A. | 金剛石>晶體硅>碳化硅 | B. | 氧化鋁>氯化鉀>氯化鈉 | ||
C. | CBr4>CCl4>CF4 | D. | AsH3>PH3>NH3 |
分析 A.原子晶體中,熔沸點(diǎn)高低與鍵長(zhǎng)成反比;
B.離子晶體中,熔沸點(diǎn)與電荷成正比、與離子半徑成反比;
C.分子晶體中,熔沸點(diǎn)與相對(duì)分子質(zhì)量成正比;
D.NH3分子間可形成氫鍵,AsH3和PH3比較相對(duì)分子質(zhì)量.
解答 解:A.原子晶體中,熔沸點(diǎn)高低與鍵長(zhǎng)成反比,這幾種物質(zhì)都是原子晶體,鍵長(zhǎng)C-C<C-Si<Si-Si,所以熔沸點(diǎn)金剛石>碳化硅>晶體硅,故A錯(cuò)誤;
B.離子晶體中,熔沸點(diǎn)與電荷成正比、與離子半徑成反比,鋁離子帶3個(gè)單位電荷、氧離子帶2個(gè)單位電荷,鈉離子、鉀離子和氯離子都帶一個(gè)單位電荷,且鉀離子半徑大于鈉離子,所以熔沸點(diǎn)Al2O3>NaCl>KCl,故B錯(cuò)誤;
C.分子晶體中,熔沸點(diǎn)與相對(duì)分子質(zhì)量成正比,相對(duì)分子質(zhì)量CBr4>CCl4>CF4,所以熔沸點(diǎn)CBr4>CCl4>CF4,故C正確;
D.NH3分子間可形成氫鍵,沸點(diǎn)最大,AsH3的相對(duì)分子質(zhì)量大于PH3,因此沸點(diǎn)NH3>AsH3>PH3,故D錯(cuò)誤;
故選C.
點(diǎn)評(píng) 本題考查離子晶體、原子晶體、金屬晶體、分子晶體熔沸點(diǎn)高低判斷,側(cè)重考查知識(shí)運(yùn)用,明確晶體類型及晶體熔沸點(diǎn)高低影響因素即可解答,題目難度不大.
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | t6~t7階段,C的百分含量最大 | |
B. | t2~t3階段,A的轉(zhuǎn)化率最小 | |
C. | t3時(shí)刻,改變因素一定是使用了催化劑 | |
D. | t5時(shí)刻,改變因素一定是升高了溫度 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:解答題
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:解答題
要提純的物質(zhì) (雜質(zhì)) | 乙烷 (乙烯) | 乙酸乙酯 (乙酸) | 乙醇 (水) | 溴苯 (溴) |
選用試劑 | ||||
分離方法 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | Na、Mg、Al還原性依次增強(qiáng) | |
B. | HCl、H2S、PH3穩(wěn)定性依次減弱 | |
C. | NaOH、KOH、Mg(OH)2堿性依次增強(qiáng) | |
D. | S2-、Cl-、K+、Ca2+離子半徑依次增大 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:多選題
A. | 13g乙炔(C2H2)總原子數(shù)為2NA | |
B. | 4℃時(shí)9mL水和11.2L氮?dú)夂邢嗤姆肿訑?shù) | |
C. | 同溫同壓下,NA個(gè)NO2與NA個(gè)N2的體積相等 | |
D. | 標(biāo)準(zhǔn)狀況下,11.2 L氧氣所含的原子數(shù)目為NA |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:解答題
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | 氫氣通過灼熱的CuO粉末 | B. | 二氧化碳通過Na2O2粉末 | ||
C. | CO高溫下還原Fe2O3 | D. | 將鋅粒投入Cu(NO3)2溶液 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | 加入氮?dú)?/td> | B. | 擴(kuò)大容器體積,減小壓強(qiáng) | ||
C. | 加入適量催化劑 | D. | 適當(dāng)升高溫度 |
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