在化合物中常表現(xiàn)出多種化合價,含ⅥA族元素的化合物在研究和生產(chǎn)中有許多重要用途。請回答下列問題:
(1)氧元素能形成繁多的氧化物,請寫出一個與CO2等電子的化合物         。
(2)把Na2O、SiO2、P2O5三種氧化物按熔沸點(diǎn)由高到低順序排列         
(3)原子的第一電離能是指氣態(tài)電中性基態(tài)原子失去一個電子轉(zhuǎn)化為氣態(tài)基態(tài)正離子所需要的最低能量,O、S、Se原子的第一電離能由大到小的順序?yàn)?u>      ;
(4)Se原子基態(tài)核外電子的排布式為                         ;H2Se的沸點(diǎn):-41.1℃ ,H2S的沸點(diǎn):-60.4℃,引起兩者沸點(diǎn)差異的主要原因是         ;
(5)SO32-離子中硫原子的雜化方式         ,該離子的立體構(gòu)型為                 
(6)某金屬元素A的氧化物用作玻璃、瓷器的顏料、脫硫劑。其立方晶體的晶胞結(jié)構(gòu)如右圖所示,
則該氧化物的化學(xué)式為         

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:單選題

已知:HCN(aq)與NaOH(aq)反應(yīng)的ΔH=-12.1kJ·mol-1;HCl(aq)與NaOH(aq)反應(yīng)的ΔH=-55.6kJ·mol-1。則HCN在水溶液中電離的ΔH等于(    )

A.+43.5kJ·mol-1B.-43.5kJ·mol-1C.+67.7kJ·mol-1D.-67.7kJ·mol-1

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:單選題

下列說法正確的是

A.在101kPa下,1g物質(zhì)完全燃燒所放出的熱量叫該物質(zhì)的熱值,單位為kJ?mol-1
B.某放熱反應(yīng)在其它條件不變時,加入催化劑后反應(yīng)放出的熱量會減少
C.一個化學(xué)反應(yīng),不論是一步完成,還是分幾步完成,其總的熱效應(yīng)是完全相同的
D.若一個反應(yīng)的焓變ΔH=a kJ?mol-1,則其逆反應(yīng)ΔH=

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:單選題

下列熱化學(xué)方程式中,ΔH能正確表示物質(zhì)的燃燒熱的是(  )

A.CO(g)+1/2O2(g)====CO2(g) ΔH=-283.0 kJ·mol-1 
B.C(s)+1/2O2(g)====CO(g) ΔH=-110.5 kJ·mol-1 
C.H2(g)+1/2O2(g)====H2O(g) ΔH=-241.8 kJ·mol-1 
D.2C8H18(l)+25O2(g)====16CO2(g)+18 H2O(l) ΔH=-11036 kJ·mol-1 

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:單選題

向絕熱恒容密閉容器中通入SO2和NO2,一定條件下使反應(yīng)
SO2(g)+NO2 (g)  SO3(g)+NO(g)
達(dá)到平衡,正反應(yīng)速率隨時間變化的示意圖如下圖所示。由圖可得出的不正確結(jié)論是

A.反應(yīng)物的總能量高于生成物的總能量
B.反應(yīng)物濃度:a點(diǎn)大于b點(diǎn)
C.反應(yīng)在c點(diǎn)達(dá)到平衡狀態(tài)
D.SO2的轉(zhuǎn)化率:a點(diǎn)小于b點(diǎn)

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